Простейшая схема включения стабилитрона в режиме стабилизации напряжения представлена на рис. 18. В этом режиме напряжение на стабилитроне Рис. 18 остается практически постоянным, поэтому и напряжение на нагрузке постоянно UН = Uст – const. При этом уравнение для всей цепи имеет вид: E = Uст + Rст (Iст – IН). Наиболее часто стабилитрон работает в режиме, когда напряжение Е не стабильно, а RН – const. Для поддержания режима стабилизации следует правильно выбрать RСТ. Обычно RСТ рассчитывают для средней точки А характеристики стабилитрона (рис. 19). Если предположить, что Emin E Emax, то Если напряжение Е изменяется в какую либо сторону, то будет, и изменятся ток стабилитрона, но напряжение на нем UCT, а, следовательно, и на нагрузке остается практически неизменным. Рис. 19 Все изменения напряжения поглощаются RCT, поэтому должно выполнится условие: Второй режим стабилизации: входное напряжение постоянно, а RН изменяется в пределах от RНmin до RНmax, в этом случае: ,;. Так как RCT постоянно, то падение напряжения на нем равное Е−UCT также постоянно, то и ток через RCT ICP+IНCP должен быть постоянным. Это возможно, когда ток стабилизации ICP и IН изменяются в одинаковой степени, но в противоположны стороны (т.е. сумма постоянна). Из приведенных выражений следует, что для стабилизации в более широком диапазоне изменений входного напряжения Е, RCT нужно увеличивать, а для стабилизации в режиме изменения тока нагрузки, RCTнеобходимо уменьшать (уменьшать RCT– не выгодно, тратится лишняя энергия источника). Если необходимо получить стабильное напряжение более низкое, чем дает стабилитрон, возможно включение добавочного сопротивления последовательно с нагрузкой (рис. 20). Значение Rдоб рассчитывают по закону Ома. Однако, в этом случае сопротивление нагрузки RCTдолжно быть постоянным. UН=UCT─IНRдоб Рис. 20 Для получения более высоких стабильных напряжений применяется последовательное включение стабилитронов, с одинаковыми токами стабилизации (рис. 21). UCT=UCT1+UCT2 Рис. 21 Для компенсации температурного дрейфа UCT последовательно со стабилитроном возможно включение термозависимого сопротивления RT, имеющее ТКRТ обратный по закону ТКUCT. Рис. 22 Для стабилитронов с ТКUCT>0 в качестве RT можно использовать p-n-переход дополнительного диода, включенного в прямом направлении. Для стабилизации с термокомпенсацией выпускаются специальные двух-анодные стабилитроны, которые включаются в цепь произвольно, причем один диод включен в обратном направлении – обеспечивает режим стабилизации, а другой в прямом – режим термокомпенсации (рис. 22). ВАХ стабистора мало отличается от ВАХ выпрямительных диодов. Однако для того чтобы обеспечить наибольшую крутизну прямой ветви ВАХ, стабисторы изготавливаются из высоколегированных полупроводников. Это обеспечивает малое rб и малое значение Rдиф. Слабая зависимость UПР от IПР на Рис. 23 рабочем участке (рис. 23) позволяет использовать стабисторы для стабилизации малых напряжений порядка 0,7В. Последовательным включением стабисторов можно подобрать требуемое напряжение стабилизации. studfiles.net Принцип работы стабилитрона. Конструктивно стабилитрон подобен обычным плоскостным кремниевым диодам. Основная особенность стабилитрона состоит в том, что он специально предназначен для работы при обратных напряжениях, превышающих напряжение пробоя p-n перехода. Такой режим работы становится возможным, если принять меры для предотвращения перегрева p-n перехода обратным током (усилить теплоотвод от перехода, ограничить величину обратного тока внешним сопротивлением). Стабилитрон изготавливается на основе p - n перехода, процессы в котором основываются на явлениях туннельного или лавинного пробоев p - n перехода, и который содержит на обратной ветви ВАХ участок с малым сопротивлением при определённом напряжении - это напряжение и будет напряжением стабилизации В режиме лавинного пробоя самое незначительное увеличение обратного напряжения приводит к резкому возрастанию числа свободных электронов и дырок за счет эффекта Зенера и эффекта лавинного умножения. Эффект лавинного умножения состоит в том, что быстро движущийся носитель заряда – дырка или электрон - при соударении может передать часть своей энергии валентному электрону, перебросив его в зону проводимости. В результате создается новая пара носителей заряда – электрон в зоне проводимости и дырка в валентной зоне, которые в свою очередь могут передать энергию другим электронам и т.д. При достаточной величине внешнего поля процесс приобретает лавинный характер, обратный ток резко увеличивается. Другим механизмом работы стабилитрона является туннельный пробой. Вольтамперная характеристика стабилитрона представлена на рис. . Стабилитрон изготавливают, как правило, на основе слаболегированного кремния. При подаче больших обратных напряжений, которые соответствуют на энергетической диаграмме большому смещению энергетических зон, в p - n переходе образуется большое ускоряющее поле для неосновных носителей заряда. Неосновных носители ускоряются в поле p - n перехода и ионизируют атомы основного вещества, которые в свою очередь ускоряются в этом же поле и ионизируют другие атомы . При этом количество подвижных носителей резко (лавинообразно) возрастает и ток через p - n переход в обратном направлении резко возрастает. Обратный ток ограничивается только внешними элементами электрической цепи. При этом напряжение на стабилитроне практически не меняется. При малых напряжениях стабилизации <6 Вольт имеет место туннельный пробой p - n перехода, а при больших – лавинный. На основе p - n перехода, процессы в котором основываются на явлениях туннельного и лавинного пробоев p - n перехода, и который содержит на обратной ветви ВАХ участок с малым сопротивлением при определённом напряжении √ это напряжение стабилизации. Стабилитрон изготавливают, как правило, на основе слаболегированного кремния. При этом в p - n переходе образуется большое ускоряющее поле для неосновных носителей заряда и при обратном направлении порядка неосновных носители ускоряются в поле p - n перехода ионизируют атомы основного вещества, которые в свою очередь ускоряются в этом же поле и ионизируют другие атомы . При этом количество подвижных носителей резко (лавинообразно) возрастает и ток через p - n переход в обратном направлении резко возрастает. И он ограничивается только внешними элементами электрической цепи. При этом напряжение на стабилитроне практически не меняется. При малых напряжениях стабилизации <6 Вольт имеет место туннельный пробой p - n перехода. Схема включения стабилитрона. Параметрический стабилизатор при обратном включении. Используется стабилитрон при обратном включении. R б- балластное сопротивление, D - стабилитрон, Rн- сопротивление нагрузки, на котором выделяется стабильное напряжение Конструктивно стабилитрон подобен обычным плоскостным кремниевым диодам. Основная особенность стабилитрона состоит в том, что он специально предназначен для работы при обратных напряжениях, превышающих напряжение пробоя p-n перехода. Такой режим работы становится возможным, если принять меры для предотвращения перегрева p-n перехода обратным током (усилить теплоотвод от перехода, ограничить величину обратного тока внешним сопротивлением). В таком режиме самое незначительное увеличение обратного напряжения приводит к резкому возрастанию числа свободных электронов и дырок за счет эффекта Зенера и эффекта лавинного умножения. Эффект лавинного умножения состоит в том, что быстро движущийся носитель заряда – дырка или электрон - при соударении может передать часть своей энергии валентному электрону, перебросив его в зону проводимости. В результате создается новая пара носителей заряда – электрон в зоне проводимости и дырка в валентной зоне, которые в свою очередь могут передать энергию другим электронам и т.д. При достаточной величине внешнего поля процесс приобретает лавинный характер, обратный ток резко увеличивается. Вольтамперная характеристика стабилитрона представлена на рис. 5. studfiles.net Простейшая схема включения стабилитрона в режиме стабилизации напряжения представлена на рис. 18. В этом режиме напряжение на стабилитроне Рис. 18 остается практически постоянным, поэтому и напряжение на нагрузке постоянно UН = Uст – const. При этом уравнение для всей цепи имеет вид: E = Uст + Rст (Iст – IН). Наиболее часто стабилитрон работает в режиме, когда напряжение Е не стабильно, а RН – const. Для поддержания режима стабилизации следует правильно выбрать RСТ. Обычно RСТ рассчитывают для средней точки А характеристики стабилитрона (рис. 19). Если предположить, что Emin E Emax, то Если напряжение Е изменяется в какую либо сторону, то будет, и изменятся ток стабилитрона, но напряжение на нем UCT, а, следовательно, и на нагрузке остается практически неизменным. Рис. 19 Все изменения напряжения поглощаются RCT, поэтому должно выполнится условие: Второй режим стабилизации: входное напряжение постоянно, а RН изменяется в пределах от RНmin до RНmax, в этом случае: ,;. Так как RCT постоянно, то падение напряжения на нем равное Е−UCT также постоянно, то и ток через RCT ICP+IНCP должен быть постоянным. Это возможно, когда ток стабилизации ICP и IН изменяются в одинаковой степени, но в противоположны стороны (т.е. сумма постоянна). Из приведенных выражений следует, что для стабилизации в более широком диапазоне изменений входного напряжения Е, RCT нужно увеличивать, а для стабилизации в режиме изменения тока нагрузки, RCTнеобходимо уменьшать (уменьшать RCT– не выгодно, тратится лишняя энергия источника). Если необходимо получить стабильное напряжение более низкое, чем дает стабилитрон, возможно включение добавочного сопротивления последовательно с нагрузкой (рис. 20). Значение Rдоб рассчитывают по закону Ома. Однако, в этом случае сопротивление нагрузки RCTдолжно быть постоянным. UН=UCT─IНRдоб Рис. 20 Для получения более высоких стабильных напряжений применяется последовательное включение стабилитронов, с одинаковыми токами стабилизации (рис. 21). UCT=UCT1+UCT2 Рис. 21 Для компенсации температурного дрейфа UCT последовательно со стабилитроном возможно включение термозависимого сопротивления RT, имеющее ТКRТ обратный по закону ТКUCT. Рис. 22 Для стабилитронов с ТКUCT>0 в качестве RT можно использовать p-n-переход дополнительного диода, включенного в прямом направлении. Для стабилизации с термокомпенсацией выпускаются специальные двух-анодные стабилитроны, которые включаются в цепь произвольно, причем один диод включен в обратном направлении – обеспечивает режим стабилизации, а другой в прямом – режим термокомпенсации (рис. 22). ВАХ стабистора мало отличается от ВАХ выпрямительных диодов. Однако для того чтобы обеспечить наибольшую крутизну прямой ветви ВАХ, стабисторы изготавливаются из высоколегированных полупроводников. Это обеспечивает малое rб и малое значение Rдиф. Слабая зависимость UПР от IПР на Рис. 23 рабочем участке (рис. 23) позволяет использовать стабисторы для стабилизации малых напряжений порядка 0,7В. Последовательным включением стабисторов можно подобрать требуемое напряжение стабилизации. studfiles.net Существует такой тип диода как стабилитрон или, как его ещё называют, диод Зенера. В стабилитроне используется тот же самый p-n переход, но работает диод Зенера совсем иначе! При создании различных электронных устройств бывает нужно получить стабильное напряжение для питания какой-либо части этого устройства, так как некоторые схемы, особенно на транзисторах, достаточно чувствительны к колебаниям напряжения питания, которое неизбежно по чисто физическим и техническим причинам. Один из способов получения такого стабилизированного напряжения -- использование стабилитрона. В зависимости от модели стабилитрона можно поддерживать стабильным напряжение вплоть до 400В. Очень хорошо. Но в радиолюбительской практике высоковольтные стабилитроны редкость и чаще встречаются на 3.3В, 5В, 12В и т.д. Конструкция стабилитрона такая же как у диода: p-n переход, два вывода, изолирующая или проводящая (встречается у некоторых советских стабилитронов) оболочка. Но в схеме они используются совсем иначе! Во-первых, стабилитрон подключается минусом к плюсу, а плюсом к минусу. А ты уже знаешь, что при таком подключени диоды ток не проводят. Или проводят? Давай разберёмся. Сложно предположить, что еще 70-100 лет назад редкая квартира в городах имела собственную ванную комнату со привычной нам белой чугунной ванной. Если ты сейчас пойдёшь в свою ванную комнату и посмотришь на ванну, то увидишь в ней два отверстия. Одно сливное, расположено на дне ванны, а второе, поменьше, возле края верхнего борта ванны. Зачем нужно второе отверстие? Чтобы не затопить соседей! С его помощью ограничивается уровень воды, до которого можно набрать воду в ванну. Как только уровень воды в достигнет защитного отверстия, то лишняя вода будет через это отверстие уходить в канализацию. Так вот стабилитрон работает аналогично. Как только падение напряжения на нём превысит заданное на заводе значение (3.3В, 5В, 12В и т.д.), стабилитрон отведёт через себя лишний ток, удерживая выходное напряжение на заданном уровне, например, 3.3В Стабилитрон - это защита от перелива Возьмём резистор, стабилитрон и соединим их так, как показано на схеме ниже. Стабилитрон включен катодом (минусом) к резистору, а анодом (плюсом) к минусу. Т.е. включен в обратном направлении. В таком положении через стабилитрон протекает ток Iобр - маленький, незначительный ток. Можно считать, что тока практически нет. Если теперь подать Uвх, то на резисторе Rн будет приблизительно паспортное значение напряжения стабилизации стабилитрона Uст равное 3В, 3.3В, 5В, 12В и т.д. Приблизительное, так как номинал значения любой радиодетали имеет погрешность. Что поделать. Такова жизнь. Кстати, должно выполняться условие Uвх > Uст. Чтобы стбилизация была надежней следует иметь некоторый запас прочности по напряжению. Если внимательно рассмотреть цепь R1-V1, то можно увидеть хорошо тебе знакомый делитель напряжения. Разница между делителем напряжения из резисторов и делителем напряжения с использованием стабилитрона заключается в том, что если Uвх вдруг слегка увеличится, то и выходное напряжение резистивного делителя напряжения слегка увеличится. И наоборот. А вот если вместо резистора в делителе напряжения используется стабилитрон, как на схеме выше, тогда таких изменений Uвых не будет. Конечно при условии, что Uвх ± небольшое изменение > Uвых. Достигается это благодаря все тому же эффекту "переливного отверстия", модель которого я использовал, чтобы описать принцип работы стабилитрона. При использовании стабилитронов следует помнить, что он не всемогущ, а является обычной полупроводниковой деталью. Это значит следует внимательно выбирать для своей схемы подходящий стабилитрон с учетом его характеристик. Для тебя наиболее важными параметрами стабилитрона являются: Максимальный ток стабилизации Если неправильно выбрать стабилитрон и ток, который будет через неко протекать во время работы схемы окажется больше, чем допустимое заводское значение, то он начнёт нагреваться и со временем перегрется и выйдет из строя. Поэтому следует выбирать стабилитрон так, чтобы его допустимый максимальный ток был значительно больше, чем ток, который будет через него протекать во время работы схемы. Напряжение стабилизации Стабилитроны выпускаются с жестко заданным напряжением стабилизации. Это его паспортное значение, заложенное при изготовлении на заводе. Поэтому, когда ты выбираешь стабилитрон, то первоначально смотришь на паспортное значение напряжения стабилизации, а затем уже на допустимые ток и мощность. Практически все радиодетали зависят от температуры окружающей среды. И стабилитрон тоже. Это означает, что паспортное напряжение стабилизации может измениться, если температура сильно возрастёт или упадёт. Вот пример, отечественный стабилитрон Д814 напряжение стабилизации при Iст = 5 мА: Как видно из таблицы при изменениии температуры меняется и напряжение стабилизации. Незначительно, но все же меняется. Хотел бы я посмотреть на любительский прибор, который должен работать при -60... Но знать о том, что напряжение стабилизации зависит от температуры все же надо. Прочитал про стабилитрон, прочитай ещё и про: mp16.ru Стабилитрон — это диод с рп-переходом, который характеризуется точно определенной величиной напряжения пробоя. В отличие от обычного диода стабилитрон работает в области обратной вольтамперной характеристики (рис. 27.1). В прямом направлении стабилитрон ведет себя как обычный диод. При обратном смещении перехода ток через стабилитрон практически отсутствует, пока величина обратного напряжения остается меньше величины напряжения туннельного пробоя VZ, обычно называемого напряжением стабилизации. Как только обратное напряжение достигает величины напряжения туннельного пробоя, стабилитрон начинает проводить ток. В области пробоя падение напряжения на стабилитроне практически не изменяется при очень больших изменениях тока. Стабилитрон является полупроводниковым эквивалентом хорошо известного газотрона. Стабилитроны применяются для параллельной стабилизации и в качестве источников опорного напряжения (см. гл. 29). Рис. 27.1. Прямая и обратная вольтамперные характеристики стабилитрона. Переключательный диод Переключательный диод, или динистор, состоит из четырех чередующих из слоев полупроводниковых материалов, как показано на рис. 27.2. Когда такой диод смещен в прямом направлении, через него течет очень малый ток, пока не достигается область пробоя (рис. 27.3). При напряжениях, меньших напряжения пробоя, динистор можно рассматривать, как ключ в положении ВЫКЛЮЧЕНО, а при напряжениях, больших напряжения пробоя, — как ключ в положении ВКЛЮЧЕНО. Рис. 27.2. Переключательный диод, Рис. 27.3. Вольтамперная характеристика переключательного диода. Однооперационный триодный тиристор (SCR) Управляемый выпрямитель, или однооперационный триодный тиристор, — еще один прибор с четырехслойной рпрп-структурой. В отличие от переключательного диода тиристор имеет третий вывод, называемый управляющим электродом (рис. 27.4). Величину критического напряжения пробоя можно теперь варьировать, изменяя потенциал управляющего электрода. На рис. 27.5 показаны вольтамперные характеристики тиристора для двух различных значений тока в цепи управляющего электрода. При нулевом токе (когда потенциал управляющего электрода равен нулю) напряжение включения тиристора равно V1. Если теперь на управляющий электрод подать положительный по отношению к катоду потенциал, вызывающий протекание тока Ig1 в цепи управляющего электрода, то включение будет происходить при меньшем напряжении V2. После перевода тиристора в проводящее состояние потенциал управляющего электрода не оказывает уже никакого влияния на ток тиристора. Тиристор можно выключить только путем уменьшения потенциала анода ниже уровня потенциала катода. Рис. 27.4. Однооперационный триодный тиристор: условное обозначение и внешний вид прибора. Рис. 27.5. Вольтамперные характеристики тиристора. Триодные тиристоры находят широкое применение, поскольку они обладают высоким быстродействием и переключаются при подаче очень малого тока (т. е. очень малой мощности) в цепь управляющего электрода, коммутируя при этом токи порядка нескольких ампер. Они очень часто используются для выпрямления тока и управления мощностью. Тиристор включается только во время положительного (или отрицательного) полупериодов синусоидального тока, вырабатывая пульсирующий ток одного направления. Управление мощностью осуществляется путем переключения тиристора в проводящее состояние на больший или меньший промежуток времени (см. гл. 29). На рис. 27.6 показан тиристор, переключаемый последовательностью импульсов. Тиристор включается положительным фронтом каждого пульса и остается в проводящем состоянии, пока входное напряжение не упадет до нуля. Форма результирующего выходного напряжения повторяет часть положительного полупериода входного сигнала. Рис. 27.6. Импульсное управление триодным тиристором (SCR). На рис. 27.7 приведена схема переключения тиристора с помощью переменного резистора R1, управляющего моментом переключения. Переключение осуществляется самим входным сигналом. При установке минимального значения сопротивления резистора R1 переключение происходит в самом начале полупериода входного напряжения, как показано на рис. 27.7(а). По мере увеличения сопротивления переключение происходит все позже и позже, поскольку амплитуда сигнала, подаваемого на управляющий электрод, становится меньше. При максимальном сопротивлении резистора R1 тиристор переключается непосредственно перед моментом достижения входным напряжением пикового значения (рис.27.7(б)). Заметим, что в рассматриваемой схеме тиристор можно переключить в проводящее состояние только в первой половине положительного полупериода, то есть до момента появления пикового напряжения на управляющем электроде. Если максимум пройден, переключение тиристора станет невозможным и выходное напряжение будет равно нулю. Рис. 27.7. Тиристорный выпрямитель. Для переключения тиристора во второй половине положительного полупериода, т. е. после прохождения положительного максимума, используется фазосдвигающая цепь. В схеме на рис. 27.8 эту функцию выполняют конденсатор С и резистор R1. Напряжение, подаваемое на управляющий электрод, имеет временную задержку (сдвигается по фазе относительно входного напряжения), как показано на рис. 27.8(б). Как уже говорилось, тиристор может переключиться только до момента прихода положительного максимума сигнала на управляющий электрод. Но в результате фазового сдвига к тому моменту времени, когда этот положительный максимум попадет на управляющий электрод, положительный максимум входного напряжения будет уже пройден. Таким образом, с помощью фазосдвигающей цепи тиристор можно переключить в проводящее состояние и во второй половине положительного полупериода входного напряжения (рис. 27.8(в)). Рис. 27.8. Тиристорный выпрямитель с фазосдвигающей цепью R1C Обнаружено, что диод с обратносмещенным рп-переходом имеет небольшую емкость, которая изменяется при изменении обратного напряжения, прикладываемого к переходу. Этот факт используется в технологии интегральных схем для формирования конденсаторов внутри кремниевой пластины. Обратносмещенные диоды, применяемые как конденсаторы переменной емкости, называются варикапами или варакторами (рис. 27.9). Помимо многих других применений варикапы используются в системах автоматической подстройки частоты и в программируемых измерительных Приборах. Хорошо известный метод электронной настройки также связан с применением варикапов в качестве подстроенных конденсаторов. По сравнению с обычными конденсаторами переменной емкости варикапы имеют меньшие размеры, большую чувствительность и очень высокую стабильность и надежность. Рис. 27.9. Варикап. Рис. 27.10. Однопереходный транзистор р-типа. (а) Условное обозначение. (б) Вольтамперная характеристика. Однопереходный транзистор Однопереходный транзистор — это прибор с отрицательным сопротивлением (в определенных условиях уменьшение напряжения сопровождается увеличением тока). На рис. 27.10 показаны условное обозначение и вольт-амперная характеристика однопереходного транзистора р-типа. Как только напряжение на эмиттере достигнет величины, достаточной для прямого смещения рта-перехода между эмиттером и базой b1, от эмиттера начинает течь ток. При этом падение напряжения на переходе падает до малой величины (приблизительно 0,6 В). Такие однопереходные транзисторы часто используются в качестве генераторов (см. схему на рис. 33.8) и для целей коммутации. Симметричный диодный тиристор Симметричный диодный тиристор — это еще один переключательный прибор с двумя выводами T1 и T2, как показано на рис. 27.11. При увеличении разности потенциалов между этими выводами независимо от полярности происходит пробой — включение. Симметричный диодный тиристор может проводить в обоих направлениях, и поэтому его также называют двунаправленным диодом. Когда происходит включение, напряжениена этом приборе падает до нескольких вольт. Напряжение включения находится в диапазоне 30-50 В. Симметричные диодные тиристоры используются как переключающие элементы, например для управления однооперационными триодными тиристорами. Рис. 27.11. Симметричный диодный тиристор. (а) Условное обозначение. (б) Внешний вид. Рис. 27.12. Симметричный триодный тиристор. (а) Условное обозначение. (б) Внешний вид. Симметричный триодный тиристор Симметричный триодный тиристор, или симистор, (рис. 27.12) — еще один двунаправленный диод с дополнительным выводом управляющего электрода. Пробой происходит, когда напряжение между выводами T1 и T2 (любой полярности) достигает определенного уровня. Симистор можно переключить в проводящее состояние путем подачи на управляющий электрод сигнала, который может быть или положительным, или отрицательным по отношению к выводам T1или T2. Симисторы также используются как переключающие элементы, например, для управления однооперационными триодными тиристорами. Интегральные схемы Прогресс технологии привел к улучшению надежности электронных устройств, а также к снижению их стоимости и размеров. Микроэлектронные схемы представляют собой миниатюрный ансамбль большого числа электронных компонентов, как пассивных, так и активных. Существует два типа микросхем: пленочные схемы и монолитные интегральные схемы. Пленочные микросхемы подразделяются в свою очередь на тонкопленочные и толстопленочные схемы. Оба типа пленочных схем изготавливаются путем нанесения пленок специальной резистивной пасты на изолирующую подложку. Они применяются главным образом как резисторные схемы, но могут использоваться также для формирования малогабаритных конденсаторов и катушек индуктивности. Монолитные интегральные схемы, обычно называемые просто интегральными схемами (ИС), формируются в диске из кремния р-типа, или чипе. Кремниевый чип представляет собой очень тонкую пластину (толщиной 0.02 см) с площадью поверхности, эквивалентной площади поперечного сечения очень тонкого карандаша (приблизительно 26 мм2). Чип выполняет функцию подложки, в которой формируются различные электронные компоненты с помощью процесса, называемого диффузией. Интегральные схемы могут содержать большое число активных элементов: транзисторов, диодов и т. п., а также резисторов и конденсаторов. Технология ИС большой степени интеграции (больших ИС, или БИС) позволяет создать на одном чипе целую электронную систему, например дешифратор или микропроцессор. Хотя интегральные схемы являются твердотельными, т. е. механически прочными приборами, но как электронные схемы это весьма «деликатные» устройства, требующие аккуратного обращения. Ниже перечислены меры предосторожности, которые нужно соблюдать при замене ИС. 1. ИС следует держать за корпус, избегая прикасания к выводам. В противном случае на выводах могут появиться грязь и жир, что приводит к ухудшению электрического контакта. 2. При пайке ИС исключительное внимание должно уделяться отводу тепла, чтобы избежать перегрева микросхемы. Перегрев приводит к быстрому разрушению большинства ИС. 3. Напряжение питания должно соответствовать паспортному значению для данной микросхемы. Для питания большинства ИС нужен источник питания с высокой степенью стабильности выходного напряжения. Это особенно важно для цифровых применений. 4. Мощность рассеяния для большинства ИС, исключая интегральные усилители мощности, очень мала. Поэтому необходимо исключить любые перегрузки, так как они могут вызвать превышение паспортной мощности рассеяния, перегрев и повреждение ИС. 5. При проведении измерений необходимо соблюдать меры предосторожности, чтобы не вызвать короткого замыкания соседних выводов микросхемы. Следует использовать измерительные зонды специальной формы. 6. Если ИС МОП-типа не используется, все ее выводы должны бытьзакорочены между собой. Это следует делать независимо от того, лежит ли ИС на полке или упаковывается для транспортировки. В этом видео рассказывается о стабилитронах: Стабилитрон. Характеристики стабилитронов. Схемы включения стабилитронов
1.10.1. Схемы включения стабилитронов
1.10.2. Стабисторы
2.5б Принцип работы стабилитрона
1.10.1. Схемы включения стабилитронов
1.10.2. Стабисторы
Стабилитрон. Характеристики стабилитронов
Принцип работы стабилитрона
Пример использования стабилитрона
Характеристики стабилитрона
Что ещё важно знать
Маркировка
Напряжение стабилизации
При Т = +25°C
Д814А
7...8,5 В
Д814Б
8...9,5 В
Д814В
9...10,5 В
Д814Г
10...12 В
Д814Д
11,5...14 В
При Т = -60°C
Д814А
6...8,5 В
Д814Б
7...9,5 В
Д814В
8...10,5 В
Д814Г
9...12 В
Д814Д
10...14 В
Стабилитрон
Варикап
Добавить комментарий
radiolubitel.net
Схемы включения стабилитрона — Мегаобучалка
Простейшая схема применения стабилитрона представлена на рисунке 3.
Нагрузка включена параллельно стабилитрону, поэтому в режиме стабилиза-
ции, когда напряжение на стабилитроне почти постоянно, такое же напряже-
ние будет и на нагрузке. Все изменения напряжения источника при его неста-
бильности почти полностью поглощаются ограничительным резистором Rогр.
Иногда необходимо получить стабильное напряжение более низкое, чем
дает стабилитрон, тогда последовательно с нагрузкой включают добавоч-
ный резистор Rдоб (рисунок 4).
+
–
R
огр
VD1
R
н
+
–
R
огр
R
VD1
доб
Rн
Рисунок 3 – Простейшая схема
включения стабилитрона
Рисунок 4 – Схема понижения
стабильного напряжения на нагрузке
Для уменьшения температурного коэффициента последовательно со ста-
билитроном включают дополнительный диод (рисунок 5, а). При необходи-
мости обеспечить стабилизацию двухполярных напряжений стабилитроны
включают последовательно (рисунок 5, б), а прецизионные (с дополнитель-
ными компенсирующими диодами) – параллельно (рисунок 5, в). Кроме
того, промышленность выпускает так называемые симметричные (двух-
анодные) стабилитроны, которые обеспечивают стабилизацию и ограниче-
ние двухполярных напряжений (рисунок 5, г).
а)
VD1
VD2
б)
VD1
VD2
в)
VD1
VD2
г)
VD1
VD2
Рисунок 5 – Схемы включения стабилитронов
Последовательное и параллельное соединение
Для получения более высоких стабильных напряжений применяется по-
следовательное соединение стабилитронов, рассчитанных на одинаковые
токи (рисунок 6). Вследствие разброса характеристик и параметров у от-
дельных экземпляров стабилитронов данного типа их параллельное соеди-
нение с целью получения больших токов не рекомендуется. Оно допускает-
ся только при условии, что суммарная мощность, рассеиваемая на всех ста-
билитронах, не превышает предельной мощности одного стабилитрона.
Для повышения стабильности напряжения может применяться схема кас-
кадного соединения стабилитронов (рисунок 7), в которой стабилитрон VD1
должен иметь более высокое напряжение Uст,нежели стабилитрон VD2.
+
–
R
орг
VD1
VD2
R
н
+
–
Rорг1
Rорг2
VD1
VD2
Rн
Рисунок 6 – Последовательное
соединение стабилитронов
Рисунок 7 – Схема понижения
стабильного напряжения на нагрузке
Недостаток рассматриваемых схем стабилизации состоит в том, что по-
тери мощности в самом стабилитроне и на Rогр велики, особенно в схеме
каскадного соединения.
megaobuchalka.ru
Включение - стабилитрон - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Включение - стабилитрон
Cтраница 2
Схема включения стабилитрона представлена на рис. 36, где. RH, Re - балластное сопротивление, включенное последовательно со стабилитроном и ограничивающее его ток. Если балластное сопротивление RQ слишком мало, через стабилитрон идет чрезмерно большой ток и прибор выходит из строя. [16]
Схема включения стабилитрона изображена на рис. 8.9. Стабилитрон включается параллельно нагрузке RH, на которой необходимо поддерживать постоянное напряжение. [17]
Схема включения стабилитрона изображена на рис. 19, а. [18]
Благодаря включению стабилитрона в цепи базы напряжение, пропорциональное ошибке регулирования, оказывается приложенным между эмиттером и базой. [20]
Благодаря включению стабилитронов ДЗ, Д4 ток через первичную обмотку имеет постоянную составляющую, поэтому первичная обмотка выполняет также функции обмотки подмагничивания. Вторичная обмотка охватывает оба магнитопровода. Емкость СЗ является резонансной для частоты 50 гц. Напряжение с выхода магнитного усилителя подается на входной трансформатор Тр2 и далее на транзисторный усилитель. Последний идентичен усилителю в блоке И-1 П-62. На выходе этого усилителя демпфер отсутствует, поскольку пульсации на выходе термопар обычно имеют очень низкую частоту. [21]
При включении стабилитрона в цепь переменного тока он будет нормально работать в течение одного полупериода ( при плюсе на аноде) и не будет работать в течение отрицательного полупериода, так как при этом катодное падение потенциала будет во много раз больше, чем в положительный полупериод питающего тока. [23]
При включении стабилитрона в схему мостового выпрямителя обе полуволны ограничиваются по напряжению одинаково. Схема, приведенная справа, позволяет работать на больших мощностях. Диоды перехода коллектор-база транзисторов заменяют диоды D2 и D4 из схемы, представленной слева. [24]
Однако такое включение стабилитронов позволяет уменьшить колебания выходного напряжения только при изменении входного напряжения, но не при изменениях сопротивления нагрузки. Стабильность выходного напряжения при изменениях тока нагрузки остается такой же, как и в однокаскад-ных схемах. [25]
Таким образом, включение стабилитрона параллельно фотодиоду позволяет исключить влияние изменений темнового тока на опорный сигнал в широком диапазоне изменения окружающей температуры. Преимуществом такого способа по сравнению с другими схемами компенсации темнового тока является его простота и надежность. [26]
Значение ТКН при включении стабилитрона в обратном направлении изменяется в зависимости от величины приложенного к стабилитрону напряжения. [27]
При каких ( условиях включение стабилитрона эффекпивно влияет на работу блокинг-генератора. [28]
Необходимо помниттг, что полярность включения стабилитрона в цепь обратна полярности, которая указана на его корпусе. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5
www.ngpedia.ru
Поделиться с друзьями: