Обозначение полевого транзистора. Транзистор полевой обозначение на схеме

Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов — DataSheet

Буквенное обозначение		Параметр
Отечественное	Международное	Параметр
IЗ	IG	Ток затвора (постоянный).
Iз отс	IGSX	Ток отсечки затвора.
IЗ пр	IGF	Прямой ток затвора.
IЗ ут	IGSS	Ток утечки затвора.
IЗИО	IGSO	Обратный ток перехода затвор-исток.
IЗСО	IGDO	Обратный ток перехода затвор-сток.
IИ	IS	Ток истока (постоянный).
IИ нач	ISDS	Начальный ток истока.
IИ ост	ISDX	Остаточный ток истока.
IС	ID	Ток стока (постоянный).
IС нагр	IDSR	Ток стока при нагруженном затворе.
IС нач	IDSS	Начальный ток стока.
IС ост	IDSX	Остаточный ток стока.
IП	IB, IU	Ток подложки.
UЗИ	UGS	Напряжение затвор-исток (постоянное).
UЗИ обр	UGSR	Обратное напряжение затвор-исток (постоянное).
UЗИ отс	UGS(OFF), UGS(off)	Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвороми истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).
UЗИ пор	UGST, UGS(th), UGS(TO)	Пороговое напряжение транзистора — напряжение между затвором и истоком (у полевого транзистора с изолированным затвором).
UЗИ пр	UGSF	Прямое напряжение затвор-исток (постоянное).
UЗ проб	U(BR) GSS	Пробивное напряжение затвора — напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке.
UЗП	UGB, UGU	Напряжение затвор-подложка (постоянное).
UЗС	UGD	Напряжение затвор-сток (постоянное).
UИП	USB, USU	Напряжение исток-подложка (постоянное).
UСИ	UDS	Напряжение сток-исток (постоянное).
UСП	UDB, UDU	Напряжение сток-подложка (постоянное).
U31— U32	UG1— UG2	Напряжение затвор-затвор (для приборов с двумя затворами).
PСИ	PDS	Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).
PСИ, т max	—	Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом(постоянная).
S	gms	Крутизна характеристики.
RЗИ	rGS, rgs	Сопротивление затвор-исток.
RЗС	rGD, rgd	Сопротивление затвор-сток.
RЗСО	rGSS, rgss	Сопротивление затвора (при UDS = 0 или Uds = 0).
RСИ отк	rDS(ON), rds(on), rDS on	Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзисторапри заданном напряжении сток-исток.
RСИ закр	rDS(OFF), rds(off), rDS off	Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток.
Сзио	Cgso	Емкость затвор-исток — емкость между затвором и истоком приразомкнутых по переменному току остальных выводах.
Сзсо	Cgdo	Емкость затвор-сток — емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Ссио	Cdso	Емкость сток-исток — емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
C11и, Свх, и	Ciss, C11ss	Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком.
С12и	Crss, C12ss	Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при короткомзамыкании на входе по переменному току.
С22и	Coss, C22ss	Выходная емкость транзистора — емкость между стокоми истоком.
С22с	Cods, C22ds	Выходная емкость в схеме с общим стоком при коротком замыкании на входе (при коротком замыкании цепи затвор-сток по переменному току).
g11и	giss, g11s	Активная составляющая входной проводимости транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе).
g22и	goss, g22s	Активная составляющая выходной проводимости транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе).
Y11и	Yis, Y11s	Полная входная проводимость транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе).
Y12и	Yrs, Y12s	Полная проводимость обратной передачи транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе).
Y21и	Yfs, Y21s	Полная проводимость прямой передачи транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе;Yfs = gfs + gbfs = Id / Ugs ; на низких частотах \|Yfs\| = gfs).
Y22и	Yos, Y22s	Полная выходная проводимость транзистора (при коротком замыкании на входе).
Kу. P	GP	Коэффициент усиления по мощности.
fY21и	fYfs	Частота отсечки в схеме с общим истоком.
Uш	Un	Шумовое напряжение транзистора.
Eш	en	Электродвижущая сила шума
Kш	F	Коэффициент шума транзистора.
—	αID	Температурный коэффициент тока стока.
—	αrds	Температурный коэффициент сопротивления сток-исток.
tвкл	ton	Время включения транзистора.
tвыкл	toff	Время выключения транзистора.
tзд, вкл	td(on)	Время задержки включения.
tзд, выкл	td(off)	Время задержки выключения.
tнр	tr	Время нарастания.
tсп	tf	Время спада.
Для сдвоенных полевых транзисторов:
IЗ(ут)1-IЗ(ут)2	IGSS1-IGSS2	Разность токов утечки затвора (для полевых транзисторов с изолированным затвором) и разность токов отсечки затвора (для полевых транзисторов с р-n-переходом).
IC нач1/IC нач1	IDSS1/IDSS2	Отношение токов стока при нулевом напряжении затвор-исток.
UЗИ1-UЗИ2	UGS1-UGS2	Разность напряжений затвор-исток.
\|Δ(UЗИ1-UЗИ2 )\|/ΔT	\|Δ(UGS1-UGS2 )\|/ΔT	Изменение разности напряжений затвор-исток между двумя значениями температуры.
g22и1-g22и2	gos1-gos2	Разность выходных проводимостей в режиме малого сигнала в схеме с общим истоком.
g21и1/g21и2	gos1/gos2	Отношение полных проводимостей прямой передачи в режиме малого сигнала в схеме с общим истоком.

rudatasheet.ru

Транзисторы.

Трафарет Visio Транзисторы.

Каждой фигурой трафарета Транзисторы, представлены несколько условных обозначений схожих по функциональным особенностям транзисторов. Изменить условное обозначение, можно в контекстном меню фигуры:

Контекстное меню фигуры условного обозначения транзистора.

Некоторые примеры условных обозначений транзисторов, полученных изменение комбинаций команд в контекстном меню фигур:1. Транзистор биполярный.

	Транзистор биполярный PNP.
	Транзистор биполярный NPN.
	Транзистор биполярный NPN, коллектор соединен с корпусом.
	Транзистор лавинный типа NPN.

2. Транзистор однопереходный.

	Транзистор однопереходный с P-базой.
	Транзистор однопереходный с N-базой.

3. Транзистор двухбазовый.

	Транзистор двухбазовый типа PNP.
	Транзистор двухбазовый типа NPN.
	Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области.
	Транзистор двухразовый типа PNIN с выводом от i-области.

4. Транзистор полевой.

	Транзистор полевой с каналом типа N.
	Транзистор полевой с каналом типа P.

5. Транзистор полевой с изолированным затвором.

	Транзистор полевой с изолированным затвором обедненного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки.
	Транзистор полевой с изолированным затвором обедненного типа с Р-каналом, с внутренним соединением истока и подложки.
	Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с Р-каналом, с внутренним соединением истока и подложки.
	Транзистор полевой с изолированным затвором обедненного типа с N-каналом.
	Транзистор полевой с изолированным затвором обедненного типа с Р-каналом.
	Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с Р-каналом.

6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами.

	Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки.
	Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с N-каналом с выводом от подложки.
	Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обогащенного типа с Р-каналом с выводом от подложки.

7. Транзистор биполярный с изолированным затвором.

	Транзистор биполярный с изолированным затвором обедненного типа с N-каналом.
	Транзистор биполярный с изолированным затвором обедненного типа с Р-каналом.
	Транзистор биполярный с изолированным затвором обогащенного типа с Р-каналом.

Дополнительно, в контекстном меню фигуры условного обозначения транзистора, можно поменять местами вывода как вертикально так и горизонтально, скрыть или показать маркировку выводов, скрыть символ корпуса.

Пример изменения условного обозначения полевого транзистора, видео:

td-visio.ru

Условные обозначения полевых транзисторов

Электроника Условные обозначения полевых транзисторов
просмотров - 154

Принцип действия и характеристики

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

ЛЕКЦИЯ 19

Назначение, типы, обозначения, устройство,

Полевые транзисторы применяются:

1) в усилительных каскадах с высоким входным сопротивлением;

2) в ключевых и логических схемах.

Полевые транзисторы могут работать при низких температурах (вплоть до 0К), имеют высокую стабильность параметров во времени под действием различных неблагоприятных факторов, обладают высокой радиационной устойчивостью, работают в космосе и др.

Полевой транзистор (ПТ) - ϶ᴛᴏ полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком базовых носителей заряда одного знака, протекающим через проводящий канал, и который управляется электрическим полем.

В полевом транзисторе имеются:

КАНАЛ - ϶ᴛᴏ область в транзисторе, сопротивление которой зависит от потенциала на затворе.

ЗАТВОР (З) – электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала.

ИСТОК (И) – электрод, из которого в канал входят основные носители заряда.

СТОК (С) – электрод, через который основные носители заряда уходят из канала.

Полевые транзисторы делятся на транзисторы с каналами n- и p-типов.

По способу изоляции затвора полевые транзисторы делятся на транзисторы с управляющим p-n-переходом и транзисторы с изолированным затвором.

Тип затвора	Канал	Условное обозначение
p-n-переход	n-типа
	p-типа
Изолированный	n-типа
	p-типа

Обозначение полевого транзистора

Условное графическое обозначение полевых транзисторов

На принципиальных схемах можно встретить обозначения полевого транзистора той или иной разновидности.

Чтобы не запутаться и получить наиболее полное представление о том, какой всё-таки транзистор используется в схеме, сопоставим условное графическое обозначение униполярного транзистора и его отличительные свойства, и особенности.

Независимо от разновидности полевого транзистора он имеет три вывода. Один из них называется Затвор (З). Затвор является управляющим электродом, на него подают управляющее напряжение. Следующий вывод зовётся Исток (И). Исток аналогичен эмиттеру у биполярных транзисторов. Третий вывод именуется Сток (С). Сток является выводом, с которого снимается выходной ток.

На зарубежных электронных схемах можно увидеть следующее обозначение выводов униполярных транзисторов:

Зная зарубежные обозначения выводов полевого транзистора, будет легко разобраться в схемах импортной электроники.

Обозначение полевого транзистора с управляющим p-n – переходом (J-FET).

Итак. Транзистор с управляющим p-n – переходом обозначается на схемах так:

В зависимости от типа носителей, которые используются для формирования проводящего канала (область, через которую течёт регулируемый ток), данные транзисторы могут быть n-канальные и p-канальные. На графическом обозначении видно, что n-канальные изображаются со стрелкой, направленной внутрь, а p-канальные наружу.

Униполярные транзисторы МДП типа (MOSFET) имеют немного иное условное графическое обозначение, нежели J-FET’ы c управляющим p-n переходом. MOSFET’ы также могут быть как n-канальными, так и p-канальными.

MOSFET’ы существуют двух типов: со встроенным каналом и индуцированным каналом.

Разница в том, что транзистор с индуцированным каналом открывается только при подаче на затвор положительного или только отрицательного порогового напряжения. Пороговое напряжение (Uпор) – это напряжение между выводом затвора и истока, при котором полевой транзистор открывается и через него начинает протекать ток стока (Ic).

Полярность порогового напряжения зависит от типа канала. Для мосфетов с p-каналом к затвору необходимо приложить отрицательное «-» напряжение, а для тех, что с n-каналом, положительное «+» напряжение. Мосфеты с индуцированным каналом ещё называют транзисторами обогащённого типа. Поэтому, если услышите, что говориться о мосфете обогащенного типа – знайте, это транзистор с индуцированным каналом. Далее показано его условное обозначение.

Основное отличие МДП-транзистора с индуцированным каналом от полевого транзистора со встроенным каналом заключается в том, что он открывается только при определённом значении (U пороговое) положительного, либо отрицательного напряжения (зависит от типа канала – n или p).

Транзистор же со встроенным каналом открывается уже при «0», а при отрицательном напряжении на затворе работает в обеднённом режиме (тоже открыт, но пропускает меньше тока). Если же к затвору приложить положительное «+» напряжение, то он продолжит открываться и перейдёт в так называемый режим обогащения — ток стока будет увеличиваться. Данный пример описывает работу n-канального mosfet’а со встроенным каналом. Их ещё называют транзисторами обеднённого типа. Далее показано их условное изображение на схемах.

n-канальный МДП транзистор со встроенным каналом

p-канальный МДП транзистор со встроенным каналом

На условном графическом обозначении отличить транзистор с индуцированным каналом от транзистора со встроенным каналом можно по разрыву вертикальной черты.

Иногда в технической литературе можно увидеть изображение МОП-транзистора с четвёртым выводом, который является продолжением линии стрелки указывающей тип канала. Так вот, четвёртый вывод – это вывод подложки (substrate). Такое изображение мосфета применяется, как правило, для описания дискретного (т.е. отдельного) транзистора и используется лишь как наглядная модель. В процессе производства подложку обычно соединяют с выводом истока.

MOSFET с выводом подложки (substrate)

У мощных транзисторов МДП есть одна особенность – это наличие «паразитного» биполярного транзистора. Чтобы предотвратить работу такого «паразитного» элемента применяется следующая хитрость: Вывод истока (S) соединяют с подложкой (substrate). При этом происходит соединение выводов база-эмиттер в структуре «паразитного» транзистора и он находится в закрытом состоянии, и не мешает нормальной работе мосфета. На условном обозначении эта особенность указывается с помощью соединения вывода истока МДП-транзистора и стрелкой, которая указывает тип канала.

Обозначение мощного МОП-транзистора

В результате соединения истока и подложки в структуре полевого mosfet’а между истоком и стоком образуется встроенный диод. На работу прибора данный диод не влияет, поскольку в схему он включен в обратном направлении. В некоторых случаях, встроенный диод, который образуется из-за технологических особенностей изготовления мощного MOSFET’а можно использовать на практике. В последних поколениях мощных МОП-транзисторов встроенный диод используется для защиты самого элемента.

MOSFET со встроенным диодом

Встроенный диод на условном обозначении мощного МДП-транзистора может и не указываться, хотя реально такой диод присутствует в любом мощном полевике.

Также Вам будет интересно узнать:

Обозначение полевого транзистора Условное графическое обозначение полевого транзистора

На принципиальных схемах можно встретить обозначения полевого транзистора той или иной разновидности. Чтобы не запутаться и получить наиболее полное представление о том, какой всё-таки транзистор используется в схеме, сопоставим условное графическое обозначение униполярного транзистора и его отличительные свойства и особенности

Независимо от разновидности полевого транзистора он имеет 3 вывода. Один из них называется Затвор (З). Затвор является управляющим электродом, на него подают управляющее напряжение. Следующий вывод зовётся Исток (И). Исток аналогичен эмиттеру у биополярных транзисторов . Третий вывод именуется Сток ©. Сток является выводом, с которого снимается выходной ток.

На зарубежных электронных схемах можно увидеть следующее обозначение выводов униполярных транзисторов:

Обозначение полевого транзистора с управляющим p-n – переходом (J-FET).

Итак. Транзистор с управляющим p-n – переходом обозначается на схемах так:

n-канальный J-FET транзистор

p-канальный J-FET транзистор

В зависимости от типа носителей, которые используются для формирования проводящего канала (область, через которую течёт регулируемый ток), данные транзисторы могут быть n-канальные и p-канальные. На графическом обозначении видно, что n-канальные транзисторы изображаются со стрелкой, направленной внутрь, а p-канальные наружу.

Униполярные транзисторы МДП типа (MOSFET) имеют немного иное условное графическое обозначение, нежели транзисторы J-FET c управляющим p-n переходом. MOSFET транзисторы также могут быть как n-канальными, так и p-канальными.

Транзисторы MOSFET существуют двух типов: со встроенным каналом и индуцированным каналом.

Полярность порогового напряжения зависит от типа канала транзистора. Для МДП-транзисторов с p-каналом к затвору необходимо приложить отрицательное «-» напряжение, а для транзисторов с n-каналом положительное «+» напряжение. МДП-транзисторы с индуцированным каналом ещё называют транзисторами обогащённого типа. Поэтому, если услышите, что говориться о МДП-транзисторе обогащенного типа – знайте, это транзистор с индуцированным каналом. Далее показано условное обозначение транзисторов с индуцированным каналом.

n-канальный MOSFET транзистор

p-канальный MOSFET транзистор

Транзистор же со встроенным каналом открывается уже при «0», а при отрицательном напряжении на затворе работает вобеднённом режиме (тоже открыт, но пропускает меньше тока). Если же к затвору приложить положительное «+» напряжение, то транзистор продолжит открываться и перейдёт в так называемый режим обогащения — ток стока будет увеличиваться. Данный пример описывает работу n-канального МДП транзистора со встроенным каналом. Транзисторы со встроенным каналом ещё называют транзисторами обеднённого типа. Далее показано их условное изображение на схемах.

n-канальный МДП транзистор со встроенным каналом

p-канальный МДП транзистор со встроенным каналом

Иногда в технической литературе можно увидеть изображение МОП транзистора с четвёртым выводом, который является продолжением линии стрелки указывающей тип канала. Так вот, четвёртый вывод – это вывод подложки (substrate). Такое изображение полевого МОП транзистора применяется, как правило, для описания дискретного (т.е. отдельного) транзистора и используется лишь как наглядная модель. При изготовлении МОП транзистора подложку обычно соединяют с выводом истока.

MOSFET транзистор с выводом подложки (substrate)

У мощных транзисторов МДП есть одна особенность – это наличие «паразитного» биполярного транзистора. Чтобы предотвратить работу «паразитного» биполярного транзистора применяется следующая хитрость: Вывод истока (S) соединяют с подложкой (substrate). При этом происходит соединение выводов база-эмиттер в структуре «паразитного» транзистора и он находится в закрытом состоянии, и не мешает нормальной работе МДП-транзистора. На условном обозначении эта особенность указывается с помощью соединения вывода истока МДП-транзистора и стрелкой, которая указывает тип канала.

Обозначение мощного МОП-транзистора

В результате соединения истока и подложки в структуре полевого МОП транзистора между истоком и стоком образуетсявстроенный диод. На работу транзистора данный диод не влияет, поскольку в схему он включен в обратном направлении. В некоторых случаях, встроенный диод, который образуется из-за технологических особенностей изготовления мощного МОП-транзистора можно использовать на практике. В последних поколениях мощных МОП-транзисторов встроенный диод используется для защиты транзистора.

MOSFET транзистор со встроенным диодом

Встроенный диод на условном обозначении мощного МДП-транзистора может и не указываться, хотя реально такой диод присутствует в любом мощном полевом транзисторе.

Нет отзывов. Ваш будет первым!

Нет комментариев. Ваш будет первым!

— О портале RADIODVOR.COM

Портал предоставляет пользователям удобные и эффективные сервис-услуги,

обзор самых последних событий в сферах радиоэлектроники, а так же технологий

в этом направлении. Данный портал ориентирован на пространство бывшего СНГ.

Портал день за днем все больше наполняется полезной информацией,

Полевой транзистор. Определение. Обозначение. Типы, виды, категории, классификация. Свойства. Исток, сток, затвор, канал. MOSFET, FET, МОП, КМОП

Полевой транзистор. Определение. Обозначение. Классификация (10+)

Полевой транзистор (FET) — электронный прибор, который позволяет регулировать ток, изменяя управляющее напряжение. Как я уже писал ранее, для проектирования электронных схем нет никакой необходимости иметь представление о физических принципах работы и устройстве электронного прибора. Достаточно знать, что это — черный ящик, обладающий определенными характеристиками. Ничего не изменится, если вдруг изобретут новую технологию, позволяющую делать приборы, по характеристикам похожие на полевые транзисторы, но основанные на других принципах. Мы будем их ставить в те же схемы и называть полевиками.

Полевой транзистор — это прибор, обладающий четырьмя выводами: Исток, Сток, Затвор, Подложка. Управляющее напряжение прилагается между Затвором и Истоком. В большинстве случаев подложка внутри корпуса соединена с истоком, так что наружу торчат три вывода. Некоторые виды полевых транзисторов не имеют подложки (транзисторы с p-n переходом).

Вашему вниманию подборка материалов:

Практика проектирования электронных схем Искусство разработки устройств. Элементная база. Типовые схемы. Примеры готовых устройств. Подробные описания. Онлайн расчет. Возможность задать вопрос авторам

Полевой транзистор имеет два режима работы: Линейный участок и участок насыщения.

Линейный участок: [Ток стока, А] = 2 * k * (([Управляющее напряжение, В] — [Пороговое напряжение, В]) * [Напряжение сток — исток, В] — 0.5 [Напряжение сток — исток, В] ^ 2)

Участок насыщения: [Ток стока, А] = k * ([Управляющее напряжение, В] — [Пороговое напряжение, В]) ^ 2

Пороговое напряжение (напряжение отсечки) — это некоторая абстрактная величина, для которой верно уравнение линейного участка. Можно считать, что это напряжение, при котором продолженная прямая линия линейного участка достигает нулевого тока. Обратите внимание, что это именно абстракция. Очень распространенной ошибкой является мнение, что при управляющем напряжении, меньше порогового, проводимость отсутствует. Это не так. Гарантировать отсутствие проводимости можно только, если напряжение меньше намного (несколько вольт). Если же оно вблизи порогового, то небольшая проводимость присутствует, но вывести разумную формулу для ее расчета возможным (да и полезным) не представляется.

Подложка образует p-n переход с полупроводниковым каналом, соединяющим сток и исток, так что напряжение на подложке не должно быть меньше (для канала типа n) / больше (для канала типа p) напряжения на истоке.

Сопротивление между затвором и истоком полевого транзистора в рабочем режиме очень высокое.

Электронный прибор с четырьмя или тремя выводами, обладающий свойствами, описанными этими формулами, мы будем называть Полевым транзистором

Обозначение и классификация (виды, типы) полевых транзисторов

Полевые транзисторы бывают с изолированным затвором (MOSFET, МОП) (первая буква индекса на картинке ‘A’) и с p-n переходом (первая буква индекса на картинке ‘B’). Прибор с изолированным затвором может работать при любой полярности напряжения на затворе, так как затвор изолирован от канала. Прибор с p-n переходом работает, только если p-n переход не проводит электрический ток, то есть прямое напряжение не может превышать нескольких десятых вольта.

Полевые транзисторы бывают с каналом n — типа (вторая буква индекса на картинке ‘A’) и p — типа (вторая буква индекса на картинке ‘B’). n — канальные транзисторы работают, когда напряжение на истоке меньше напряжения на стоке, p — канальные, наоборот, когда напряжение на истоке больше напряжения на стоке. На затвор n — канального полевого транзистора с p-n переходом нужно подавать отрицательное напряжение относительно истока, на затвор p — канального — положительное.

На изображении обозначены: (1) — сток, (2) — исток, (3) — затвор, (4) — подложка. Когда подложка соединена с истоком, это соединение показывается на изображении.

n — канальные полевые транзисторы с изолированным затвором могут быть обедненного типа и обогащенного типа. Обогащенные полевые транзисторы проводят ток, только если напряжение на затворе выше, чем на истоке. Обедненные перестают проводить ток (запираются) при некотором отрицательном напряжении на затворе относительно истока.

р — канальные полевые транзисторы бывают только обогащенными. Они начинают проводить ток (отпираются) при некотором отрицательном относительно истока напряжении на затворе.

Полевые транзисторы обладают замечательным эффектом, позволяющим соединять их параллельно без всяких проблем. При большом токе стока по мере нагрева ток стока снижается. При малом стоке, кстати, этот эффект не наблюдается. Снижение тока стока при нагреве приводит к равномерному распределению тока между транзисторами, соединенными параллельно, без каких-либо дополнительных усилий. Действительно, полевой транзистор, через который ток в холодном состоянии немного больше (из-за технологического разброса), просто немного сильнее нагревается, и ток выравнивается.

К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости, чтобы быть в курсе.

Если что-то непонятно, обязательно спросите!

Уважаемый Автор, мне кажется, в статье перепутаны определения обедненных и обогащенных транзисторов. р-канальные транзисторы действительно бывают только обогащённого типа (они же с индуцированным каналом они же enhancement-mode). Но они не проводят ток при нулевом напряжении затвора, а отпираются при некотором пороговом отрицательном напряжении на затворе относительно с Читать ответ.

Применение и параметры IRFP2907, мощного полевого транзистора, рассчитанного на .

Как проверить исправность биполярного и полевого транзисторов. Методика испытани.

Применение и параметры IRFP450, высоковольтного полевого транзистора.

Искусство разработки устройств. Элементная база радиоэлектроники. Типовые схемы.

Конструкция макетной платы для моделирования электронных схем.

Схема импульсного ЛАТРа для самостоятельной сборки.

Два примера применения магнитного усилителя — токовые клещи и стабилизатор напря.

Расчет и применение колебательных контуров. Явление резонанса. Последовательные .

Обозначение полевого транзистораОбозначение полевого транзистора Условное графическое обозначение полевых транзисторов На принципиальных схемах можно встретить обозначения полевого транзистора той или иной разновидности.http://go-radio.ru/polevoi-transistor-oboznachenie.htmlОбозначение полевого транзистора Условное графическое обозначение полевого транзистораобозначение полевого транзистора условное графическое обозначение полевого транзистораhttp://radiodvor.com/news/dlja-nachinayuschih-radiolyubitelei/oboznachenie-polevogo-tranzistora-uslovn.htmlПолевой транзисторПолевой транзистор. Определение. Обозначение. Классификацияhttp://gyrator.ru/field-effect-transistor

you-master.ru

Радио для всех - Транзисторы

Слово Transistor является аббревиатурой и представляет собой комбинацию слов Transfer + Varistor, используемых для описания их режима работы еще в первые дни своего создания.

Три изобретателя транзистора: (слева направо) Уильям Шокли, Джон Бардин. И Уолтер Браттен.Которые были награждены Нобелевской премией 1956 года по физике.

Первый транзистор

Добавьте дополнительный полупроводниковый слой к соединительному диоду, и вы получите BJT. BJT - трехслойный (легированный) полупроводниковый "сэндвич",который может быть либо PNP, либо NPN.

BJT - это регулятор тока, управляемый током. Основной ток протекает от эмиттера к коллектору (PNP) или от коллектора к эмиттеру (NPN). Вы управляете основным током, изменяя базовый ток. Управляющий ток протекает от эмиттера до базы (PNP-прямая проводимость) или от базы к эмиттеру (NPN-обратная проводимость). Маленькая стрелка на эмиттере всегда указывает направлении тока/ Ток эмиттера = базовый ток + ток коллектора по KCL (международный калибровочный стандарт для измерения электропроводности).

BJT являются «биполярными», потому что они используют оба типа несущей (электроны + дырки). Когда базовый ток равен 0 (или меньше порогового тока), транзистор выключен (становится полностью непроводящим. Когда базовый ток максимален, транзистор насыщается (становится полностью проводящим). Поскольку подвижность электронов больше подвижности дырок, NPN является более распространенным. Управляемый ток протекает через 2 внешних слоя, а не в базовом.

BJT как переключатель

Примечание: BJTs фактически имеют 5 рабочих режимов (а не только обрезание или насыщение)/ Для наших целей мы будем иметь дело главным образом с областями отсечки и насыщения, что позволяет нам использовать BJT в качестве прогрессивного переключателя

Крошечный сигнал, взятый из микрофона (представьте себе хлопок), однажды выпрямленный, можно использовать для включения базы транзистора и включения лампы. Крошечный ток будеи управлять гораздо большим током (усилением). Аккумулятор обеспечивает больший ток, а не транзистор (без магии). Чем громче хлопок, тем ярче горит лампочка (активный режим) пока не достигнет насыщения.

BJT, как мы уяснили, это в основном управляемое током устройство.

На транзисторе NPN

·Высокий потенциал на коллекторе·Низкий потенциал у эмиттера·Протекает ток, когда базовому элементу придается высокий потенциал

На транзисторе NPN

·Высокий потенциал на эмиттере·Низкий потенциал на коллекторе·Протекает ток, когда база подключена к низкому потенциалу

Режимы BJT

-Область отсечки: VBE <VFB, iB = 0-Транзистор действует как выключатель-Активная линейная область: VBE = VFB, iB ≠ 0, iC = βiB-Транзистор действует как усилитель тока-Область насыщения: VBE = VFB, iB> iC, max / βВ этом режиме транзистор действует как переключатель включения

3 параметра, представляющие интерес

-Коэффициент усиления по току (β)-Падение напряжения от базы к эмиттеру при VBE = VFB-Минимальное падение напряжения на коллекторе и эмиттере при насыщении транзистора

Поскольку биполярный транзистор является трехконтактным устройством, существует три возможных способа его подключения в электронной схеме, причем один вывод является общим для входа и выхода. Каждый способ соединения по-разному реагирует на входной сигнал в цепи, поскольку статические характеристики транзистора изменяются в зависимости от схемы.

Общая конфигурация базы - имеет коэффициент усиления по напряжению , но не коэффициент усиления по току.
Общая конфигурация излучателя - имеет коэффициент усиления по току и напряжению .
Общая конфигурация коллектора - имеет коэффициент усиления по току, но без усиления напряжения .

Конфигурация с общей базой (ОБ)

Как следует из названия, в базовой конфигурации базовое соединение является общим как для входного сигнала, так и для выходного сигнала, при этом входной сигнал подается между базовым и эмиттерным терминалами. Соответствующий выходной сигнал берется между базовым и коллекторным терминалами, как показано на базовом терминале, заземленном или подключенном к фиксированной опорной точке напряжения.

Входной ток, протекающий в эмиттер, достаточно велик, так как сумма его как основного тока, так и тока коллектора соответственно, следовательно, токовый выход коллектора меньше входа тока эмиттера, что приводит к коэффициенту усиления по току для этого типа схемы «1», (Единицы) или меньше, другими словами, общая базовая конфигурация «ослабляет» входной сигнал.

Общая цепь базового транзистора

Эта конфигурация усилителя такого типа является схемой усилителя без инвертирующего напряжения, поскольку напряжения Vin и Vout сигнала являются « синфазными » . Этот тип структуры транзистора не очень распространен из-за его необычно высоких характеристик усиления напряжения. Его входные характеристики соответствуют характеристикам прямого смещенного диода, в то время как выходные характеристики соответствуют характеристикам освещенного фотодиода. Также этот тип биполярной конфигурации транзистора имеет высокое отношение выходного сигнала к входному сопротивлению или, что более важно, «нагрузочное» сопротивление ( RL ) к «входному» сопротивлению ( Rin ), что дает ему значение «Resistance Gain». Тогда коэффициент усиления напряжения ( Av ) для общей базовой конфигурации определяется как:

Общий базовый коэффициент усиления напряжения

Где: Ic / Ie - текущий коэффициент усиления, альфа ( α ) и RL / Rin - коэффициент усиления сопротивления. Схема общей базы обычно используется только в однокаскадных схемах усилителя, таких как микрофонный предусилитель или радиочастотный ( Rf ) усилители, благодаря своей очень хорошей частотной характеристике.

Конфигурация с общим эмиттером (ОЭ)

В конфигурации с общим эмиттером или заземленным эмиттером входной сигнал подается между базой и эмиттером, в то время как выходной сигнал берется между коллектором и эмиттером, как показано. Этот тип конфигурации является наиболее часто используемой схемой для транзисторных усилителей и представляет собой «нормальный» метод биполярного транзисторного соединения. Общая конфигурация усилителя эмиттера обеспечивает наибольший коэффициент усиления по току и мощности для всех трех конфигураций биполярных транзисторов. Это связано главным образом с тем, что входной импеданс НИЗКИЙ, поскольку он подключен к прямому смещенному PN-переходу, в то время как выходной импеданс ВЫСОКИЙ, как он взят из обратного смещенного PN-перехода.

Общая схема с эмиттером

В этом типе конфигурации ток, выходящий из транзистора, должен быть равен токам, втекающим в транзистор, когда ток эмиттера задан как Ie = Ic + Ib . Поскольку сопротивление нагрузки ( RL ) последовательно соединено с коллектором, коэффициент усиления тока общей конфигурации эмиттерного транзистора является довольно большим, поскольку он представляет собой отношение Ic / Ib . Текущий коэффициент усиления транзисторов задается греческим символом Beta , ( β ). Поскольку ток эмиттера для общей конфигурации эмиттера определяется как Ie = Ic + Ib , отношение Ic / Ie называется Alpha , учитывая греческий символ α . Обратите внимание: значение Alpha всегда будет меньше единицы. Поскольку электрическое соотношение между этими тремя токами Ib , Ic и Ie определяется физической конструкцией самого транзистора, любое небольшое изменение базового тока ( Ib ) приведет к значительно большему изменению тока коллектора ( Ic ) , Тогда небольшие изменения тока, текущего в базе, будут, таким образом, управлять током в схеме эмиттер-коллектор. Как правило, для большинства транзисторов общего назначения значение бета имеет значение от 20 до 200. Таким образом, если транзистор имеет значение бета, равное, например, 100, то один электрон будет течь от базового терминала на каждые 100 электронов, протекающих между клеммой эмиттер-коллектор. Объединяя выражения для Alpha , α и Beta , β математическое соотношение между этими параметрами и, следовательно, текущее усиление транзистора может быть задано как:

Где: « Ic » - ток, протекающий в коллекторную клемму, « Ib » - ток, протекающий в базовую клемму, а « Ie » - ток, текущий через клемму эмиттера. Затем подведем итог. Этот тип конфигурации биполярного транзистора имеет больший входной импеданс, силу тока и усиление мощности, чем у базовой конфигурации, но его коэффициент усиления намного ниже. Общая конфигурация излучателя представляет собой инвертирующую схему усилителя. Это означает, что результирующий выходной сигнал 180 ° « находится в противофазе » с сигналом входного напряжения.

Конфигурация с общим коллектором (ОК)

В общем коллекторе или конфигурации с заземленным коллектором коллектор теперь распространен через источник питания. Входной сигнал подключается непосредственно к базе, а выход берется из нагрузки эмиттера, как показано. Этот тип конфигурации обычно называют цепью следящего элемента напряжения или схемы следящего элемента эмиттера . Конфигурация общего коллектора или эмиттерного повторителя очень полезна для приложений согласования импеданса из-за очень высокого входного импеданса в области сотен тысяч Ом при относительно низком выходном импедансе.

Общая схема

Общая конфигурация эмиттера имеет коэффициент усиления по току, приблизительно равный β- значению самого транзистора. В конфигурации общего коллектора сопротивление нагрузки расположено последовательно с эмиттером, поэтому его ток равен току эмиттерного тока. Поскольку ток эмиттера представляет собой комбинацию коллектора и суммарного тока базы, сопротивление нагрузки в этом типе конфигурации транзистора также имеет как коллекторный ток, так и входной ток базы, протекающей через него. Тогда текущее усиление схемы задается как:

Текущий коэффициент коллектора

Этот тип конфигурации биполярного транзистора является неинвертирующей схемой, в которой напряжения сигнала Vin и Vout являются « синфазными » . Он имеет коэффициент усиления по напряжению, который всегда меньше «1» (единица). Сопротивление нагрузки общего транзистора коллектора принимает как базовый, так и коллекторный токи, дающие большой коэффициент усиления по току (как в случае с общей конфигурацией эмиттера), что обеспечивает хорошее усиление тока с очень небольшим коэффициентом усиления по напряжению. Теперь мы можем суммировать различные зависимости между отдельными токами постоянного тока транзисторов, протекающими через каждую ветвь, и коэффициентами усиления постоянного тока, приведенными выше в следующей таблице.

Связь между DC-токами

Конфигурации BJT

С обобщенными характеристиками различных конфигураций транзисторов, приведенными в следующей таблице:

Характеристика	Общая база	Общийэмиттер	Общий коллектор
Входное сопротивление	Низкое	среднее	Высокое
Выходное сопротивление	Очень высоко	Высокое	Низкое
Угол фазы	0 o	180 o	0 o
Напряжение	Высокое	среднее	Низкое
Текущий прирост	Низкий	средний	Высокий
Усиление мощности	Низкий	Очень высокий	средний

Типичная схема подключения

Решим задачку

Дано:

VB - 5 В

R — 1 кОм

hfe = 50

Найти:

Ice-?

Решение:

IBE = = = 0,005A

ICE = IBE hfe = 0,005 x 50 = 0,25A

Вывод:

Если на базу подаётся 5 В через резистор в 1 кОм, транзистор откроется настолько, что будет способен пропустить до 250 мА. При этом управляющий ток составит всего 5 мА

Биполярный транзистор в качестве переключателя

Когда база NPN-транзистора заземлено (0 вольт) и ток базы отсутствует, Ib течет, ток не течет от эмиттера к коллектору, и поэтому транзистор отключается «OFF». Если база смещена вперед более чем на 0,7 вольт, ток будет протекать от эмиттера к коллектору, и транзистор считается включенным. При работе в этих двух режимах транзистор работает как переключатель. Проблема здесь заключается в том, что база транзисторов должна переключаться между нулем и некоторым большим положительным значением, чтобы транзистор стал насыщенным, в этот момент увеличенный базовый ток Ib поступает в устройство, в результате чего ток коллектора Ic становится большим, а Vce маленьким. Тогда мы можем видеть, что небольшой ток на базе может управлять гораздо большим током, протекающим между коллектором и эмиттером. Отношение тока коллектора к базовому току ( β ) известно как коэффициент усиления тока транзистора. Типичное значение β для стандартного биполярного транзистора может находиться в диапазоне от 50 до 200 и может варьироваться даже между транзисторами с одинаковой кодировкой цифрами но разными буквами.

Читаем далее по теме

Условные обозначения транзисторов

Транзистор IGBT

Транзистор JFET

Транзистор Дарлингтона

МОП- транзистор (MOSFET)

www.junradio.com