Продолжаем рубрику проверки электрорадиоэлементов, и сегодня я представляю первую статью по проверке полевых транзисторов тестером или как сейчас принято говорить - мультиметром. Перед началом проверки полевых транзисторов рассмотрим, какие бывают виды полевых транзисторов. На рисунке 1 вы видите классификацию полевых транзисторов. Из этого рисунку видно, что полевые транзисторы подразделяются на транзисторы с управляющим p-n переходом и полевые транзисторы с изолированным затвором. В зарубежной литературе полевой транзистор с управляющим p-n переходом обозначается как JFET(junction gate field-effect transistor), а транзистор с изолированным затвором - MOSFET (Metall-Oxid-Semiconductor FET). Сегодня я вам расскажу, как проверить полевой транзистор с управляющим p-n переходом, а в следующем выпуске журнал перейдем к проверке MOSFET транзистора, так что не забываем подписываться на журнал. Форма подписки после статьи. Для начала кратко рассмотрим структуру транзистора и принцип его работы. Полевые транзисторы бывают n-канальные и p-канальные. В виду того, что широкое распространение получили n-канальные полевые транзисторы, на их примере и рассмотрим принцип работы полевого транзисторы с управляющим p-n переходом. Итак, транзистор состоит из n-полупроводника с внедренными в него высоколегированными n-областями с большой концентрацией носителей заряда – электронов. Сам полупроводник находится на подложке p-типа, которая соединена с еще одной p-областью. Вместе эти области называются затвором (gate). Таким образом, каждая высоколегированная n-область создает с p-подложкой свой p-n переход. Та часть n-полупроводника, которая находится между p-областями (затворами) называется каналом (в частности каналом n-типа). Если к высоколегированным n-областям подключить источник напряжение, то в канале создастся электрическое поле, под воздействием этого поля электроны из n-области, к которой подключен «минус» источника будут перемещаться в n-область, к которой подключен «плюс» источника напряжения. Таким образом, через канал потечет электрический ток. Величина этого тока будет напрямую зависеть от электропроводности канала, которая в свою очередь зависит от площади поперечного сечения канала. Нетрудно догадаться, что площадь поперечного сечения канала зависит от ширины p-n переходов. Та область, от которой движутся носители заряда, а в случае n-канала это электроны, называется истоком (source), а к которой движутся – стоком (drain). Если на затвор относительно истока подать отрицательное напряжение, то p-n переход, образованный между затвором и истоком будет смещаться в обратном направлении, при этом ширина запирающего слоя будет увеличиваться, тем самым сужая размеры канала и уменьшая электропроводность. Таким образом, изменяя напряжение между затвором и истоком, мы можем управлять током через канал полевого транзистора. На этом об устройстве полевого транзистора все, далее в подробности углубляться я не буду, так как этого будет достаточно, что бы понять, как проверить полевой транзистор с управляющим p-n переходом. Исходя из вышеизложенного можно составить эквивалентную схему полевого транзистора с управляющим p-n переходом, как мы делали при проверке биполярного транзистора. При составлении схемы будем руководствоваться следующими принципами: 1. В транзисторе имеются два p-n перехода, первый между затвором и истоком, второй между затвором и стоком. 2. Канал между истоком и стоком при отсутствии отрицательного запирающего напряжения на затворе не закрыт и электропроводен, то есть имеет определенное значение сопротивления. 3. Теперь p-n переходы обозначим диодами, а электропроводность канала резистором. Составляем эквивалентную схему полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Теперь зная эквивалентную схему полевого транзистора с управляющим p-n переходом можно построить алгоритм или схему проверки полевого транзистора. 1. Проверка сопротивления канала (на рис. R) Для проверки сопротивления канала с помощью мультиметра необходимо на приборе установить режим измерения сопротивления, предел измерения 2000 Ом. Измерить сопротивление между истоком и стоком транзистора при разной полярности подключения щупов мультиметра. Значения сопротивления канала при разной полярности подключения щупов должны быть примерно одинаковыми. 2. Проверка p-n перехода исток-затвор (на рис. VD1). Включаем мультиметр в режим проверки диодов. Красный (плюсовой ) щуп мультиметра подключаем на затвор (имеет p-проводимость), а черный на исток. Мультиметр должен показать падение напряжения на открытом p-n переходе, которое должно быть в пределах 600-700 мВ. Меняем полярность подключения щупов (красный на исток, черный на затвор), мультиметр, в случае исправности транзистора показывает бесконечность (на дисплее «1»), то есть переход включен в обратном направлении и закрыт. 3. Проверка p-n перехода сток-затвор (на рис. VD2). Так же проверяем исправность p-n перехода сток-затвор. То есть включаем мультиметр в режим проверки диодов. Красный (плюсовой ) щуп мультиметра подключаем на затвор (имеет p-проводимость), а черный на сток. Мультиметр должен показать падение напряжения на открытом p-n переходе затвор-сток, которое должно быть в пределах 600-700 мВ. Меняем полярность подключения щупов (красный на сток, черный на затвор), мультиметр, в случае исправности транзистора показывает бесконечность (на дисплее «1»), то есть переход включен в обратном направлении и закрыт. Если все три условия выполнились, то считается, что полевой транзистор исправен. Проверка полевого транзистора с управляющим p-n переходом и каналом p-типа осуществляется по вышеизложенному алгоритму, за исключением того, что при проверке p-n переходов полярность подключения щупов мультиметра меняется на противоположную. Для наглядности и простоты понимания процесса я записал для вас видео как проверить полевой транзистор с управляющим p-n переходом, где я проверяю транзистор с каналом p-типа. www.sxemotehnika.ru Проверяем на работоспособность полевой транзистор структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП, МОП, MOSFET, GIFET, MISFET). Необходимое оборудование: мультиметр, цифровой или аналоговый, с возможностью проверки диодов. Внимание: проверка полевых транзисторов с p-n переходом (J-FET, JFET, JUGFET) будет описана в другой статье. Наиболее распространённая цоколёвка МДП транзисторов: Описываемая здесь последовательность действий лучше всего подходит для проверки МДП транзисторов средней и большой мощности, или - всех, что предназначены для крепления на радиатор. Разряжаем ёмкость затвора: берём транзистор за фланец крепления радиатора (вывод стока), если такового нет, то сначала дотрагиваемся до вывода стока или истока, потом нежно обнимаем все три ножки 🙂 Для этого проверяем на исправность диод, что между стоком и истоком, так же, как мы бы прозванивали обычный кремниевый диод. Для n-канальных МДП транзисторов (а таковых подавляющее большинство): В случае p-канального МДП транзистора полярность соответственно меняем на обратную. Для этого щуп, только что коснувшийся затвора, переносим на сток. Прибор должен показать небольшое падение напряжения, или даже короткое замыкание, некоторые приборы при этом радостно пищат. Заряд с затвора исправного транзистора стекает исключительно медленно - канал должен оставаться открытым довольно долго. Для этого можно держась за фланец или вывод истока коснуться затвора. Можно это сделать пальцами, можно проводом, а можно повторить процедуру заряда ёмкости затвора, но приложив обратную полярность напряжения. Убеждаемся, что канал закрыт: измеренное сопротивление или падение напряжения должно стремиться к бесконечности (помним о наличии структурного диода). Подавляющее большинство неисправностей МДП транзисторов так или иначе связано с пробоем изолятора затвора. Проявляться это может как вполне измеримой утечкой в цепи затвора, так и в постоянно открытым или наоборот закрытым состоянии канала, без малейшего намёка на пробой собственно затвора. Разрушение кристалла при перегрузках часто сопровождается таким фейерверком, что ничего мерять там уже и не надо. К сожалению, бывают ещё и скрытые дефекты, деградация качества прибора, вызванные пробоем и никак не проявляющиеся в тестах, описанных в данной статье. Недавно я сам попался на такой дефект при работе с маленькими полевиками (2n7002). Что тут можно посоветовать: myelectrons.ru И всё бы ничего, но промерив уже с пару дюжин относительно сильноточных полевичков стал я замечать, что слишком уж разброс велик. Перемеряю - ничего не сходится. Вообще мистика! Причиной таких "подгулявших" измерений оказалась макетка. Она, конечно, вся такая красиво-прозрачная, но к сожалению годится только мигалки на КМОП логике собирать: сопротивление контактов может варьироваться от единиц до десятков, а то и сотни с гаком Ом. Вот тут то и "осенило" меня гениальной идеей, что пора бы уже прозванивалку транзисторов собрать "в железе". Простейшая схемка для измерения Idss, в принципе, не требует вообще ничего: Например, J201 именно так и стоит мерить, так как начальный ток стока у них чуть меньше миллиампера. Тем не менее в таком включении полевые транзисторы используются далеко не всегда. Самое интересное начинается, когда проверяешь более или менее сильноточное устройство. Даже маленький J310 уже ощутимо нагревается при своих Idss=20..60mA. Т.е. ты его подключаешь, начинаешь измерять ток, а ток всё уменьшается, уменьшается... Гораздо более стабильные результаты получаются вот в таком включении, которое, кстати, само по себе является более качественным источником тока: Раз уж взялся за паяльник, решено было собрать нечто, ещё более приближённое к реальным условиям эксплуатации. В таком каскодном включении на токозадающем транзисторе падает совсем небольшое напряжение, определяемое передаточными характеристиками "верхнего" полевого транзистора со встроенным каналом, и в моём случае не превышающее 1..2 Вольт. Соответственно, рассеиваемая на подопытном мощность минимальна, а измеряемый ток, как следствие, менее подвержен изменениям в связи с прогревом всей конструкции. Дополнение: поскольку depletion MOSFET не слишком легкодоступны, в данной схемке вполне разумно будет использовать LM317 или что-либо подобное в качестве "верхнего" транзистора в каскоде. Пожауйста, не экономьте на ZIF кроватке - ускорение процесса колоссальное, даже по сравнению с макетками и прочими разъёмами. К тому же в такую кроватку легко устанавливать испытуемый транзистор с помощью пинцета, чтобы избежать нагрева от тепла руки. В итоге - ещё более повторимые результаты измерений. В моём случае при пробных повторных замерах разброс не превышал нескольких единиц в четвёртом (младшем) разряде. И ничего, что кроватка с большим запасом по количеству ножек. Я сразу распаял и уже использовал разводку и для JFET и для depletion MOSFET. Вот как у меня разведён ряд в ZIF разъёме: D S G D S. В дальнейшем добавлю схемку для проверки обычных MOSFET'ов. Все данные измерений удобно сразу же набивать в электронную табличку, где каждому полевому транзистору присвоен порядковый номер, а уже проверенные транзисторы втыкать в заранее пронумерованные места на антистатической пенке. После электронная табличка сортируется и - у вас в наличии тщательно подобранные пары (или 4, или 6-ки - как пожелаете!), только выбирай "выигравшие" номера. Раз уж вы дочитали до этого места - значит статья навела на определённые мысли, или вы чему-то научились, или просто с интересом провели время 😉 Будет просто замечательно, если вы скажете "спасибо" автору нажав хотя бы на одну кнопочку социальной сети, что внизу под текстом. Таким образом и ваши друзья смогут подивиться тем допотопным методам, которыми пользуется в своей работе Сергей Патрушин 🙂 myelectrons.ru 24.10.2013 | Рубрика: Статьи Как показывает опыт, новички, сталкивающиеся с проверкой элементной базы подручными средствами, без каких-либо проблем справляются с проверкой диодов и биполярных транзисторов, но затрудняются при необходимости проверить столь распространенные сейчас MOSFET-транзисторы (разновидность полевых транзисторов). Я надеюсь, что данный материал поможет освоить этот нехитрый способ проверки полевых транзисторов. Очень кратко о полевых транзисторах На данный момент понаделано очень много всяких полевых транзисторов. На рисунке показаны графические обозначения некоторых разновидностей полевых транзисторов. Типы MOSFET G-затвор, S-исток, D-сток. Сравнивая полевой транзистор с биполярным, можно сказать, что затвор соответствует базе, исток – эмиттеру, сток полевого транзистора – коллектору биполярного транзистора. Наиболее распространены n-канальные MOSFET – они используются в цепях питания материнских млат, видеокарт и т.п. У MOSFET имеется встроенный диод: MOSFET n-канальный (слева) и p-канальный (справа). Транзисторы лучше рисовать с диодом — чтобы потом было проще в схеме ориентироваться. Этот диод является паразитным и от него не удается избавиться на этапе изготовления транзистора. Вообще при изготовлении MOSFET возникает паразитный биполярный транзистор, а диод – один из его переходов. Правда нужно признать, что по схемотехнике этот диод все равно частенько приходится ставить, поэтому производители транзисторов этот диод шунтируют диодом с лучшими показателями как по быстродействию, так и по падению напряжения. В низковольтные MOSFET обычно встраивают диоды Шоттки. А вообще в идеале этого диода не должно было бы быть. Типовое включение полевого (MOSFET) транзистора: MOSFET типовое включение У подавляющего большинства полевых транзисторов нельзя на затвор (G) подавать напряжение больше 20В относительно истока (S), а некоторые образцы могут убиться при напряжении выше пяти вольт! И вот, иногда наступает момент, когда необходимо полевой транзистор проверить, прозвонить или определить его цоколевку. Сразу оговоримся, что проверить таким образом можно «logic-level» полевые транзисторы, которые можно встретить в цепях питания на материнских платах и видеокартах. «logic-level» в данном случае означает, что речь идет о приборах, которые управляются, т.е. способны полностью открывать переход D-S, при приложении к затвору относительно небольшого, до 5 вольт, напряжения. На самом деле очень многие MOSFET способны открыться, пусть даже и не полностью, напряжением на затворе до 5В. В качестве примера возьмем N-канальный MOSFET IRF1010N для его проверки (прозвонки). Известно, что у него такая цоколевка: 1 – затвор (G), 2 – сток (D), 3 – исток (S). Выводы считаются как показано на рисунке ниже. Распиновка корпуса TO-220 1. Мультиметр выставляем в режим проверки диодов, этот режим очень часто совмещен с прозвонкой. У цифрового мультиметра красный щуп «+», а черный «–», проверить это можно другим мультиметром.На любом уважающем себя мультиметре есть такая штуковина Прозвонка диодов, да и вообще полупроводниковых переходов на мультиметре. 2. Щуп «+» на вывод 3, щуп «–» на вывод 2. Получаем на дисплее мультиметра значения 400…700 – это падение напряжения на внутреннем диоде. 3. Щуп «+» на вывод 2, щуп «–» на вывод 3. Получаем на дисплее мультиметра бесконечность. У мультиметров обычно обозначается как 1 в самом старшем разряде. У мультиметров подороже, с индикацией не 1999 а 4000 будет показано значение примерно 2,800 (2,8 вольта). 4. Теперь удерживая щуп «–» на выводе 3 коснуться щупом «+» вывода 1, потом вывода 2. Видим, что теперь щупы стоят так же, как и в п.3, но теперь мультиметр показывает 0…800мВ – у MOSFET открыт канал D-S. Если продолжать удерживать щупы достаточно долго, то станет заметно, что падение напряжения D-S увеличивается, что означает, что канал постепенно закрывается. 5. Удерживая щуп «+» на выводе 2, щупом «–» коснуться вывода 1, затем вернуть его на вывод 3. Как видим, канал опять закрылся и мультиметр показывает бесконечность. Поясним, что же происходит. С прозвонкой внутреннего диода все понятно. Непонятно почему канал остается либо закрытым, либо открытым? На самом деле все просто. Дело в том, что у мощных MOSFET емкость между затвором и истоком достаточно большая, например у взятого мной транзистора IRF1010N измеренная емкость S-G составляла 3700пФ (3,7нФ). При этом сопротивление S-G составляет сотни ГОм (гигаом) и более. Не забыли – полевые транзисторы управляются электрическим полем, а не током в отличие от биболярных. Поэтому в п.4 касаясь “+” затвора (G) мы его заряжаем относительно истока (S) как обычный конденсатор и управляющее напряжение на затворе может держаться еще достаточно долго. Если хвататься за выводы транзистора руками, особенно жирными и влажными, емкость транзистора будет разряжаться значительно быстрее, т.к. сопротивление будет определяться не диэлектриком у затвора транзистора, а поверхностным сопротивлением. Не смытый флюс также сильно снижает сопротивление. Поэтому рекомендую помыть транзистор, перед проверкой, например, в спирто-бензиновой смеси. P.S. Спирто-бензиновая смесь при испарении может генерировать статическое электричество, которое, как известно, негативно действует на полевые транзисторы. 1. У цифровых мультиметров режим проверки диодов проводится измерением падения напряжения на щупах, при этом по щупам прибор пропускает стабильный ток 1мА. Именно поэтому в данном режиме прибор показывает не сопротивление, а падение напряжения. Для германиевых диодов оно равно 0,3…0,4В, для кремниевых 0,6…0,8В. Но что бы там не измерялось напряжение на щупах прибора редко превышает 3В – это ограничение накладывается схемотехникой мультиметров.2. В п.4 при измерении падения напряжения открытого канала величина, отображаемая мультиметром может сильно меняться от различных факторов: напряжения на щупах, температуры, тока стабилизации, характеристик самого полевого транзистора. Теперь можно потренироваться в определении цоколевки мощного транзистора. Перед нами транзистор IRF5210 и его цоколевка мне неизвестна. 1. Начну с поиска диода. Попробую все варианты подключения к мультиметру. После каждого измерения корочу ножки транзистора фольгой чтобы обеспечить разряд емкостей транзистора. Возможные варианты показаны в таблице: Т.е. диод находится между выводами 2 и 3, соответственно затвор (G) находится на выводе 1. 2. Осталось определить, где находятся сток (D) и исток (S) и полярность (n-канал или p-канал) полевого транзистора. 2.1. Если это n-канальный транзистор, то сток (D) – 3 вывод, исток (S) – 2 вывод. Проверяем. Прикладываем «–» щуп мультиметра к выводу 2, «+» к выводу 3 – канал закрыт, так и должно быть – мы же его еще не пытались открыть. Теперь не отнимая щупа «–» от вывода 2 щупом «+» касаемся вывода 1, затем «+» опять прикладываем к выводу 3. Канал не открылся – значит, наше предположение о том, что IRF5210 n-канальный транзистор оказалось неверным. 2.2. Если это p-канальный транзистор, то сток (D) – 2 вывод, исток (S) – 3. Проверяем. Прикладываем «+» щуп мультиметра к выводу 3, «–» к выводу 2 – канал закрыт, так и должно быть – мы же его еще не пытались открыть. Теперь не отнимая щупа «+» от вывода 3 щупом «–» касаемся вывода 1, затем «–» опять прикладываем к выводу 2. Канал открылся – значит, что IRF5210 p-канальный транзистор, вывод 1 – затвор, вывод 2 – сток, вывод 3 – исток. На самом деле все не так сложно. Буквально пол часа тренировки – и вы сможете без каких-либо проблем проверять MOSFETы и определять их цоколевку! Метки:: MOSFET, Цоколевка pro-diod.ru Читать все новости ➔ В домашних условиях можно приблизительно измерить основные параметры полевых транзисторов и подобрать их. Для проверки полевого транзистора с р-каналом необходимо собрать схему, показанную на рисунке. Перед проверкой следует установить движок в нижнее по схеме положение (0 В на затворе VT), а резистором R2 установить рабочее напряжение на участке сток-исток проверяемого транзистора (Uси), взяв его из справочника (обычно 10...12 В). Затем надо, медленно перемещая движок Р1, следить за показаниями амперметра Р2. Как только ток уменьшится практически до нуля (10...20 мкА), следует проверить напряжение между затвором и истоком. Оно будет равно напряжению отсечки Uотс. Так проверяются полевые транзисторы с управляющим с р-n-переходом и каналом р-типа. Для транзисторов n-типа нужно поменять полярность включения источников питания на обратную. Точно так же можно проверить и подобрать МДП-транзисторы (МОП-транзисторы) с встроенным каналом. В МДП-транзисторах (МОП-транзисторах) с индуцированным каналом проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока (а следовательно, заметный ток стока) появляется только при наличии отпирающего (порогового) напряжения на затворе относительно истока (отрицательного при p-канале и положительного при n-канале). Поэтому для проверки этих транзисторов полярность источника питания Uпит1 должна быть противоположной. В заключение хочу заметить, что для проверки и подбора полевых транзисторов можно использовать не три прибора, как показано на схеме, а два - вольтметр и амперметр, переключая вольтметр при измерении из положения Р1 в Р3. Вполне допустимо применять комбинированные приборы (мультиметры). Литература Автор: Александр Слинченков, г. Озерск, Челябинской обл. meandr.org В отличие от биполярных, полевых транзисторов существует много видов и при проверке надо учитывать, с каким из них вы имеете дело. Так, для проверки транзисторов, имеющих затвор на основе запорного слоя р-п-перехода, можно воспользоваться эквивалентной схемой, приведенной на рис. 6.14. Рис. 6.14. Диодно-резисторный эквивалент п- и р-канальных полевых транзисторов Для прозвонки подойдет обычный стрелочный омметр, но, цифровым прибором в режиме контроля р-п-переходов делать это более удобно. При проверке сопротивления между истоком и стоком только не забудьте снять заряд с затвора после предыдущих измерений (кратковременно замкните его с истоком), а то можно получить неповторяющийся результат. Многие маломощные «полевики» (особенно с изолированным затвором) очень чувствительны к статике. Поэтому, перед тем как брать в руки такой транзистор, позаботьтесь о том, чтобы на вашем теле не оказалось зарядов. Чтобы их снять, достаточно коснуться рукой батареи отопления или любых заземленных предметов, так как электростатические заряды между телами при их разделении распределяются пропорционально массе тел. Поэтому для их «обезвреживания» бывает достаточно прикоснуться даже к любой большой незаземленной металлической поверхности. Несмотря на то, что мощные полевые транзисторы часто имеют защиту от статики, но все равно пренебрегать мерами предосторожности не следует. Многочисленный класс MOSFET-транзисторов (предназначен для работы в ключевом режиме) не имеет р-п-переходов между электродами (изолированный затвор). Из-за большого сопротивления диэлектрического слоя у затвора, если транзистор явно не пробит (для выявления этого прозвонка все же не помешает), убедиться в его работоспособности не удастся — прибор покажет бесконечно большое сопротивление. Для проверки таких транзисторов можно воспользоваться одним из приспособлений, показанных на рис. 6.15. Рис. 6.15. Приставки для проверки MOSFET-транзисторов: а — цифровым тестером в режиме прозвонки диодов; б — стрелочным омметром (тестером) Для удобства подключения к выводам транзистора можно воспользоваться гнездами контактной колодки типа СНП64-96Р (или СИП34С-135Р) и любыми миниатюрными кнопками. Схема может подключаться к цифровому мультиметру в режиме проверки диодов или же к любому другому источнику напряжения не более 9 В (в пЬследнем случае в цепь затвора ставится светодиод АЛ307БМ (или подобный) и ограничивающий ток резистор 200…560 Ом). Можно использовать также и стрелочный омметр в режиме изме- рбния килоомных сопротивлений. В схеме на рис. 6.15, а, пока кнопка SB1 не нажата, на конденсаторе C1 происходит накопление заряда — исправный транзистор в это время должен быть закрыт — мультиметр покажет бесконечность. Нажатие на кнопку приводит к открыванию транзистора за счет напряжения с C1, что сразу будет видно по показаниям прибора (или свечению светодиода). Причем из-за наличия у полевых транзисторов с изолированным затвором своей значительной входной емкости и очень малой утечки он останется открытым и после того, как мы отпустим кнопку (пороговое напряжение открывания транзисторов обычно составляет 2…4 В). Но в этом случае конденсатор C1 теперь уже подключится к малому напряжению, которое действует на стоке открытого транзистора, и разрядится до уровня менее 1 В. При повторном нажатии на кнопку этого напряжения будет уже недостаточно для поддержания транзистора в открытом состоянии. Имеющийся заряд затвора разрядится, и транзистор закроется. Таким образом, мы получили триггер, управляемый переключением от одной кнопки, который позволяет проверить работу «полевика» в ключевом режиме. Схема на рис. 6.15, б более универсальна и содержит вторую кнопку (SB2), которая при нажатии разряжает емкость затвора, замыкая его на общий провод, что позволяет выключить транзистор (то есть полностью закрыть), независимо от положения SB1. Такая возможность может пригодиться при проверке цифровых полевых ключей (у них пороговое напряжение около 1 В). Во многих мощных MOSFET-транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный обратно включенный (параллельно) диод. Такой переход ведет себя как обычный диод, если изменить полярность питания — это надо знать, чтобы ошибочно не принять транзистор за пробитый. В наличии такого диода и его исправности можно убедиться при помощи мультиметра. Для проверки работы биполярных и полевых MOSFET-транзи- сторов в ключевом режиме можно также использовать приставку на аналоговом таймере из серии 555 [2]. В ней формируются управляющие импульсы и контролируется состояние перехода эмит- тер-коллектор (исток-сток) по свечению светодиода, установленного в цепи нагрузки. Источник: Радиолюбителям: полезные схемы. Книга 6. — M / СОЛОН-Пресс, 2005. 240 с. nauchebe.net В современной электронной аппаратуре все чаще находят применение полевые транзисторы. Разработчики используют их в блоках питания телевизоров, мониторов, видеомагнитофонов и другой аппаратуре. При проведении ремонта мастер сталкивается с необходимостью проверки исправности мощных полевых транзисторов. В статье автор рассказывает, как произвести проверку полевого транзистора с помощью обычного омметра. Полевые транзисторы (ПТ), благодаря ряду уникальных параметров, в том числе высокому входному сопротивлению, находят широкое применение в блоках питания телевизоров, мониторов, видеомагнитофонов и другой радиоэлектронной аппаратуры. При ремонте аппаратов, в которых применены полевые транзисторы, у ремонтников очень часто возникает задача проверки целостности и работоспособности этих транзисторов. Чаще всего приходится иметь дело с вышедшими из строя мощными полевыми транзисторами импульсных блоков питания. Расположение выводов полевых транзисторов (Gate - Drain - Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными. Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно при проверке полевых транзисторов соблюдать правила безопасности. Дело в том, что полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет. Также следует помнить, что при хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой. При проверке ПТ чаще всего пользуются обычным омметром. У исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Причем бесконечное сопротивление прибор должен показывать независимо от прикладываемого тестового напряжения. Следует заметить, что имеются некоторые исключения. Если при проверке приложить положительный щуп тестового прибора к затвору (G) транзистора n-типа, а отрицательный - к истоку (S), зарядится емкость затвора и транзистор откроется. При замере сопротивления между стоком (D) и истоком (S) прибор покажет некоторое значение сопротивления, которое зависит от ряда факторов. Неопытные ремонтники могут принять такое поведение транзистора за его неисправность. Поэтому перед “прозвонкой” канала “сток-исток” замкните накоротко все ножки транзистора, чтобы разрядить емкость затвора. После этого сопротивление сток-исток должно стать бесконечным. В противном случае транзистор признается неисправным. В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод, поэтому канал “сток-исток” при проверке ведет себя как обычный диод. Для того чтобы избежть досадных ошибок, помните о наличии такого диода и не примите это за неисправность транзистора. Убедиться в наличии диода достаточно просто. Нужно поменять местами щупы тестера, и он должен показать бесконечное сопротивление между стоком и истоком. Если этого не произошло, то, скорее всего, транзистор пробит. В остальном проверка транзистора не отличается от приведенной выше. Таким образом, имея под рукой обычный омметр, можно легко и быстро проверить мощный полевой транзистор. Полевые транзисторы - полупроводниковые приборы, в которых управление переходными процессами, а также величиной выходного тока осуществляется изменением величины электрического поля. Существует два вида данных устройств: с (в свою очередь делятся на транзисторы со встроенным каналом и с индукционным каналом) и с управляемым переходом. Полевые транзисторы благодаря своим уникальным характеристикам находят широкое применение в радиоэлектронной аппаратуре: блоках питания, телевизорах, компьютерах и др. При ремонте такой техники наверняка каждый начинающий радиолюбитель сталкивался с таким вопросом: как проверить полевой транзистор? Чаще всего с проверкой таких элементов можно столкнуться при ремонте импульсных блоков питания. В этой статье мы подробно расскажем, как это правильно сделать. Как проверить полевой транзистор омметром В первую очередь, чтобы приступить к проверке полевого транзистора, необходимо разобраться с его «цоколевкой», то есть с расположением выводов. На сегодняшний день существует множество различных исполнений таких элементов, соответственно, расположение электродов у них отличается. Часто можно встретить полупроводниковые транзисторы с подписанными контактами. Для маркировки используют латинские литеры G, D, S. Если же подписи нет, то необходимо воспользоваться справочной литературой. Итак, разобравшись с маркировкой контактов, рассмотрим, как проверить полевой транзистор. Следующим шагом будет принятие необходимых мер безопасности, потому что полевые приборы очень чувствительны к статическому напряжению, и чтобы предотвратить выход из строя такого элемента, необходимо организовать заземление. Чтобы снять с себя накопленный статический заряд, обычно надевают на запястье антистатический заземляющий браслет. Не следует также забывать, что хранить полевые транзисторы н levevg.ruN канальный полевик. Как проверить полевой транзистор. Проверка полевиков в схеме
Как проверить полевой транзистор мультиметром. Часть 1. Транзистор с управляющим p-n переходом. - Интернет-журнал "Электрон" Выпуск №4
Проверка полевого транзистора с управляющим p-n переходом и каналом n-типа.
Проверка полевого транзистора с управляющим p-n переходом и каналом p-типа.
Как проверить МДП полевой транзистор с помощью мультиметра
N-канальный МДП полевой транзистор с индуцированным переходом:
P-канальный МДП полевой транзистор с индуцированным переходом:
Ограничения
Проверяем
1) Затвор должен быть изолирован от других выводов
2) Проверяем структурный диод.
3) Заряжаем ёмкость затвора - канал открыт.
4) Разряжаем затвор.
Возможные сюрпризы
Проверка и подбор полевых транзисторов в домашних условиях
При постройке усилителей без петель отрицательной обратной связи желательно иметь компоненты со строго заданными, или хотя бы по возможности близкими, параметрами. Впрочем, даже в обычном дифференциальном каскаде для уменьшения искажений желательно применять транзисторы или лампы - близнецы, ещё их называют "согласованные пары". Да и просто проверить полевой транзистор перед тем, как запаять его в схему - будет совсем нелишне. Вобщем я поймал себя на том, что собираю на макетке простенькую схемку для проверки полевиков уже наверное с десятый раз по жизни. Вот как это выглядело в последний раз:
Проверка и определение цоколевки MOSFET
MOSFET — проверка и прозвонка
Проверка и определение цоколевки MOSFET
Напряжение на затворе!Проверка полевых транзисторов (MOSFET)
Помой транзистор! Небольшие пояснения о мультиметрах
Тренировка =)
Простой способ проверки полевых транзисторов
В радиолюбительских конструкциях все чаще встречаются полевые транзисторы, в частности в схемах КВ-УКВ аппаратуры, но многие радиолюбители отказываются от их применения, так как к ним предъявляются особые требования в описании схем. В журналах и Интернете описано много приборов и испытателей полевых транзисторов. Например, в [1, 2], но они сложны, а приобретать заводские приборы ради подбора двух-трех «полевиков» нет смысла. Всё же многие полевые транзисторы несложно проверить в домашней мастерской радиолюбителя. О том, как это сделать, рассказано в этой статье.
Чтобы измерить крутизну характеристики S (мА/В) полевого транзистора, нужно снова установить нулевое значение Uзи резистором R1. При этом Р2 покажет значение Іс.нач. Затем резистором R1 так же медленно увеличивают напряжение Uзи до напряжения 1 В на Р1 (для упрощения расчета). Показание Р2 будет изменяться до значения, которое мы обозначим как Іс.измер. Если теперь разность двух показаний (токов) Р2 разделить на напряжение Uзи, то получившийся результат будет соответствовать крутизне характеристики в соответствии с формулой:S (мА/В) = (Iс.нач-Iс.измер)/Uзи.
Возможно, Вам это будет интересно:
Полевые транзисторы их прозвонка и проверка
N канальный полевик. Как проверить полевой транзистор
интернет-магазин светодиодного освещения
Пн - Вс с 10:30 до 20:00
Санкт-Петербург, просп. Энгельса, 138, корп. 1, тк ''Стройдвор''
Поделиться с друзьями: