♦ Тиристор – полупроводниковый прибор на основе монокристалла полупроводника с многослойной структурой типа p –n –p – n обладает свойствами управляемого электрического вентиля. В качестве полупроводника обычно применяют кремний. Обычно тиристор имеет три вывода: два из них (катод и анод) контактируют с крайними областями монокристалла, а третий вывод – управляющий. Такой управляемый тиристор называется иногда триодным, или тринистором. Неуправляемый тиристор, имеющий всего два вывода (анод — катод), называется диодным тиристором или динистором. Четырехслойная структура тиристора изображена на рис 1. На рисунке 2 — его транзисторный аналог. ♦ Вольт-амперная характеристика, ВАХ динистора, имеет вид на рисунке 3. Устойчивое состояние (точка D на ВАХ) достигается в результате перехода транзисторов тиристора в режим насыщения. Падение напряжения на открытом динисторе — тиристоре составляет около 1,5 – 2,0 вольта. Если на анод подать положительное напряжение относительно катода, то крайние электронно-дырочные переходы П1 и П3 оказываются смещенными в прямом направлении, а центральный переход П2 в обратном. С увеличением анодного напряжения Uа, ток через динистор сначала растет медленно (участок А — В на ВАХ). Сопротивление перехода П2 , в этом режиме еще велико, это соответствует запертому состоянию динистора. При некотором значении напряжения (участок В — С на ВАХ). называемым напряжением переключения Uпер (напряжение лавинного пробоя перехода П2), динистор переходит в проводящее состояние. В цепи устанавливается ток (участок D – E на ВАХ), определяемый сопротивлением внешней цепи Rн и величиной приложенного напряжения U (рис 2).Напряжение пробоя динистора, в зависимости от экземпляра, изменяется в широких пределах и имеет значения порядка десятков и сотен вольт. На вольт – амперной характеристике, ВАХ (рис 3.), обозначены участки: - А – В участок в прямом включении, здесь динистор заперт и приложенное к его выводам напряжение меньше, чем необходимо для возникновения лавинного пробоя; - В – С участок пробоя коллекторного перехода; - C — D участок отрицательного сопротивления;— D — E участок открытого состояния динистора (динистор включен). Динистор имеет два устойчивых состояния:— заперт (А – В)— открыт (D — E) В участке A – D – E явно просматривается кривая ВАХ диода. ♦ Тиристор имеющий три электрода – анод, катод и управляющий электрод – называется тринистором или просто тиристором. Четырех слойная структура типа p – n – p – n является единой для тиристора – динистора. Просто, у динистора отсутствует дополнительный вывод управляющего электрода. При подаче тока в цепь управляющего электрода, тиристор переключается в открытое состояние при меньших значениях напряжения переключения Uпер. Если каким-то образом уменьшать ток, проходящий через динистор — тиристор, то при некотором его значении (точка D на ВАХ) тиристор закроется.Минимальный ток, при котором тиристор — динистор переходит из открытого в закрытое состояние (при токе управляющего электрода Iу =0) называется током удержания Iуд. Если через управляющий электрод тиристора пропустить отпирающий ток, то тиристор перейдёт в открытое состояние. Включение транзисторного аналога тиристора (рис 2) можно осуществить по двум входам: между электродами (Э1 –Б1), либо между электродами (Э2 – Б2). ♦ Вольтамперная характеристика тиристора (Рис 4), похожа на вольтамперную характеристику динистора. ♦ Тиристоры изготавливают на разные мощности: маломощные (ток 50 мА. – 100 мА), средней мощности (ток до 20 ампер) и большой мощности (токи 20 – 10000 ампер) и величины напряжения от нескольких вольт до 10 тысяч вольт. ♦ По назначению и принципу действия тиристоры делятся на: запираемые, быстродействующие, импульсные, симметричные и фототиристоры. Тиристор и динистор пропускают ток только в одном направлении – от анода к катоду. ♦ В настоящее время появились двунаправленные динисторы (пропускают ток в обоих направлениях) и двунаправленные тиристоры (симисторы). Симистор имеет в своем составе как бы два тиристора, включенных встречно, с управлением от одного управляющего электрода.ВАХ (вольт — амперная характеристика) симистора представлена на рис 5. Она имеет две одинаковые ветви. При положительном полупериоде сетевого напряжения действует правая ветвь, при отрицательном полупериоде – левая.На управляющий электрод, относительно катода, также подается соответственно то положительное, то отрицательное управляющее напряжение. В схемах управления, симистор может заменить два тиристора. ♦ Динисторы применяют в регуляторах и переключателях, чувствительных к изменениям напряжений. Наличие двух устойчивых состояний (включен — выключен), а также низкая мощность рассеяния тиристора, обусловили широкое использование их в различных устройствах. Тиристоры применяются в регулируемых источниках питания, генераторах мощных импульсов, в линиях передачи энергии постоянного тока, в системах автоматического управления и т.д. Внешний вид тиристора и его обозначение на схемах: Симисторы нашли широкое применение в устройствах регулирования скорости вращения электродвигателей, в системах регулирования освещения, в электронагревателях, в преобразовательных установках. Внешний вид симистора такой же как и у обычного тиристора. domasniyelektromaster.ru Тиристором (от греч. thyra - дверь и резистор), называется полупроводниковый прибор, содержащий триp-nперехода и четыре слоя с чередующимися типами проводимости. Тиристоры обладают односторонней проводимостью от анода к катоду. Различают диодные тиристоры (динисторы) и триодные (управляемые) тиристоры. Условные графические обозначения динистора и тиристора, а также внешний вид некоторых типов тиристоров представлен на рис. 14.1. динистор тиристор Рис. 14.1. Условное графическое обозначение и внешний вид динистора и тиристора Электрические характеристики тиристоров близки к характеристикам идеального ключа. Они могут находиться только в двух состояниях: - закрытом – сопротивление более 100 кОм; - открытом – сопротивление 0,01…0,1 Ом. Общим признаком, характерным для четырёхслойных полупроводниковых структур, является регенеративный процесс, происходящий при открывании (переходе из закрытого в открытое состояние). Регенеративный процесс возникает из-за внутренней положительной обратной связи. Рассмотрим работу неуправляемого диодного тиристора – динистора. Структура динистора представлена на рис. 14.2. Для удобства анализа работы такой p-n-p-nструктуры заменим её эквивалентной схемой из двух транзисторов с разным типом проводимостиp-n-pиn-p-n. Эквивалентная схема представлена на рис. 14.3. Из эквивалентной схемы замещения динистора видно, что переход П1 – это переход эмиттер-база транзистора p-n-p, переход П3 – это переход эмиттер-база транзистораn-p-n, а переход П2 – их общий переход коллектор-база. Рис. 14.2. Структура динистора а) б) Рис. 14.3. Эквивалентная схема замещения динистора: а – с послойным представлением переходов; б – на транзисторах p-n-pиn-p-n При приложении к динистору напряжения в полярности, указанной на рис. 14.2 (+ к аноду, к катоду), переходы П1 и П3 открыты, а П2 закрыт. Через динистор проходят два встречных потока зарядов: - дырки из слоя p1черезn2вp3; - электроны из слоя n4черезp3вn2. В базах n2иp3эти носители зарядов частично рекомбинируют, и в переход П2 входит лишь часть этих потоков, определяемая коэффициентами передачи токов1и2. Также через переход П2 проходит ток не основных носителей зарядов, представляющий собой обратный ток закрытого переходаIК.ОБР. Тогда суммарный ток через переход П2 составит . (14.1) Но по первому закону Кирхгофа ток в неразветвлённой цепи одинаков на любом её участке, следовательно , (14.2) где I– ток во внешней цепи. Так как ,, тогда из выражений (14.1) и (14.2) можно записать, причём2>1. Регенеративный процесс (из-за внутренней положительной обратной связи) учитывается коэффициентом лавинного умножения М. С учётом этого коэффициента получим . (14.3) Следовательно, ток закрытого динистора определяется обратным током перехода П2. В лекции 1 было отмечено, что с ростом обратного напряжения возрастает обратный ток закрытого p-nперехода, а в лекции 9 – что этот ток возрастает и с ростом температуры. На рис. 6.3 была показана зависимость коэффициента передачи тока эмиттера транзистора от величины тока эмиттера. Из рисунка следует, что для малых значений тока 1. Но с увеличением токабыстро увеличивается. Если увеличивать напряжение во внешней цепи динистора, начнёт увеличиваться обратный ток перехода П2. Увеличение этого тока вызовет рост коэффициентов передачи 1и2транзисторов. Когда напряжение во внешней цепи достигнет значения, при которомM(1+2) = 1 (напряжение включенияUвкл), ток, в соответствии с выражением (14.3), резко возрастёт, наступит насыщение общего коллекторного перехода П2, и динистор откроется. Это явление иллюстрирует вольтамперная характеристика динистора, представленная на рис. 14.4. Рис. 14.4. Вольтамперная характеристика динистора На вольтамперной характеристике можно выделить три участка: 1 – участок закрытого состояния, когда рост напряжения во внешней цепи вызывает постепенное увеличение обратного тока перехода П2; 2 – участок отрицательного сопротивления, когда начинается регенеративный процесс, и напряжение на динисторе резко уменьшается; 3 – участок открытого состояния, аналогичный прямой ветви вольтамперной характеристике полупроводникового диода. При приложении к динистору обратного напряжения переходы П1 и П3 закрыты, и динистор остаётся закрытым до напряжения лавинного пробоя (напряжения Зенера Uобр.макс), которое примерно равно напряжению включения. Если превысить величину напряжения Зенера, то переходы П1 и П3 будут пробиты, и динистор выйдет из строя. С ростом температуры напряжение включение будет уменьшаться, так как при нагреве возрастает обратный ток перехода П2, и регенеративный процесс включения начинается при меньшем напряжении. Время переключения в открытое состояние составляет единицы микросекунд, так как регенеративный процесс нарастает очень быстро. Открывание динистора – процесс обратимый. Чтобы регенеративный процесс в переходе П2 не прекращался, через динистор должен проходить ток, поддерживающий этот процесс. Минимальная величина прямого тока, при котором существует регенеративный процесс, называется током удержания. Для закрывания динистора нужно просто уменьшить ток через него до величины, меньшей тока удержания. Однако время выключения будет примерно в 10 раз больше, чем время включения, так как требуется рассасывание зарядов, насыщавших переход П2. Существенным недостатком динисторов является невозможность перевода их в открытое состояние при напряжениях во внешней цепи, меньше чем напряжение включения. Этот недостаток устранён в тиристоре. Рассмотрим работу управляемого четырёхслойного полупроводникового прибора – тиристора. Структура тиристора представлена на рис. 14.5. Рис. 14.5. Структура тиристора Тиристор отличается от динистора наличием управляющего электрода УЭ, который подключён к слою р3, и на который подаётся положительное относительно катода напряжениеUупр. Для тиристоров специально выбирают режим внешней цепи ЕА<Uвкл, чтобы тиристор был надёжно закрыт. Для перевода тиристора в открытое состояние подают импульс управляющего напряжения. Из-за этого увеличивается ток перехода П3, увеличивается коэффициент передачи тока2, и, если увеличение2будет достаточным для условияM(1+2) = 1, возникает регенеративный процесс и тиристор открывается. После открывания тиристора управляющий электрод теряет свои управляющие свойства, поэтому закрыть не запираемый тиристор сигналом управляющего электрода нельзя. Закроется тиристор лишь тогда, когда ток во внешней цепи станет меньше тока удержания. Рассмотрим влияние величины тока управления на напряжение открывания тиристора по вольтамперной характеристике, представленной на рис. 14.6. Рис. 14.6. Вольтамперная характеристика тиристора Если ток управления небольшой (IУПР1), то напряжение включение незначительно уменьшается относительноUВКЛдинисторного режима. С ростом величины тока управления (IУПР2>IУПР1) напряжение включения уменьшается. Если ток управления будет достаточно большим, то тиристор будет открываться при минимальном напряжении на аноде. Участок отрицательного сопротивления на вольтамперной характеристике исчезнет, то есть соединятся участки 1 и 3 (рис. 14.4). Такой управляющий ток называется током управления спрямления (IУПР.СПР). studfiles.net Для коммутации в электрических схемах используются ключи различного типа: Огромным преимуществом контакторов является то, что цепи нагрузки и управления электрически изолированы. Недостатков тоже немало: Там, где применение контакторов невозможно или нецелесообразно, применяют электронные ключи. В настоящее время применяются следующие типы: Рассмотрим подробно каждый из типов: Если ток базы отсутствует, ток коллектора равен нулю. Транзистор находится в состоянии отсечки. Это соответствует разомкнутому состоянию. Если в базу подать ток достаточной величины, транзистор войдет в насыщение, и напряжение на коллекторе будет близко к нулю, независимо от тока коллектора. Это соответствует замкнутому состоянию. До появления полевых транзисторов ключи на биполярных транзисторах были основой всей полупроводниковой схемотехники. В полевых транзисторах между выводами стока и истока существует проводящий канал n или р типа. К этому каналу через диэлектрический слой окисла подключен управляющий электрод — затвор. Меняя напряжение на затворе, можно воздействовать на ширину проводящего канала и тем самым менять его проводимость. Управляя затвором, можно переводить ключ в открытое и закрытое состояние. Ключи на полевых транзисторах превосходят ключи на биполярных по быстродействию, поскольку биполярные транзисторы медленно выходят из режима насыщения. Сегодня все компьютеры, смартфоны и прочие гаджеты собраны на комплиментарных (то есть разнополярных) МОП транзисторах. В быстродействующей силовой электронике также применяются мощные полевые транзисторы. Если добавить к структуре биполярного транзистора еще один p-n переход, можно получить прибор с очень интересными свойствами — управляемый диод, или тиристор. Тиристор — это полупроводниковый прибор со структурой p-n-p-n или n-p-n-p. Он имеет три или реже четыре вывода. Вывод, подключенный к внешнему слою p, называется анод, к внешнему слою n — катод. Управляющий электрод, называемый базой, подключается к одному из внутренних слоев, обычно к тому, который примыкает к катоду. Тиристор может иметь и две базы, но это не принципиально. Эта структура эквивалентна соединению двух, транзисторов с разным типом проводимости, показанному на рисунке. Это два транзисторных ключа, включенных навстречу друг другу. База каждого из транзисторов подключена к коллектору другого. Эта схема напоминает триггер — элемент с памятью. Если подать в базу отпирающий ток, то тиристор откроется, но из-за эффекта памяти останется в этом состоянии до тех пор, пока ток через него не снизится практически до нуля. У тиристора очень необычная вольт-амперная характеристика. Она имеет S — образную форму. Характеристика показывает зависимость тока через тиристор от напряжения между анодом и катодом при различных значениях тока базы IG. Напряжение Vbo соответствует напряжению включения тиристора. Vbr соответствует напряжению пробоя. При достаточно большом токе базы тиристор ведет себя как диод. Иногда тиристор называют управляемым диодом, что соответствует его графическому обозначению на схемах. Тиристор проводит ток в одном направлении. Симистор — это прибор, структура которого соответствует двум тиристорам с разной проводимостью, соединенных встречно-параллельно. Это ясно видно из их условного графического обозначения. Обозначение симистора. Вольт-амперная характеристика, в отличие от тиристора, симметрична. Симистор проводит ток в обоих направлениях, в отличие от тиристора. В остальном его поведение аналогично. Как и тиристор, симистор является электронным ключом, управляемым током, так же, как и транзисторный ключ, но в отличие от транзисторного ключа, симисторный (и тиристорный) остается в открытом состоянии и после снятия управляющего сигнала, пока ток через него превышает некоторое минимальное значение, называемое током удержания. Если не использовать управляющий вход симистора, он превращается в динистор. Характеристика динистора соответствует характеристике симистора при Ig = 0. Динистор ведет себя, подобно разряднику. Если напряжение на выводах разрядника превышает напряжение пробоя, он начинает пропускать ток, и остается в открытом состоянии, пока ток не станет ниже порога удержания, или полярность напряжения не сменится на обратную. Динисторы часто используются для управления симисторными ключами. Графическое условное обозначение динистора на электрических схемах может быть различным. В результате на нагрузку передается обрезанная синусоида тока. Меняя длительность открытого состояния ключа, можно управлять величиной мощности и действующим значением напряжения на нагрузке. Такие схемы используются в регуляторах яркости ламп накаливания — диммерах, регуляторах мощности нагревательных приборов, схемах плавного пуска электродвигателей. Когда напряжение на емкости достигнет величины напряжения открытия динистора, через открытый динистор на управляющий вход симистора подается отпирающий ток, симистор открывается и остается в открытом состоянии до конца полупериода. Емкость тем временем разряжается через открытый динистор и базу симистора. Напряжение на емкости падает, и динистор закрывается. На втором полупериоде все повторяется. Меняя сопротивление R1, можно изменять скорость заряда емкости и, соответственно, момент срабатывания динистора и открытия ключа. Тока мультиметра в режиме прозвонки или измерения сопротивления, скорее всего, недостаточно ни для тока управления, ни для тока удержания. Тестером можно лишь проверить пробой p-n переходов. Исправный переход работает как диод и показывает высокое сопротивление в одном направлении и низкое — в другом. Для полноценной проверки симистора надо собрать хотя бы простейшую испытательную схему. Хотя бы на батарейках и лампочках. Если вы внимательно прочли данную статью, информации будет достаточно для подключения симистора по такой схеме для проверки его работоспособности. instrument.guru Существенный недостаток тиристоров заключается в том, что это однополупериодные элементы, соответственно, в цепях переменного тока они работают с половинной мощностью. Избавиться от этого недостатка можно используя схему встречно-параллельного включения двух однотипных устройств или установив симистор. Давайте разберемся, что представляет собой этот полупроводниковый элемент, принцип его функционирования, особенности, а также сферу применения и способы проверки. Это один из видов тиристоров, отличающийся от базового типа большим числом p-n переходов, и как следствие этого, принципом работы (он будет описан ниже). Характерно, что в элементной базе некоторых стран данный тип считается самостоятельным полупроводниковым устройством. Эта незначительная путаница возникла вследствие регистрации двух патентов, на одно и то же изобретение. Основное отличие этих элементов от тиристоров заключается в двунаправленной проводимости электротока. По сути это два тринистора с общим управлением, включенных встречно-параллельно (см. А на рис. 1) . Это и дало название полупроводниковому прибору, как производную от словосочетания «симметричные тиристоры» и отразилось на его УГО. Обратим внимание на обозначения выводов, поскольку ток может проводиться в оба направления, обозначение силовых выводов как Анод и Катод не имеет смысла, потому их принято обозначать, как «Т1» и «Т2» (возможны варианты ТЕ1 и ТЕ2 или А1 и А2). Управляющий электрод, как правило, обозначается «G» (от английского gate). Теперь рассмотрим структуру полупроводника (см. рис. 2.) Как видно из схемы, в устройстве имеется пять переходов, что позволяет организовать две структуры: р1-n2-p2-n3 и р2-n2-p1-n1, которые, по сути, являются двумя встречными тринисторами, подключенными параллельно. Когда на силовом выводе Т1 образуется отрицательная полярность, начинается проявление тринисторного эффекта в р2-n2-p1-n1, а при ее смене – р1-n2-p2-n3. Заканчивая раздел о принципе работы приведем ВАХ и основные характеристики прибора. Обозначение: Чтобы иметь полное представление о симметричных тринисторах, необходимо рассказать про их сильные и слабые стороны. К первым можно отнести следующие факторы: В число недостатков приборов входят следующие особенности: По последним двум пунктам необходимо дать небольшое пояснение. В случае высокой скорости коммутации велика вероятность самопроизвольной активации устройства. Помеха в виде броска напряжения также может привести к этому результату. В качестве защиты от помех рекомендуется шунтировать прибор RC цепью. Помимо этого рекомендуется минимизировать длину проводов ведущих к управляемому выводу, или в качестве альтернативы использовать экранированные проводники. Также практикуется установка шунтирующего резистора между выводом T1 (TE1 или A1) и управляющим электродом. Этот тип полупроводниковых элементов первоначально предназначался для применения в производственной сфере, например, для управления электродвигателями станков или других устройств, где требуется плавная регулировка тока. Впоследствии, когда техническая база позволила существенно уменьшить размеры полупроводников, сфера применения симметричных тринисторов существенно расширилась. Сегодня эти устройства используются не только в промышленном оборудовании, а и во многих бытовых приборах, например: И это далеко не полный перечень. Одно время были популярны простые электронные устройства, позволяющие плавно регулировать уровень освещения. К сожалению, диммеры на симметричных тринисторах не могут управлять энергосберегающими и светодиодными лампами, поэтому эти приборы сейчас не актуальны. В сети можно найти несколько способ, где описан процесс проверки при помощи мультиметра, те, кто описывал их, судя по всему, сами не пробовали ни один из вариантов. Чтобы не вводить в заблуждение, следует сразу заметить, что выполнить тестирование мультиметром не удастся, поскольку не хватит тока для открытия симметричного тринистора. Поэтому, у нас остается два варианта: Алгоритм проверки омметром: Если в ходе проверки результат будет таким же, как описано в алгоритме, то с большой вероятностью можно констатировать, что устройство работоспособное. Заметим, что проверяемую деталь не обязательно демонтировать, достаточно только отключить управляющий вывод (естественно, обесточив предварительно оборудование, где установлена деталь, вызывающая сомнение). Необходимо заметить, что данным способом не всегда удается достоверно проверку, за исключением тестирования на «пробой», поэтому перейдем ко второму варианту и предложим две схемы для тестирования симметричных тринисторов. Схему с лампочкой и батарейкой мы приводить не будем в виду того, что таких схем достаточно в сети, если вам интересен этот вариант, можете посмотреть его в публикации о тестировании тринисторов. Приведем пример более действенного устройства. Обозначения: Можно использовать любой трансформатор с двумя независимыми вторичными обмотками на 12 Вольт. Алгоритм проверки: Теперь рассмотрим еще одну схему, только универсальную, но также не особо сложную. Обозначения: В качестве источника питания используется батарейка на 9V, по типу Кроны. Тестирование тринисторов производится следующим образом: Если результат будет соответствовать вышеописанному, значит с тестируемым элементом все в порядке. Теперь рассмотрим, как проверить с помощью собранной схемы симметричные тринисторы: То есть, при нажатии кнопок S1 или S2 будут загораться светодиоды VD1 или VD4, в зависимости от установленной полярности (положения переключателя S3). В завершении приведем простую схему, позволяющую управлять мощностью паяльника. Обозначения: Приведенная схема настолько простая, что не требует настройки. Теперь рассмотрим более изящный вариант управления мощностью паяльника. Обозначения: Настройка схемы сводится к подбору следующих сопротивлений: www.asutpp.ru Для начала узнаем, как обозначается динистор на принципиальных схемах. Условное графическое обозначение динистора похоже на изображение диода за одним исключением. У динистора есть ещё одна перпендикулярная черта, которая, судя по всему, символизирует базовую область, которая и придаёт динистору его свойства. Условное графическое обозначение динистора на схемах Также стоит отметить тот факт, что изображение динистора на схеме может быть и другим. Так, например, изображение симметричного динистора на схеме может быть таким, как показано на рисунке. Возможное обозначение симметричного динистора на схеме Как видим, пока ещё нет какого-либо чёткого стандарта в обозначении динистора на схеме. Скорее всего, связано это с тем, что существует огромный класс приборов под названием тиристоры. К тиристорам относится динистор, тринистор (triac), симистор, симметричный динистор. На схемах все они изображаются похожим образом в виде комбинации двух диодов и дополнительных линий, обозначающих либо третий вывод (тринистор) либо базовую область (динистор). В зарубежных технических описаниях и на схемах, динистор может иметь названия trigger diode, diac (симметричный динистор). Обозначается на принципиальных схемах буквами VD, VS, V и D. Во-первых, стоит отметить, что у динистора три (!) p-n перехода. Напомним, что у полупроводникового диода p-n переход всего один. Наличие у динистора трёх p-n переходов придаёт динистору ряд особенных свойств. Суть работы динистора заключается в том, что при прямом включении он не пропускает ток до тех пор, пока напряжение на его выводах не достигнет определённого значения. Значение этого напряжения имеет определённую величину и не может быть изменено. Это связано с тем, что динистор является неуправляемым тиристором – у него нет третьего, управляющего, вывода. Известно, что и обычный полупроводниковый диод также имеет напряжение открытия, но оно составляет несколько сотен милливольт (500 милливольт у кремниевых и 150 у германиевых). При прямом включении полупроводникового диода он открывается при приложении к его выводам даже небольшого напряжения. Чтобы подробно и наглядно разобраться в принципе работы динистора обратимся к его вольт-амперной характеристике (ВАХ). Вольт-амперная характеристика хороша тем, что позволяет наглядно увидеть то, как работает полупроводниковый прибор. На рисунке ниже вольт-амперная характеристика (англ. Current-voltage characteristics) импортного динистора DB3. Отметим, что данный динистор является симметричным и его можно впаивать в схему без соблюдения цоколёвки. Работать он будет в любом случае, вот только напряжение включения (пробоя) может чуть отличаться (до 3 вольт). Вольт-амперная характеристика симметричного динистора На ВАХ динистора DB3 наглядно видно, что он симметричный. Обе ветви характеристики, верхняя и нижняя, одинаковы. Это свидетельствует о том, что работа динистора DB3 не зависит от полярности приложенного напряжения. График имеет три области, каждая из которых показывает режим работы динистора при определённых условиях. Красный участок на графике показывает закрытое состояние динистора. Ток через него не течёт. При этом напряжение, приложенное к электродам динистора, меньше напряжения включения VBO – Breakover voltage. Синий участок показывает момент открытия динистора после того, как напряжение на его выводах достигло напряжения включения (VBO или Uвкл.). При этом динистор начинает открываться и через него начинает протекать ток. Далее процесс стабилизируется и динистор переходит в следующее состояние. Зелёный участок показывает открытое состояние динистора. При этом ток, который протекает через динистор ограничен только максимальным током Imax, который указывается в описании на конкретный тип динистора. Падение напряжения на открытом динисторе невелико и колеблется в районе 1 – 2 вольт. Получается, что динистор в своей работе похож на обычный полупроводниковый диод за одним исключением. Если пробивное напряжение или по-другому напряжение открытия для обычного диода составляет значение менее вольта (150 – 500 мВ), то для того, чтобы открыть динистор необходимо подать на его выводы напряжение включения, которое исчисляется десятками вольт. Так для импортного динистора DB3 типовое напряжение включения (VBO) составляет 32 вольта. Чтобы полностью закрыть динистор, необходимо уменьшить ток через него до значения меньше тока удержания. При этом динистор выключиться – перейдёт в закрытое состояние. Если динистор несимметричный, то при обратном включении (“+” к катоду, а “-” к аноду) он ведёт себя как диод и не пропускает ток до тех пор, пока обратное напряжение не достигнет критического для данного типа динистора и он сгорит. Для симметричных, как уже говорилось, полярность включения в схему не имеет значения. Он в любом случае будет работать. В радиолюбительских конструкциях динистор может применяться в стробоскопах, переключателях мощной нагрузки, регуляторах мощности и многих других полезных приборах. Практическое задание Вариант 26 Задача №2 Электрическая цепь переменного синусоидального тока с частотой f=50Гц, находящаяся под действием напряжения, содержит активные, реактивные интуктивные и реактивные емкостные сопротивления. По данным таблицы 4.2 с учетом положения выключателей В1-В7 определить токи всех ветвей, напряжения на участках цепи, коэффициент мощности электрической цепи, комплексные Y, активные G и реактивные проводимости В отдельных участков и всей электрической цепи. Проверить соблюдение баланса полных S, активных Р и реактивных Q мощностей. Дано: Решение: выражаем сопротивления ветвей цепи в комплексной форме: U=120В Z=R±jX=Z*; f=50Гц Z1=12+j16=14.14e -j45 R1=10 Oм Z2=12+j16=20e+j53 R2=24 Oм Z2=25±j0=25e+j0 R3=15 Oм Z=Z1+(Z2* Z3)/( Z2*Z3) L1=19.1 мГ Полное комплексное сопротивление цепи: С2=455 мкФ Z=14.14ej45+(20e+j53*25e+j0)/(37*j16)=10-j10+10.75+j6.25=20.75-j3.75=21.08j10 L3=63,5 мГ Определяем ток в неразветвленной части цепи : I1=U/Z=280ej0/21.08-j10=13.28e+j10 A U1=Z1*I1=14.14e-j45*13.28e+j10=187.77-j35=150.2-j107.7 U2=(Z2*Z3)/(Z2+Z3)*I1=12.5+j30*13.28e+j10=166+j40B=116.2+j99.6 I2=U2/Z2=166j+40/20e+j53=8.3e-j13=8.05-j1.82 A I3=U2/Z3=166j+40/25e+j0=6.64e+j40=5.04+j4.24 A S=U*I1*=P±je S=280*(13.01-j2.3)=3642.8+j644 BA P=3642BT-активная мощность Q=630 Вар – реактивная мощность Проверка балансом мощностей P=P1+ P2+ P3=R1*I12 R2*I22+ R3*I32=10*13.282+12*8.32+25*6.642=3693 Q=x1*I12+ x2*I22+ x3*I32=10*13.282-16*8.32=661 (3693/3693)-(3642/3693)=(1-0.98)*100=2% (661/661)-(644/661)=(1-0.97)*100=3% UR1=R1*I1=10*(13.01+j2.3)=130.1+j23=132.11ej9 Ux1=jx1*I1=-j10*(13.01+j2.3)=-j130.1+23=23-j130.1B UR2= R2*I2=12*(8.05-j1.82)=96.6-j21.84 Ux2=jx2*I2=j16*(8.05-j1.82)=29.12-j128.8 UR3=jx3*I3=25*(5.04+j4.24)=126+j10.6 Задача №3 В трехфазную сеть с симметричной системой линейных напряжений Uл включен потребитель, фазы которого имеют сопротивления. По данным таблицы 4.3, с учетом положения выключателей В4-В5 определить: схему соединения потребителей «треугольником», «звездой» без нейтрального или с нейтральным проводом; характер нагрузки (симметричный или несимметричный), фазные, линейные токи. Дано: Uл=660 B R1=8 Ом Xl2= 6 Ом Xc3= 12 Ом Решение: Из условия задачи видно, что схема соединена звездой, без нейтрального провода, не симметричная нагрузка Uф= Uл/√3=660/√3=380 В UА=380 В UВ=380e-j120=-190-j326.8 UC=380e-j120=-190+j326.8 Ya=1/R1=1/8 Ом Yб=1/Хl2=1/j6 Ом Yс=1/jХc=1/-j12Ом UnN= (UA*Ya+Uв*Yb+ UC*Yc)/ (UA+ UB+ Uc)=(1/8*380+1/j6*(-190-j326.8)-1/j12*(-190+j326.8))/(1/8+1/j6-1/j12) = ==== 268ej18 8= =-283.5-j37.2 Ua= Uл- UnN=380+283,5+j37.2=663.5+j37.2=664.5ej2 Ub=-190-j326.8-(-283.5-j37.2)=93.5-j289.6=304.3e-j72 Uс= UС- UnN=-190+j326.8+283.5+j37.5=93.5+j364.3=376.1ej75 Ia= Ua/Ra=663.5+j37.2/8=82.9+j4.65=83ej3 Ib= Ub/-jXl=50.7e-j162=-48.1-j15.2 Ic= Uc/jXc=31.3ej165 Sa=Ua* Ia*=(663.5+j37.2)*(82.9-j4.65)=54832-j0 Sb=Ub* Ib*=93.5-j289.6*50.7ej162=15428ej90=0+j15428 Sc=Uc* Ic*=31.3e-j165*376.1ej75=11771.9e-j90=0-j11771.9 S= Sa+ Sb+ Sc=54832+j15428-j11771.9=54832-j3711 P=P1+ P2+ P3=R1*I12+ R2*I22+ R3*I32=8*(6872.4+j770.9-21.6) = =54800+j6167.2=55145ej6 Q=Xl2*I22+ Xl3*I32=15422-11756=3666 Задача №4 Потребители электрической энергии питаются от трехфазного двух обмоточного понижающего трансформатора с номинальной мощностью Sн при номинальном первичном U1н и вторичном U2н линейных напряжениях с номинальной частотой f=50Гц.Технические данные трансформатора: потери мощности при холостом ходе Ро, ток холостого хода Iо%, потери мощности при коротком замыкании Рк, напряжение короткого замыкания Uк%. Способ соединения обмоток трансформатора «звезда». Дано: Тип ТС3-630/6-10 S1=630 кВ U1=6 кВ U2=0.23 кВ P0=2000 кВт Pk=7.3 кВт Uk=5.5 % I=1.5 % Решение: I1н== 60.62 A I1x=0.07*60.62=4.24 A cosφ1x=Px/√3*U1н* I1x=2000/√3*6000*4.24=0.0453 φ1x=87° Находим угол магнитных потерь δ=90°- φ1x=90°-87°=3° Определяем сопротивление обмоток а) короткое замыкание Zk=Ukф/Ikф=*/ I1н=3,14 Rk= Pk/3 I1н2=7300/1116=0,66 Xk=√(Zk2-Rk2)=3.06 Ом б) первичные обмотки R1= R2= Rk/2= 0.66/2=0.33 Ом Xd1= Xd2= Xk/2=3.06/2=1.53 в) вторичные обмотки n=U1н/ U2н=6*1000/0.23*1000=26 P2= P2/n2=0.33/26=4.8*10-4 Xd2= Xd2/n2=1.53/262=2.2*10-3 Z0= U1нф/I1xф=6000/√3*4,24=817 R0= P0/3*I1x2=2000/3*4,242=37 X0=√(Z02- R02)=√(8172-372)=816.2 ∆U2%=β(Uacosφ2+Uasinφ2) UA%=Uk*Rk/Zk=5.5*0.66/3.14=1.15 UP%=√((Uk%)2+(Ua%)2)=√(5.52-1.52)=5.4 β= I2/I2н=2I2н/ I2н=2 ∆U2%=2*(1.15*cos(-90°)+5.4*sin(-90°))=10.8 ∆U2%=2*(1.15*cos(-60°)+5.4*sin(-60°))=-8.14 ∆U2%=2*(1.15*cos(-30°)+5.4*sin(-30°))=-3.44 ∆U2%=2*(1.15*cos(0°)+5.4*sin(0°))=2.3 ∆U2%=2*(1.15*cos(30°)+5.4*sin(30°))=7.36 ∆U2%=2*(1.15*cos(60°)+5.4*sin(60°))=10.42 ∆U2%=2*(1.15*cos(90°)+5.4*sin(90°))=10.8 Задача №5 Трехфазный асинхронный электродвигатель с короткозамкнутым ротором единой серии АИР имеет номинальные данные, указанные в таблице 4.5. Номинальные: линейное напряжение питающей сети U1н, частота питающего тока f=50Гц, мощность на валу Р2н, синхронная частота вращения магнитного поля n1, скольжение ротора Sн, КПД, коэффициент мощности cos, кратности: Кi=I1n/I1н-пускового тока I1n к номинальному I1н, 𝛌n=Mn/Мн-пускового момента Mn к номинальному Мн, 𝛌min=Mmin/Мн-минимального момента Mmin к номинальному Мн, 𝛌к=Мк/Мн-критического момента Мк к номинальному Мн. Дано: U1н=380 В Р1н=0,55 кВт n1=1500 об/мин Sн=9.5% Ƞн=70,5% сosφ1н=0,7 Ki=In/Iн=5 𝛌п=Мп/Мн=2.3 𝛌k=Мк/Мн=2.2 𝛌min=Мmin/Мн=1.8 Решение: Определяем номинальный момент n2н=n1*(1-Sн)=1500*(1-9.5)=1357 об/мин Мн=9550*P2н/ n2н=3.82 нМ Находим пусковой Мn, критический Мк и минимальный Мminмомента Мn= 𝛌n*Mн=2.3*3.82=87нМ Мk= Мk* 𝛌k=2.2*3.82=8.4 нМ Рассчитываем номинальные и пусковые токи обмотки статора I1н=P2н/√3*U1н*cosφ1н* Ƞн=0,55*1000/√3*380*0.7*0.7=1.65 I1n=Ki*I1н=5*1.65=8.25A Определить частоту в роторе в момент пуска f2н и при темп. нагрева f2н f2=S*f1, f2n=1*f1=f1=50 Гц f2=Sн* f1=0,09*50=4,5 Гц Находим число пар полюсов обмоток статора n1=60f1/P, P=60f1 / n1 = 60*50/1500=2 Определяем угол частоты вращения магнитного поля ω1 и ротора ω2н ω1=2pi*f1/P=2*3.14*50/2=157 Рад/с ω2н=2pi* n2н/60=2*3.14*1357/60=142 Рад/с Находим активную мощность потребителя двигателя из цепи P1н= P2н/Ƞ=0,55/0,7=0,78 кВт Zk=U1н/√3*I1н=380/√3*8,25=26.6 Ом Rk=26.6*0.7=18.62 Sk= Sн*( k +√ (𝛌k-1))=0.09*(2.2+1.9)=0.369 M====8.4 M=16.8*(0.6/0.369+0.369/0.6)=7.5 M=16.8*(0.8/0.369+0.369/0.8)=6.4 M=16.8*(0.1/0.369+0.369/0.1)=5.6 Mн=16.8*(0.09/0.369+0.369/0.09)=3.8 Список литературы: http://model.exponenta.ru/electro/0060.htm; http://studopedia.org/1-17731.html; https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A2%D0%B8%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80; https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A1%D0%B8%D0%BC%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80; http://go-radio.ru/dinistor.html studfiles.net Тиристор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости. Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ). У всех тиристоров на вольтамперной характеристике присутствует участок отрицательного дифференциального сопротивления. Тиристоры в основном производят по технологии диффузии. Основные параметры тиристоров: Динистор Динистором, или, по-другому, диодным тиристором, называют переключательный компонент с двумя выводами, который переходит в открытое состояние при превышении определённого напряжения, которое прикладывают между его выводами. Динисторы содержат три электронно-дырочных перехода. Схематичное изображение структуры динистора дано на рисунке. Вывод от внешней зоны n2 называют катодом, а от зоны p1 – анодом. Зоны n1 и p2 носят название баз динистора. Переход между зонами p1, n1 и p2, n2 именуют эмиттерным, а между зонами n1 и p2 – коллекторным переходом. Динисторы применяют в регуляторах и переключателях, чувствительных к изменениям напряжений. обозначение на схемах симмитричный динистор Тринистор Тринистором, или, иначе, триодным тиристором, называют переключательный компонент с тремя электронно-дырочными переходами, и тремя выводами – анодом, катодом и управляющим электродом. Тринисторы обладают аналогичной динисторам структурой, а отличие состоит в наличии управляющего электрода – дополнительного вывода, подключённого к одной из баз. Если через управляющий электрод тринистора пропустить отпирающий ток, то тринистор перейдёт в открытое состояние. В зависимости от того, к какой именно из баз будет подсоединён управляющий электрод, можно организовать включение тринистора при приложении отпирающего напряжения между управляющим электродом и либо анодом, либо катодом. Вольтамперная характеристика тринистора похожа на вольтамперную характеристику динистора. Однако отпирание тринистора обычно происходит при существенно более низком прямом напряжении, чем необходимо динистору, и к открыванию тринисторной структуры приводит протекание тока через управляющий электрод. Чем больше ток управляющего электрода, тем при более низком прямом напряжении тринистор перейдёт в открытое состояние, что отражено на вольтамперной характеристике тринистора, изображённой на рисунке. Катодный управляющий элемент, анодный. Симмитричный тринистор. Тринисторы широко применяют в регуляторах мощности, контакторах, ключевых преобразователях и инверторах и пр. Некоторое ограничение на внедрение тринисторов накладывает их частичная управляемость. Симистор Симисторы, в отличие от обычных тиристоров, проводят ток анод-катод при протекании тока по управляющему электроду, как в прямом направлении, так и в обратном. В результате этого их вольтамперная характеристика симметрична, что отражено на рисунке. Таким образом, на вольтамперной характеристике каждого симистора присутствуют два участка отрицательного дифференциального сопротивления. Структура симистора содержит пять слоёв, что отражено на рисунке Симисторы нашли широкое применение в устройствах регулирования скорости вращения электродвигателей, в системах освещения, в электронагревателях, в преобразовательных установках. обозначение на схемах malishev.info rudatasheet.ruЛекция 14. Тиристоры, принцип работы, классификация и основные параметры. Тиристор обозначение на схеме
обозначение тиристора на схемах | Электрознайка. Домашний Электромастер.
Что такое динистор и тиристор?
Однако отпирание тиристора обычно происходит при существенно более низком напряжении, чем необходимо динистору. К раннему открыванию тиристора приводит протекание тока через управляющий электрод. Чем больше ток управляющего электрода от Iy1 до Iy4, тем при более низком напряжении Ua тринистор перейдёт в открытое состояние. Это отражено на вольтамперной характеристике тиристора.
Лекция 14. Тиристоры, принцип работы, классификация и основные параметры
14.1. Устройство и принцип работы тиристора
Устройство и принцип работы симистора, обозначение, схема включения
Симистор — полупроводниковый прибор, используемый в качестве электронного ключа в схемах коммутации цепей переменного тока. Каждый из типов электрических ключей имеет свои достоинства, недостатки и область применения. Простейшими механическими ключами являются выключатели и рубильники. Применяются там, где необходима ручная коммутация одной или нескольких групп контактов.Электромеханические ключи
К электромеханической группе относятся реле или контакторы. Замыканием и размыканием контактов управляет электромагнит. На катушку электромагнита подается управляющее напряжение, которое может быть как постоянным, так и переменным. Механические контакты реле могут коммутировать практически любые токи. Сопротивление контактной пары ничтожно, падение напряжения на контактах практически отсутствует. Нет потерь мощности при коммутации нагрузок, хотя есть потери на питание управляющей катушки.Электронные ключи
На транзисторах
Простейшим электронным ключом является биполярный транзистор. Как известно, биполярный транзистор имеет структуру n-p-n или р-n-p с двумя p-n переходами и тремя выводами: эмиттер, база и коллектор.
На тиристорах
Принцип работы симистора
Динисторы как разновидность симисторов
Принцип фазного регулирования мощности
Основное применение симисторов — регулирование мощности в цепях переменного тока. В таких регуляторах используется принцип фазного регулирования. Принцип состоит в том, что ключ отключает нагрузку на определенную долю полупериода синусоидального тока сети.Схема регуляторов мощности на симисторе
Простейшая схема симисторного регулятора приведена ниже. Емкость C1 заряжается через резисторы R1 и R2.
В интернете достаточно советов по тому, как проверить исправность симистора мультиметром. Мы же считаем, что нормально проверить симистор мультиметром невозможно.принцип работы, проверка и включение, схемы
Что такое симистор?
Описание принципа работы и устройства
Рис. 1. Схема на двух тиристорах, как эквивалент симистора, и его условно графическое обозначение
Рис. 2. Структурная схема симистора
ВАХ симистораОсобенности
Симистор с креплением под радиатор
RC-цепочка для защиты симистора от помехПрименение
Как проверить работоспособность симистора?
Схема простого тестера для симисторов
Схема для проверки тиристоров и симисторовСхема управления мощностью паяльника
Простой регулятор мощности для паяльника
Схема управления мощностью на базе фазового регулятораУсловное графическое обозначение динистора на схемах.
Чем отличается динистор от полупроводникового диода?
Принцип работы динистора.
54. Тиристоры (динисторы, тринисторы, симисторы) (устройство, параметры, обозначение, конструкции, применения).
Буквенные обозначения параметров тиристоров — DataSheet
Буквенное обозначение Параметр Отечественное Международное Uзс UD Постоянное напряжение в закрытом состоянии — наибольшее прямое напряжение, которое может быть приложено к прибору и при котором он находится в закрытом состоянии. Uзс, нп UDSM Импульсное неповторяющееся напряжение в закрытом состоянии Uзс, нп — наибольшее мгновенное значение любого неповторяющегося напряжения на аноде, не вызывающее его переключение из закрытого состояния в открытое. Uобр UR Постоянное обратное напряжение — наибольшее напряжение, которое может быть приложено к прибору в обратном направлении. Uпроб U(BR) Обратное напряжение пробоя — обратное напряжение прибора, при котором обратный ток достигает заданного значения. Uпрк U(BO) Напряжение переключения — прямое напряжение, соответствующее точке переключения (перегиба вольт-амперной характеристики). Uос UT Напряжение в открытом состоянии — падение напряжения на тиристоре в открытом состоянии. Uoc, и UTM Импульсное напряжение в открытом состоянии — наибольшее мгновенное значение напряжения в открытом состоянии, обусловленное импульсным током в открытом состоянии заданного значения. Uот, и — Импульсное отпирающее напряжение — наименьшая амплитуда импульса прямого напряжения, обеспечивающая переключение (динистора, тиристора) из закрытого состояния в открытое. Uy, от UGТ Постоянное отпирающее напряжение управления — напряжение между управляющим электродом и катодом тринистора, соответствующее отпирающему постоянному току управления. Uy, от, и UGTM Импульсное отпирающее напряжение управления — импульсное напряжение на управляющем электроде, соответствующее импульсному отпирающему току управления. Uу, нот UGD Неотпирающее постоянное напряжение управления — наибольшее постоянное напряжение на управляющем электроде, вызывающее переключение тринистора из закрытого состояния в открытое. Uзс,п UDRM Повторяющиеся импульсное напряжение в закрытом состоянии — наибольшее мгновенное значение напряжения в закрытом состоянии, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения. Uобр,п URRM Повторяющееся импульсное напряжение — наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения. Uy, з UGQ Запирающее постоянное напряжение управления — постоянное напряжение управления тиристора, соответствующее запирающему постоянному току управления. Uy, з, и UGQM Запирающее импульсное напряжение управления — импульсное напряжение управления тиристора, соответствующее запирающему току управления. Uy, нз UGH Незапирающее постоянное напряжение — наибольшее постоянное напряжение управления, не вызывающее выключение тиристора. Uпop UT(TO) Пороговое напряжение — значение напряжения тиристора, определяемое точкой пересечения линии прямолинейной аппроксимации характеристики открытого состояния с осью напряжения. Iзс ID Постоянный ток в закрытом состоянии — ток в закрытом состоянии при определенном прямом напряжении. Iос, ср ITAV Cредний ток в открытом состоянии — среднее за период значение тока в открытом состоянии. Iобр IR Постоянный обратный ток — обратный анодный ток при определенном значении обратного напряжения. Iпрк I(BO) Ток переключения — ток через тиристор в момент переключения (Uпрк и Iпрк указываются только для динисторов). Iос, п ITRM Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии — наибольшее мгновенное значение тока в открытом состоянии, включая все повторяющиеся переходные токи. Iос, удр ITSM Ударный ток в открытом состоянии — наибольший импульсный ток в открытом состоянии, протекание которого вызывает превышение допустимой температуры перехода, но воздействие которого за время срока службы тиристора предполагается с ограниченным числомповторений. Iос IT Постоянный ток в открытом состоянии — наибольшее значение тока в открытом состоянии. Iзс, п IDRM Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии — импульсный ток в закрытом состоянии, обусловленный повторяющимся импульсным напряжением в закрытом состоянии. Iобр, п IRRM Повторяющийся импульсный обратный ток — обратный ток, обусловленный повторяющимся импульсным обратным напряжением. Iу, от IGT Отпирающий постоянный ток управления — наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора (из закрытого состояния в открытое). Iу, от, и IGD Отпирающий ток управления — наименьший импульсный ток управления, необходимый для включения тиристора. Iу, з, и IGQM Запирающий импульсный ток управления — наибольший импульсный ток управления, не вызывающий включение тиристор. Iуд IH Ток удержания — наименьший прямой ток тиристора, необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии. Iвкл IL Ток включения тиристора — наименьший основной ток, необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии после окончания импульса тока управления после переключения тиристора из закрытого состояния в открытое. Iз ITQ Запираемый ток тиристора — наибольшее значение основного тока, при котором обеспечивается запирание тиристора по управляющему электроду. Pср PT(AV) Cредняя рассеиваемая мощность — сумма всех средних мощностей, рассеиваемых тиристором. ty, вкл, t3, вкл tt, tgt Время включения тиристора — интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим током. ty,пнp, tнp tr, tgr Время нарастания — интервал времени между моментом, когда основное напряжение понижается до заданного значения, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением. tвыкл tg Время выключения — наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора после внешнего переключения основных цепей понизится до нуля, и моментом, в который определенное основное напряжение проходит через нулевое значение без переключения тиристора. (dUзc/dt)кр (dUD/dt)crit Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии — наибольшее значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключение тиристора из закрытого состояния в открытое. (dUзс/dt)ком (dUD/dt)com Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения — наибольшее значение скорости нарастания основного напряжения, которое после нагрузки током в открытом состоянии или обратном проводящем состоянии в противоположном направлении невызывает переключение тиристора из закрытого состояния в открытое.
интернет-магазин светодиодного освещения
Пн - Вс с 10:30 до 20:00
Санкт-Петербург, просп. Энгельса, 138, корп. 1, тк ''Стройдвор''
Поделиться с друзьями: