Оптроны (оптопары) — электронные приборы, служащие для преобразования сигнала электрического тока в световой поток. Их световой сигнал передается через каналы оптики, а также происходит обратная передача и преобразование света в электрический сигнал. Устройство оптрона состоит из излучателя света и преобразователя светового луча (фотоприемника). В качестве излучателя в современных приборах используют светодиоды. В старых моделях применялись маленькие лампочки накаливания. Две составные части оптопары объединены общим корпусом и оптическим каналом. Существует несколько признаков, по которым можно классифицировать оптопары по группам. При разделении на классы оптронных изделий необходимо учитывать два фактора: тип фотоприемника и особенности общей конструкции прибора. Первый признак классификации оптронов обуславливается тем, что у всех оптопар на входе расположен светодиод, поэтому возможности функционирования определяются свойствами устройства фотоприемника. Вторым признаком является исполнение конструкции, определяющее особенности использования оптрона. Применяя такой смешанный принцип разделения, можно выделить три группы оптронных устройств: • Элементарные оптопары.• Оптоэлектронные микросхемы.• Специальные оптопары. • Д – диодная.• Т – транзисторная.• R – резисторная.• У – тиристорная.• Т2– со сложным фототранзистором.• ДТ – диодно-транзисторная.• 2Д (2Т) – диодная дифференциальная, либо транзисторная. • Характеризует цепь входа оптопары.• Характеризует выходные параметры.• Объединяет степень действия излучателя на приемник света, и особенности прохода сигнала по оптопаре в качестве компонента связи.• Объединяет свойства гальванической развязки. Основными оптронными параметрами считаются свойства передачи и гальванической развязки. Важной величиной транзисторных и диодных оптронов считается коэффициент передачи тока. Первый параметр является наиболее важным. По нему определяют электрическую прочность оптрона, а также его способности применения в качестве гальванической развязки. Эти параметры оптронов применимы и для интегральных микросхем на основе оптопар. Оптроны на диодах (рис. а) больше других устройств показывают уровень развития оптронной технологии. По значению коэффициента передачи определяют полезное действие преобразования энергии в оптопаре. Величины временных значений свойств дают возможность определить наибольшие скорости передачи информации. Соединение с диодным оптроном усилителей позволяет создать эффективные устройства передачи информации. Эти приборы (рис. с) отличаются некоторыми свойствами от других видов оптопар. Одним из таких свойств является возможность оптического управления по цепи светодиода, и по основной электрической цепи. Цепь выхода может также действовать в режиме ключа и линейном режиме. Принцип внутреннего усиления дает возможность получения больших величин коэффициента передачи тока. Поэтому дополнительные усилители не всегда нужны. Важным моментом является небольшая инерционность оптопары, что допускается для многих режимов. Фототранзисторы имеют выходные токи намного больше, чем фотодиоды. Поэтому они применяются для коммутации различных электрических цепей. Все это достигается простой технологией транзисторных оптронов. Такие оптопары (рис. b) имеют большую перспективу для коммутации мощных силовых цепей высокого напряжения: по мощности, нагрузке, скорости они более подходящие, чем Т2 оптопары. Оптроны марки АОУ 103 служат для применения в качестве бесконтактных выключателей в разных электронных схемах: усилителях, управляющих цепях, источниках импульсов и т.д. Такие устройства (рис. d) называют фоторезисторами. Они значительно различаются от других типов оптронов своими особенностями конструкции и технологией изготовления. Основным принципом работы фоторезистора является эффект фотопроводности, то есть, изменения величины сопротивления при воздействии светового потока. Рассмотренные выше оптопары способны передавать цифровые данные по гальванической развязке цепи. Важной проблемой является передача аналогового сигнала при помощи оптронов, то есть, создание линейности свойств передачи «вход-выход». Только при наличии таких свойств оптопар можно передавать аналоговые данные по гальванической развязке цепи без цифрового вида и импульсной передачи. Такая задача решается диодными оптопарами, имеющими качественные шумовые и частотные характеристики. Трудность в решении этой задачи заключается в узком интервале линейности передающей характеристики и линейности диодных оптопар. Такие приборы только начинают прогрессировать в развитии, но за ними большое будущее. Эти микросхемы являются наиболее популярными классами моделей оптронных устройств, благодаря конструктивной и электрической совместимости оптронных микросхем с простыми видами, а также намного большей функциональности. Широкое применение получили коммутационные оптронные микросхемы. Такие образцы имеют значительные отличия от стандартных моделей приборов. Они выполнены в виде оптопар с оптическим каналом открытого вида. В устройстве таких моделей между фотоприемником и излучателем находится воздушный промежуток. Поэтому, при размещении в нем механических препятствий можно управлять светом и сигналом выхода. Оптопары с открытым каналом оптики используются вместо оптических датчиков, которые фиксируют наличие предметов, их поверхность, поворот, перемещение и т.д. • Подобные устройства используются для передачи данных между устройствами, которые не соединены электрическими проводами.• Также оптопары используются для отображения и получения информации в технике. Отдельно необходимо отметить оптронные датчики, служащие для контроля объектов и процессов, отличающихся по назначению и природе.• Заметен прогресс оптронной функциональной микросхемотехники, которая ориентирована на решение различных задач по преобразованию и накоплению данных.• Полезной эффективностью стала замена больших недолговечных устройств электромеханического типа приборами оптоэлектронного принципа действия.• Иногда оптронные компоненты применяются в энергетике, хотя это довольно специфические решения. Мощность светового потока от светодиода и величина фототока, который образуется в линейных цепях фотоприемников, напрямую зависит от тока проводимости излучателя. Поэтому по бесконтактным оптическим каналам можно передать информацию о процессах в цепях электрического тока, связанных проводами с излучателем. Наиболее эффективным стало применение излучателей света оптопар в датчиках, электрических изменений в силовых цепях высокого напряжения. Точная информация об аналогичных изменениях имеет важность для своевременной защиты источников и потребителей электроэнергии от чрезмерных нагрузок. Оптроны эффективно работают в стабилизаторах высокого напряжения. В них они образуют оптические каналы обратных связей отрицательной величины. Стабилизатор, изображенный на схеме, является прибором последовательного вида. При этом элемент регулировки выполнен на биполярном транзисторе, а стабилитрон на основе кремния работает в качестве источника эталонного опорного напряжения. Компонентом сравнения является светодиод. При возрастании выходного напряжения, повышается и проводимость светодиода. На транзистор оптрона оказывает действие фототранзистор, при этом стабилизирует напряжение на выходе. Такие отрицательные моменты оптронов постепенно устраняются по мере развития технологии схемотехники и создания материалов. Большая популярность оптронов вызвана, прежде всего, уникальными свойствами этих устройств. electrosam.ru Мне кажется, что транзисторный оптрон PC817 самый распространенный хотя бы потому, что он стоит практически в каждом импульсном блоке питания для гальванической развязки цепи обратной связи. Корпус достаточно компактный: Производитель PC817 – Sharp, многие другие производители электронных компонентом выпускают аналоги. И при ремонте электронной аппаратуры можно наткнутся именно на аналог: Кроме одинарного оптрона PC817 выпускаются его полные аналоги: Для PC817 схема включения стандартная как для любого транзисторного оптрона: на входе нужно ограничивать ток — например с помощью резистора, на выходетакже не стоит превышать ток. Но дешевле использовать несколько PC817 вместо многоканального аналога. Характеристики светодиода: Характеристики фототранзистора: Есть ещё важный параметр — коэффициент передачи по току (CTR) измеряемый в %. В оптопаре PC817 он определяется буквой после основного кода, также как и большинстве других оптопар и других полупроводниковых приборов. * — 1, 2, 3 или 4. На многих форумах можно прочитать, что раз деталь такая дешевая, то и проверять её не стоит, а просто меняем и все. У меня против этого мнения следующие доводы: все равно нужно узнать сгорела оптопара или нет, потому что это поможет понять, что ещё могло сгореть, да и новый оптрон может оказаться бракованным.Проверить оптопару можно прозвонив тестером светодиод и проверить на короткое замыкание транзистор, потом пропустить через светодиод ток и посмотреть, что транзистор открылся. Но проще всего соорудить простейший тестер оптопар, для него понадобятся только: Светодиоды подойдут на ток 5-20 мА и напряжение около 2-х вольт, R1, R2 — 300 Ом. Питается тестер от USB порта получая от него 5 В, но можно питать тестер и от 3-х или 4-х батареек AA. Можно питать и от батарейки 9 В или 12 В или источника питания, вот только тогда нужно будет пересчитать сопротивления резисторов R1, R2. hardelectronics.ru Вы уже знакомы с различными оптоэлектронными приборами — светоизлучателями (см. «М-К», 1986, № 1, «Светящийся кристалл») и фотоприемниками («М-К», 1987, № 1, «Электрический «глаз»). Первые применяют в устройствах световой индикации и сигнализации, вторые— в автоматических системах, реагирующих на внешнее освещение. И не только здесь. Нередко светоизлучатель и фотоприемник работает в паре. Вот лишь отдельные примеры: автостоп в магнитофоне, звуковоспроизводящая система в кинопроекторе, турникет в метро. Во всех этих устройствах установлены оптопары, состоящие из светоизлучателя и фотоприемника. Если свет попадает на чувствительный слой фотоэлемента, на его выходе появляется электрический сигнал. Освещение отсутствует — сигнала на выходе нет. Но вот что интересно — между управляющей цепью, куда включен излучатель, и исполнительной, в которой работает фотоприемник, отсутствует электрическая (гальваническая) связь, а управляющая информация передается светом. Это свойство оптоэлектронной пары оказалось прямо-таки незаменимым в тех электронных узлах, где нужно полностью устранить влияние выходных цепей на входные. Дело в том, что у транзисторных и тири-сторных устройств управляющие и исполнительные цепи электрически связаны друг с другом. Возникающая при этом обратная связь приводит к появлению дополнительных помех. Вот почему специалисты обратили такое пристальное внимание на опто-электронную технику. В шестидесятые годы они впервые попробовали «поселить» светоизлучатель и фотоприемник вместе под одной «крышей» — в одном корпусе. Так родился новый прибор — оптрон (рис. 1). В нем фотоприемник крепится, как правило, на дне корпуса, а излучатель — в верхней части. Зазор между фотоприемником и излучателем заполнен так называемым иммерсионным материалом — чаще всего это полимерный оптический клей. Он выполняет роль линзы, фокусирующей излучение на чувствительный слой фотоприемника. Иммерсионный материал покрыт сверху пленкой, отражающей световые лучи внутрь, чтобы препятствовать рассеянию света за пределы рабочей зоны. В излучателях обычно используется полупроводниковое соединение арсенид галлия, а в фотоприемниках — кремний. Рис. 1. Конструкция оптрона: 1 — корпус, 2 — излучатель, 3 — иммерсионная среда, 4 — фотоприемник, 5 — выводы, 6 — фланец. Если роль «излучателей в оптронах чаще всего выполняют светодиоды, то фотоприемниками могут служить самые разнообразные элементы: диоды, биполярные, полевые и составные транзисторы, тиристоры, резисторы. В диодных оптронах применяются не только вентильные диоды, но и варикапы. Причем в одном корпусе иногда помещают сразу два фотоприемника. Транзисторные оптроны имеют некоторые преимущества по сравнению с диодными. Так, коллекторным током биполярного фототранзистора управляют как по цепи свето-диода (оптически), так и по базовой цепи. У полевого транзистора управление осуществляется через цепь затвора. Кроме того, фототранзистор может работать в ключевом и усилительном режимах, а фотодиод — только в ключевом. Оптроны с составным транзистором имеют наибольший коэффициент усиления, могут коммутировать напряжение и ток достаточно больших величин и по этим параметрам уступают лишь тиристорным оптронам, которые лучше всего приспособлены для коммутации высоковольтных и сильноточных цепей. В резисторных оптронах излучателями могут быть не только светодиоды, но и миниатюрные на-кальные лампы. Рис. 2. Условные графические обозначения оптронов: А, Б — диодные, В — динисторные, Г — на варикапе, Д, Е, Ж — транзисторные, 3, И — резисторные. Рис. 3. Внешний вид оптронов. Рис. 4. Переговорное устройство «Луч». На рисунке 2 представлены условные графические обозначения оптронов. Их элементы — диоды, транзисторы, тиристоры и резисторы — изображаются на принципиальных электрических схемах так же, как и обычные аналогичные приборы. А поскольку элементы оптрона размещены в одном корпусе, их помещают в овал. Две стрелки, направленные от излучателя к фотоприемнику, указывают на оптическую связь между ними. Графическим обозначениям оптронов присвоен условный код — латинская буква U, после которой следует порядковый номер прибора в схеме. Оптроны выпускаются в самых разнообразных корпусах. В некоторых из них размещается сразу по нескольку приборов. На рисунке 3 показан внешний вид наиболее распространенных оптронов. Рис. 5. Принципиальная схема переговорного устройства. Маркируются оптроны следующим образом. Первая буква указывает на материал излучателя: А — арсенид галлия; вторая — О, обозначает подкласс оптронов, а третья определяет, к какой разновидности относится прибор: Р — резисторный, Д — диодный, У — тиристорный и Т — транзисторный. Далее следуют три цифры, обозначающие номер разработки, и буква, указывающая на группу прибора. Среди множества рабочих параметров оптронов прежде всего нужно знать основные. Это, во-первых, статический коэффициент передачи тока К 1, определяющий отношение тока на выходе оптрона к входному. Во-вторых, граничнйя частота f гр, при которой коэффициент передачи тока падает до уровня 0,7 от максимального значения. В-третьих, время включения t вкл или выключения f выкл фотоприемника при его облучении, то есть быстродействие. И наконец, максимально допустимое напряжение между входом и выходом, при котором еще не происходит пробой изоляции (U из max). Познакомимся с одним из наиболее распространенных оптронов — АОТ110Б. В небольшом цилиндрическом корпусе с пятью выводами помещаются излучатель — свето-диод и фотоприемник на составном транзисторе. Входное напряжение светодиода — 2 В, входной ток — 30 мА. Составной транзистор оптрона коммутирует напряжение до 50 В и ток 100 мА. Рассеиваемая на корпусе тепловая мощность —360 мВт, максимально допустимое напряжение между входной и выходной цепями — 100 В. Диапазон рабочих температур оптрона — от —60 до +70°С. Масса прибора—1,5 г. АОТ110Б становится работоспособным только при подключении к выводам 3 и 5 постоянного резистора сопротивлением 100—1000 кОм. Рис. 6. Монтажная плата одного аппарата со схемой расположения элементов. Практическое применение этого оптрона самое разнообразное. Вот одно из них — переговорное устройство «Луч» (рис. 4). В отличие от подобных самоделок, собранных полностью на транзисторах (см., например, «М-К», 1983, № 1, «На помощь слабому голосу»), данное переговорное устройство отличается простотой, содержит минимум радиоэлементов, но в то же время обладает повышенной чувствительностью — его микрофон воспринимает человеческую речь на расстоянии 10—15 см от говорящего. «Лучом» можно воспользоваться при проведении военно-спортивной игры «Зарница», оборудовать квартиру, разместив один аппарат, например, на кухне, а второй — в комнате, или установить связь с товарищем, живущим в одном подъезде с вами. Можно придумать и другие варианты применения переговорного устройства — все зависит от фантазии и изобретательности. Переговорное устройство «Луч» состоит из двух аппаратов, соединенных между собой тонким кабелем из трех проводов. Так как оба аппарата полностью идентичны, рассмотрим один из них, например, верхний по схеме (рис. 5). Он представляет собой двух-каскадный низкочастотный усилитель. В первом каскаде работает транзистор VT1, во втором — составной транзистор оптрона U1. Работоспособность второго каскада обеспечивается резистором R4, включенным между выводами 3 и 5 оптрона. Резисторы R1 и R2 обеспечивают необходимое напряжение смещения на базе VT1, a R3 ограничивает ток светодиода оптрона. Конденсатор С1 препятствует прохождению постоянного тока на базу VT1 от «минусовой» шины питания через входную цепь. В качестве микрофона ВМ1 и телефона BF2 используются одинаковые телефонные капсюли ТА-56м. Переговорное устройство снабжено батареями питания СВ1, GB2, подключаемыми тумблерами SA1, SA2. Принцип действия переговорного устройства достаточно прост. Звуковые колебания преобразуются микрофоном ВМ1 в электрический сигнал, который через конденсатор С1 поступает на базу транзистора VT1. При этом сопротивление цепи коллектор-эмиттер VT1 постоянно меняется, а следовательно, меняется и величина тока, протекающего через светодиод оптрона. Составной фототранзистор оптрона улавливает изменения яркости свечения диода и преобразует световую энергию в электрический сигнал, который телефоном BF2 превращается в звуковые колебания. Телефон BF2, подключенный через соединительный кабель к выходному каскаду первого аппарата, установлен во втором аппарате, a BF1, наоборот, в первом. Поэтому вы слышите своего товарища, находящегося на другом конце «провода», а он, в свою очередь, слышит вас. Разобравшись в работе переговорного устройства, можно приступать к его сборке. Элементы обоих аппаратов лучше всего разместить на одинаковых монтажных платах, выполненных из фольгированного гетинакса или текстолита толщиной 1—2 мм и размером 30X25 мм (рис. 6). Теперь расскажем о том, какие радиодетали можно применить в переговорном устройстве. Транзисторы — КТ315, КТ312, КТ361 с любыми буквенными индексами, оптроны АОТ110 также с любыми буквенными индексами. Конденсаторы — типа KM, K73 или другие малогабаритные. Постоянные резисторы — ВС, МЛТ, ОМЛТ, подстроечные — СПЗ-16, СП4-1. Микрофоны и телефоны — ТА-56м, ТОН-1, ТА-4 или ТГ1. Низкоомные телефонные капсюли применять нежелательно: фототранзисторы оптронов могут выйти из строя. Тумблеры— ТВ1-2, ТЗ-С или малогабаритные серии МТ. Батарея питания — 3336Л, «Рубин», «Планета» или три элемента по 1,5 В («Марс», «Орион»). Аппараты переговорного устройства поместите в пластмассовые корпуса подходящих размеров. В верхней панели каждого корпуса вырежьте отверстия 0 10—15 мм под микрофоны и телефоны. Тумблеры установите на боковых стенках корпусов. Аппараты соедините между собой кабелем из трех проводов, скрепленных между собой монтажными нитками или изоляционной лентой. Длина кабеля может быть до 30—40 м. Налаживаются аппараты просто. Вращая движок подстроечного резистора, добиваются чистого, без искажений, звука в телефоне. Наиболее чистое звучание будет примерно в среднем положении ротора резистора. После этого переговорное устройство готово к работе. В. ЯНЦЕВ «Моделист-Конструктор» 9 1989 OCR Pirat nauchebe.net Оптопары (оптроны) применяются для гальванической развязки устройств. Информация в оптопарах передаётся световым потоком от внутреннего излучателя к внутреннему фотоприёмнику в инфракрасном диапазоне длин волн. Поскольку в оптопарах имеется чёткое разделение на входную и выходную часть, то сопряжение с входом МК производится через фотоприёмник. Встречаются следующие разновидности оптопар: • диодные оптопары (Рис. 3.54, а) — высокое быстродействие; • транзисторные оптопары (Рис. 3.54, б, в) — высокая чувствительность; • интегральные оптопары (Рис. 3.54, г) — высокое быстродействие и чувствительность, наличие цифрового выхода; • релейные оптопары (Рис. 3.54, д) — низкое сопротивление замкнутого ключа, большой коммутируемый ток. Рис. 3.54. Условные обозначения оптопар: а) с диодным выходом; б) с транзисторным выходом; в) с транзисторным выходом и отводом от базы; г) с цифровым выходом; д) с электронным ключом на замыкание (оптореле). Схемы подключения фотоприёмников транзисторных (Рис. 3.55, а…р), диодных (Рис. 3.56, а…д), релейных и интегральных оптопар (Рис. 3.57, а, б) к МК в целом похожи друг на друга, хотя и имеют различия. Рис. 3.55. Схемы подключения фотоприёмников транзисторных оптопар к МК {начало)’. а)типовая схема подключения транзисторной оптопары к МК. Резистор R1 ограничивает коллекторный ток. Конденсатор С/ фильтрует короткие импульсы ложных срабатываний и устраняет «звон» на фронтах сигналов. Резистор /?2 выполняет две функции. Во-первых, служит защитой МК от ошибок в программе, когда линия порта переключается с входа на выход с ВЫСОКИМ уровнем. Во-вторых, ограничивает ток разряда конденсатора С/ (если он имеет большую ёмкость 6.8…22 мкФ) через внутренний диод МК при снятии питания; б) коллекторный ток транзистора оптопары VU1 протекает через резистор RI и внутренний «pull-up» резистор МК. Ток очень низкий, поэтому транзистор должен быть надёжно закрыт, что достигается при полном отсутствии напряжения на излучательном диоде оптопары. Фильтр /?/, С/ устраняет импульсные помехи. При большой ёмкости конденсатора С/ (микрофарады) надо поставить ограничительный резистор сопротивлением 1 кОм прямо на входе МК; в) схема применяется, если МК не имеет внутреннего «pull-up» резистора или требуется обеспечить стабильный и достаточно большой коллекторный ток через транзистор оптопары, не зависящий от разброса параметров МК. Фильтр R2, CI подавляет короткие импульсные помехи, «просачивающиеся» через проходную ёмкость оптопары VUI’, Рис. 3.55. Схемы подключения фотоприёмников транзисторных оптопар к МК {продолжение)’. г) ТТЛ-триггер Шмитта DDI улучшает помехоустойчивость и увеличивает крутизну фронтов сигнала. Необходимость резистора /?2 проверяется экспериментально. Сопротивление резистора RI должно быть достаточно низким, чтобы обеспечить ВЫСОКИЙ входной уровень для логического элемента DDI при закрытом транзисторе оптопары VUI\ д) аналогичнРис. 3.55, г, но с КМ О П-триггером Шмитта DDI, при этом сопротивление резистора R1 может изменяться в широких пределах от единиц до десятков килоом; е) транзистор VT1 находится в глубоком насыщении, в связи с чем повышается помехоустойчивость, поскольку перестают сказываться небольшие флуктуации коллекторного тока фотоприёмника оптопары VUL Оборотная сторона медали — снижение быстродействия, т.к. для выхода транзистора VT1 из насыщения требуется определённое время; ж) в транзисторных оптопарах, имеющих отвод от базы, обычно ставят резистор /?/, чтобы база «не висела в воздухе». Без резистора RI оптопара тоже будет работать, но с возможными сбоями. Кроме того, в сложной помеховой обстановке свободный вывод базы может стать своеобразной антенной для приёма наводок «по эфиру», поэтому без веских причин применять пяти- выводные оптопары не следует; з) транзистор оптопары VLU включается как инвертор, а транзистор оптопары VU2 — как повторитель сигнала. В связи с этим от одного входа +Е, —Е можно получить два противофазных выходных сигнала, подаваемых на две разные линии М К или на другие цепи устройства; и) цепочка R1, С/ поднимает усиление в области высоких частот. Эта схема актуальна только для транзисторной оптопары VU1, имеющей отвод от базы; к) передача переменного напряжения Рис. 3.57. Схемы подключения фотоприёмников релейных и интегральных оптопар к МК: а) резистор R1 определяет ток через ключ релейной оптопары VU1\ б) интегральная оптопара VU1 формирует на своём выходе НИЗКИЙ и ВЫСОКИЙ логические сигналы с уровнями ТТЛ. Резистор RI может отсутствовать, если используется оптопара, которая формирует сигналы с уровнями КМОП. nauchebe.net ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ ГОСТ 2.730-73 ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ Москва ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР Единая система конструкторской документации ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕВ СХЕМАХ.ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Unified system for design documentation.Graphical symbols in diagrams.Semiconductor devices ГОСТ2.730-73 Дата введения 1974-07-01 1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности. (Измененная редакция, Изм. № 3). 2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1. Таблица 1 Наименование Обозначение 1. (Исключен, Изм. № 2). 2. Электроды: база с одним выводом база с двумя выводами Р-эмиттер с N-областью N-эмиттер с Р-областью несколько Р-эмиттеров с N -областью несколько N -эмиттеров с Р-областью коллектор с базой несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе 3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р-области к N-области и наоборот область собственной электропроводности (I-область): l) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP 2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN 3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP 4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN 4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа обедненного типа 5. Переход PN 6. Переход NP 7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип 8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип 9. Затвор изолированный 10. Исток и сток Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: 11. Выводы полупроводниковых приборов: электрически, не соединенные с корпусом электрически соединенные с корпусом 12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку (Измененная редакция, Изм. № 2, 3). 3, 4. (Исключены, Изм. № 1). 5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4. Таблица 4 Наименование Обозначение 1. Эффект туннельный а) прямой б) обращенный 2. Эффект лавинного пробоя: а) односторонний б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2). 9. Эффект Шоттки 6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5. Таблица 5 Наименование Обозначение 1. Диод Общее обозначение 2. Диод туннельный 3. Диод обращенный 4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) а) односторонний б) двухсторонний 5. Диод теплоэлектрический 6. Варикап (диод емкостный) 7. Диод двунаправленный 8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами 8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами 9. Диод Шотки 10. Диод светоизлучающий 7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6. Таблица 6 Наименование Обозначение 1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении 2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении 3. Тиристор диодный симметричный 4. Тиристор триодный. Общее обозначение 5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду по катоду 6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду 7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: общее обозначение с управлением по аноду с управлением по катоду 8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) - триак 9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника. 8. Примеры построения обозначений транзисторов с Р-N-переходами приведены в табл. 7. Таблица 7 Наименование Обозначение 1. Транзистор а) типа PNP б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана 2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом 3. Транзистор лавинный типа NPN 4. Транзистор однопереходный с N-базой 5. Транзистор однопереходный с Р-базой 6. Транзистор двухбазовый типа NPN 7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области 8. Транзистор двухразовый типа PNIN с выводом от I-области 9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN Примечание. При выполнении схем допускается: а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например, б) изображать корпус транзистора. Таблица 8 Наименование Обозначение 1. Транзистор полевой с каналом типа N 2. Транзистор полевой с каналом типа Р 3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки: а) обогащенного типа с Р-каналом б) обогащенного типа с N-каналом в) обедненного типа с Р-каналом г) обедненного типа с N-каналом 4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки 5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом 6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки 7. Транзистор полевой с затвором Шоттки 8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов. 10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9. Таблица 9 Наименование Обозначение 1. Фоторезистор: а) общее обозначение б) дифференциальный 2. Фотодиод З. Фототиристор 4. Фототранзистор: а) типа PNP б) типа NPN 5. Фотоэлемент 6. Фотобатарея Таблица 10 Наименование Обозначение 1. Оптрон диодный 2. Оптрон тиристорный 3. Оптрон резисторный 4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: а) совмещенно б) разнесенно 5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: а) с выводом от базы б) без вывода от базы Примечания: 1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74, например: 2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например: (Поправка, ИУС № 3 1991 г.) 12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11. Таблица 11 Наименование Обозначение 1. Датчик Холла Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника 2. Резистор магниточувствительный 3. Магнитный разветвитель 13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12. Таблица 12 Наименование Обозначение 1. Однофазная мостовая выпрямительная схема: а) развернутое изображение б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение) Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 - выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения. Пример применения условного графического обозначения на схеме 2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема 3. Диодная матрица (фрагмент) Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов 14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13. Таблица 13 Наименование Обозначение Отпечатанное обозначение 1. Диод 2. Транзистор типа PNР 3. Транзистор типа NPN 4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области 5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN Примечание к пп. 2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» - вывод эмиттера. 15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2. (Измененная редакция, Изм. № 4). Приложение 1. (Исключено, Изм. № 4). ПРИЛОЖЕНИЕ 2Справочное Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений Наименование Обозначение 1. Диод 2.. Тиристор диодный 3. Тиристор триодный 4. Транзистор 5. Транзистор полевой 6. Транзистор полевой с изолированным затвором (Введено дополнительно, Изм. № 3). ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ 1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР РАЗРАБОТЧИКИ В. Р. Верченко, Ю. И. Степанов, Э. Я. Акопян, Ю. П. Широкий, В. П. Пармешин, И. К. Виноградова 2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002 3 Соответствует СТ СЭВ 661-88 4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы 5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (январь 1995 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91) www.opengost.ruОптрон PC817 схема включения, характеристики. Обозначение на схеме оптрон
Оптроны. Виды и устройство. Работа и применение. Особенности
Виды и устройство оптронов
Группы содержат в себе множество видов приборов. Для популярных оптопар применяются некоторые обозначения:
Система свойств оптронных устройств основывается на системе свойств оптопар. Эта система создается из четырех групп свойств и режимов:
Показателями гальванической развязки оптронов являются:
Обозначения оптопар на схемах
Диодные оптопары
Транзисторные оптроны
Тиристорные
Резисторные
Дифференциальные
Оптронные микросхемы
Специальные оптроны
Применение оптронных устройств
Контроль электрических процессов
Стабилизатор с контрольным оптроном
Достоинства оптронов
Недостатки оптронов
Оптрон PC817 схема включения, характеристики
PC817 схема включения
PC817 характеристики
№ модели Метка коэффициента CTR (%) PC817A A 80 — 160 PC817B B 130 — 260 PC817C C 200 — 400 PC817D D 300 — 600 PC8*7AB A или B 80 — 260 PC8*7BC B или C 130 — 400 PC8*7CD C или D 200 — 600 PC8*7AC A,B или C 80 — 400 PC8*7BD B,C или D 130 — 600 PC8*7AD A,B,C или D 80 — 600 PC8*7 A,B,C,D или без метки 50 — 600 тестер оптопар
ВМЕСТО ЭЛЕКТРОНОВ — СВЕТ | Техника и Программы
Фотоприёмники в оптопарах для схем на МК
ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые
интернет-магазин светодиодного освещения
Пн - Вс с 10:30 до 20:00
Санкт-Петербург, просп. Энгельса, 138, корп. 1, тк ''Стройдвор''
Поделиться с друзьями: