Корпуса компонентов для поверхностного монтажа (SMD). Корпуса микросхем смд

Расшифровка обозначений на smd-компонентах

Тип прибора

маркировка

структ. код п/паналог (прибл.)Краткие параметры

Типов.

Рев.

ВА316	А6		Si-Di	BAW62, 1N4148	Min, S, 85V, 0.1A, <6ns
BAS17	А91		Si-St	ВА314	Min, Stabi, 0.75...0.83V/10mA
ВА319	А8		Si-Di	BAV19	Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms
BAS20	А81		Si-Di	BAV20	Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms
BAS21	А82		Si-Di	BAV21	Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms
BAS29	L20		Si-Di	BAX12	Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS31	L21		Si-Di	2XBAX12	Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS35	L22		Si-Di	2xBAX12	Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
ВАТ17	A3		Pin-Di	BA480	VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz
ВАТ18	А2		Pin-Di	BA482	VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1A, 200MHz
BAV70	А4		Si-Di	2xBAW62 1N4148	Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAV99	А7		Si-Di	2xBAW62 1N4148	Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAW56	А1		Si-Di	2xBAW62 1N4148	Min, Dual, S, 70V, 0.1A, <6ns
BBY31	81		C-Di	BB405, BB609	UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 - 2.8pF
BBY40	S2		C-Di	BB809	UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF
ВС807-16	5A	5AR	Si-P	BC327-16	Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС807-25	5В	5BR	Si-P	BC327-25	Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
ВС807-40	5С	5CR	Si-P	BC327-40	Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
ВС808-16	5Е	5ER	Si-P	BC328-16	Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС808-25	5F	5FR	Si-P	BC328-25	Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
BC808-40	5G	5GR	Si-P	BC328-40	Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
BC817-16	6A	6AR	Si-N	BC337-16	Min, NF-Tr, 5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250
BC846B	1В	1BR	Si-N	BC546B	Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz
BC847A	1E	1ER	Si-N	BC547A, BC107A	Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC847B	1F	1FR	Si-N	BC547B, BC107B	Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC847C	1G	1GR	Si-N	BC547C, BC107C	Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC848A	U	1JR	Si-N	BC548A, BC108A	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC848B	1K	1KR	Si-N	BC548B, BC108B	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC848C	1L	1LR	Si-N	BC548C, BC108C	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC849B	2В	2BR	Si-N	BC549B, ВС108В	Min, Uni, ra 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC849C	2С	2CR	Si-N	BC549C, BC109C	Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC850B	2F	2PR	Si-N	BC550B, BCY59	Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC850C	2G	2GR	Si-N	BC550C, BCY59	Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC856A	ЗА	3AR	Si-P	BC556A	Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC856B	3В	3BR	Si-P	BC556B	Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
BC857A	ЗЕ	3ER	Si-P	BC557A, BC177A	Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC857B	3F	3FR	Si-P	BC557B, BC177B	Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС857С	3G	3GR	Si-P	BC557C	Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС858А	3J	3JR	Si-P	BC558A, BC178A	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 125-250
ВС858В	ЗК	3KR	Si-P	BC558B, BC178B	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 220-475
ВС858С	3L	3LR	Si-P	BC558C	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 420-800
ВС859А	4А	4AR	Si-P	BC559A, BC179A, BCY78	Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС859В	4В	4BR	Si-P	BC559B, BCY79	Min, Uni, rа,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС859С	4С	4CR	Si-P	BC559C, BCY79	Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС860А	4Е	4ER	Si-P	BC560A, BCY79	45V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС860В	4F	4FR	Si-P	BC560B, BCY79	Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС860С	4G	4GR	Si-P	BC560C, BCY79	Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
BCF29	С7	С77	Si-P	BC559A, BCY78, BC179	Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF30	С8	С9	Si-P	BC559B, BCY78	Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF32	07	077	Si-N	BC549B, BCY58, BC109	Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF33	D8	D81	Si-N	BC549C, BCY58	Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF70	Н7	Н71	Si-P	BC560B, BCY79	Min, NF-V, га, 50V, 0.1A, 1500MHz,
BCF81	К9	К91	Si-N	BC550C	Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, га
BCV71	К7	К71	Si-N	BC546A	NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=110-220
BCV72	К8	К81	Si-N	BC546B	NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=200-450
BCW29	С1	С4	Si-P	BC178A, BC558A	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, B= >120
BCW30	С2	С5	Si-P	BC178B, BC558B	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, В= >215
BCW31	D1	D4	Si-N	ВС108А,ВС548А	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, В= >110
BCW32	02	D5	Si-N	ВС108В, ВС548	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >200
BCW33	D3	06	Si-N	ВС108С, ВС548С	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >420
BCW60A	АА		Si-N	ВС548А	Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220
BCW60B	АВ		Si-N	ВС548В	Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, S= 200-450
BCW60C	АС		Si-N	ВС548В	Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 420-600
BCW60D	AD		Si-N	ВС548С	Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800
BCW61A	ВА		Si-P	BC558A	Min, Uni, 32V, 0.2A, 180MHz, B= 110-220
BCW61B	ВВ		Si-P	BC558B	Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCW61C	ВС		Si-P	BC558B	Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCW61D	BD		Si-P	BC558C	Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCW69	Н1	Н4	Si-P	ВС557А	Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCW70	Н2	Н5	Si-P	ВС557В	Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215
BCW71	К1	К4	Si-N	ВС547А	Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110
BCW72	К2	К5	Si-N	ВС 547В	Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200
BCW81	КЗ	К31	Si-N	ВС547С	Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420
BCW89	НЗ	Н31	Si-P	ВС556А	Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCX17	Т1	Т4	Si-P	ВС327	Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz
BCX18	Т2	Т5	Si-P	ВС328	Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz
BCX19	U1	U4	Si-N	BC337	Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz
BCX20	U2	U5	Si-N	ВС 33 8	Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz
BCX70G	AG		Si-N	BC107A, BC547A	Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220
BCX70H	AH		Si-N	ВС 107В, BC547B	Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCX70J	AJ		Si-N	ВС107В, BC547B	Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCX70K	AK		Si-N	ВС107С, BC547C	Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCX71G	BG		Si-P	ВС177А, BC557A	Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250
BCX71H	BH		Si-P	ВС 177В, BC557B	Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 220-475
BCX71J	BJ		Si-P	ВС 177В, BC557B	Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650
BCX71K	BK		Si-P	ВС557С	Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800
BF510	S6		N-FET	BF410A	Min, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V
BF511	S7		N-FET	BF410B	Min, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V
BF512	S8		N-FET	BF410C	Min, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V
BF513	S9		N-FET	BF410D	Min, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V
BF536	G3		SI-P	BF936	Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz
BF550	G2	G5	Si-P	BF450	Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz
BF569	G6		Si-P	BF970	Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz
BF579	G7		Si-P	BF979	Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ
BF660	G8	G81	Si-P	BF606A	Min, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz
BF767	G9		Si-P	BF967	Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz
BF820			S-N	BF420	Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF821	1W		Si-P	BF421	Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF822	1Х		Si-N	BF422	Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF823	1Y		Si-P	BF423	Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF824	F8		Si-P	BF324	Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz
BF840	F3		Si-N	BF240	Min, Uni, 15V, 0 1A, 0.3W,>90MHz
BF841	F31		SI-N	BF241	Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz
BFR30	М1		N-FET	BFW-11, BF245	Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP<5V
BFR31	М2		N-FET	BFW12, BF245	Min, Uni, 25V, ldss>1mA, YP<2 5V
BFR53	N1	N4	Si-N	BFW30, BFW93	Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz
BFR92	Р1	Р4	Si-N	BFR90	Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR92A	Р2	РЬ	Si-N	BFR90	Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR93	R1	R4	Si-N	BFR91	Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFR93A	R2	R5	Si-N	BFR91	Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFS17, (BFS17A)	Е1 (Е2)	Е4 (F5)	Si-N	BFY90, BFW92(A)	Min, VHP/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz
BFS18	F1	F4	Si-N	BF185, BF495	Min, HF, 30V, 30mA, 200MHz
BFS19	F2	F5	Si-N	BF184, BF494	Min, HF, 30V, 30mA, 260MHz
BFS20	G1	G4	Si-N	BF199	Min, HF, 30V, 30mA,450MHz
BFT25	V1	V4	Si-N	BFT24	Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHZ
BFT46	МЗ		NFT	BFW13, BF245	Min, NF/HF, 25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V
BFT92	W1	W4	Si-P "	BFQ51, BFQ52	Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFT93	Х1	Х4	Si-P	BFQ23, BFQ24	Min, UHF-A, 15V,35mA, 5GHz
BRY61	А5		BYT	BRY56	70V
BRY62	А51		Tetrode	BRY56, BRY39	Tetrode, Min, 70V, 0.175A
BSR12	B5	В8	Si-P	2N2894A	Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz <20/30ns
BSR13	U7	U71	Si-N	2N2222, Ph3222	Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns
BSR14	U8	U81	Si-N	2N2222A, Ph3222A	Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns
BSR15	T7	T71	Si-P	2N2907, Ph3907	Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns
BSR16	T8	T81	Si-P	2N2907A, Ph3907A	Min, HF/S, 60/60V, 0.6A, <35/110ns
BSR17	U9	U91	Si-N	2N3903	Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/250ns, B-50-150
BSR17A	U92	U93	Si-N	2N3904	Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300
BSR18	T9	T91	Si-P	2N3905	Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz
BSR18A	T92	T93	Si-P	2N3906	Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz
BSR19	U35		Si-N	2N5550	Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR19A	U36		Si-N	2N5551	Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz
BSR20	T35		Si-P	2N5400	Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz
BSR20A	T36		Si-P	2N5401	Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR56	M4		N-FET	2N4856	Min, S, Chopper, 40V, Idss >40mA, Up <10V
BSR57	M5		N-FET	2N4857	Min, S, Chopper, 40V, Idss >20mA, Up <6V
BSR58	M6		N-FET	2N4858	Min, S, Chopper, 40V, Idss >8mA, Up <4V
BSS63	T3	T6	Si-P	BSS68	Min, Uni, 110V, 0.1A, 85MHz
BSS64	U3	U6	Si-N	BSS38	Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz
BSV52	B2	B3	Si-N	Ph3369, BSX20	Min, S, 20V, 0.1A, <12/18ns
BZX84-...	см.пр им.		Si-St	BZX79	Min, Min/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0.3W
PBMF4391	M62		N-FET	-	Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V
PBMF4392	M63		N-FET	-	Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V
PBMF4393	M64		N-FET	-	Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V

micpic.ru

Корпуса компонентов для поверхностного монтажа (SMD) - Маркировка электронных компонентов - Компоненты - Инструкции

Несмотря на большое количество стандартов, регламентирующих требования к корпусам электронных компонентов, многие фирмы выпускают элементы в корпусах не соответствующих международным стандартам. Также встречаются ситуации, когда корпус, имеющий стандартные размеры у фирмы имеет другое название.

Часто название корпуса состоит из четырех цифр, которые отображают его длину и ширину. Но в одних стандартах эти параметры задаются в дюймах, в других - в миллиметрах. Так, например, название корпуса 0805 получается следующим образом: 0805=L x W=(0.08 x 0.05) дюйма. А корпус 5845 имеет габариты (5.8 х 4.5) мм. Корпуса с одним и тем же названием могут иметь разную высоту, различные контактные площадки, и выполнены из различных материалов, но рассчитаны для монтажа на стандартное установочное место. Ниже приведены параметры (мм) наиболее популярных типов корпусов.

SMD

Таблица 1.

Тип корпуса	L* (мм)	W* (мм)	Н* (мм)	К (мм)	Примечание
0402 (1005)	1.0	0.5	0.35...0.55	0.2
0603(1608)	1.6	0.8	0.45...0.95	0.3
0805(2012)	2.0	1.25	0.4...1.6	0.5	ГОСТ Р1-12-0.062
1206(3216)	3.2	1.6	0.4...0.75	0.5	ГОСТР1-12-0.125:Р1-16
1210(3225)	3.2	2.5	0.55...1.9	0.5
2118(3245)	3.2	4.5	0.55...1.9	0.5
1806(4516)	4.5	1.6	1.6	0.5
1208(4520)	4.5	2.0	2.0	0.5
1812(4532)	4.5	3.2	0.6..3.2	0.5
2010(5025)	5.0	2.5	0.55	0.5
2220(5750)	5.7	5.0	1.7	0.5
2225(5763)	5.7	6.3	2.0	0.5
2512(6432)	6.4	3.2	2.0	0.5
2824(7161)	7.1	6.1	3.9	0.5
3225(8063)	8.0	6.3	3.2	0.5
4030	10.2	7.6	3.9	0.5
4032	10.2	8.0	3.2	0.5
5040	12.7	10.2	4.8	0.5
6054	15.2	13.7	4.8	0.5

*• в зависимости от технологии, которыми обладает фирма, варьируется и нормируемые разбросы относительнобазовых габаритов. Наиболее распространенные допуски: — 0,05 мм корпуса длиной до I мм. например, 0402;-0,1 мм -до 2 мм, например. SOD-232; + 0.2 мм —до 5 мм;-0.5 мм - выше 5 мм.Небольшие расхождения в цифрах у разных фирм обусловлены степенью точности перевода дюймов в мм, а так жеуказанием только min. max или номинального размера.**• Корпуса с одним и тем же названием могут иметь разную высоту.Это обусловлено: для конденсаторов - величиной емкости и рабочим напряжением, для резисторов - рассеиваемоймощности, и т.д.

SMD

Таблица 2.

Тип корпуса	L* (мм)	W* (MM)	H** (мм)	F (мм)	Примечание
2012(0805)	2.0	1.2	1.2	1.1	EIAJ
3216(1206)	3.2	1.6	1.6	1.2	EIAJ
3216L	3.2	1.6	1.2	1.2	EIAJ
3528	3.5	2.8	1.9	2.2	EIAJ
3528L	3.5	2.8	1.2	2.2	EIAJ
5832	5.8	3.2	1.5	2.2	-
5845	5.8	4.5	3.1	2.2	EIAJ
6032	6.0	3.2	2.5	2.2	EIAJ
7343	7.3	4.3	2.8	2.4	EIAJ
7343H	7.3	4.3	4.3	2.4	EIAJ
DO-214AA	5.4	3.6	2.3	2.05	JEDEC
DO-214AB	7.95	5.9	2.3	3.0	JEDEC
DO-214AC	5.2	2.6	2.4	1.4	JEDEC
DO-214BA	5.25	2.6	2.95	1.3	JEDEC
SMA	5.2	2.6	2.3	1.45	MOTOROLA
SMB	5.4	2.6	2.3	2.05	MOTOROLA
SMC	7.95	5.9	2.3	3.0	MOTOROLA
SOD 6	5.5	3.8	2.5	2.2	ST
SOD 15	7.8	5.0	2.8	3.0	ST

SMD

Таблица 3.

Тип корпуса	L* (мм)	L** (мм)	W*(мм)	Н** (мм)	В (мм)	Примечание
DO-215AA	4.3	6.2	3.6	2.3	2.05	JEDEC
DO-215AB	6.85	9.9	5.9	2.3	3.0	JEDEC
DO-215AC	4.3	6.1	2.6	2.4	1.4	JEDEC
DO-215BA	4.45	6.2	2.6	2.95	1.3	JEDEC
ESC	1.2	1.6	0.8	0.6	0.3	TOSHIBA
SOD-123	2.7	3.7	1.55	1.35	0.6	PHILIPS
SOD-123	1.7	2.5	1.25	1.0	0.3	PHILIPS
SSC	1.3	2.1	0.8	0.8	0.3	TOSHIBA

*• в зависимости от технологии, которыми обладает фирма, варьируется и нормируемые разбросы относительно базовыхгабаритов. Наиболее распространенные допуски: ± 0.05 мы корпуса длиной до I мм. например, 0402;±0,1 мм-до 2 мм, например, SOD-232; ±0.2 мм -до 5 мм; ±0,5 мм -свыше 5 мм. Небольшие расхождения в цифрах уразных фирм обусловлены степенью точности перевода дюймов в мм, а так же указанием только min. max илиноминального размера.**• Корпуса с одним и тем же названием могут иметь разную высоту. Это обусловлено: для конденсаторов - величинойемкости и рабочим напряжением, для резисторов - рассеиваемой мощности, и т.д.

SMD

Таблица 4

Тип корпуса	L*(mm)	D*(мм)	F*(мм)	S*(мм)	Примечание
DO-213AA (SOD80)	3.5	1.65	0.48	0.03	JEDEC
DO-213AB (MELF)	5.0	2.52	0.48	0.03	JEDEC
DO-213AC	3.45	1.4	0.42	-	JEDEC
ERD03LL	1.6	1.0	0.2	0.05	PANASONIC
ER021L	2.0	1.25	0.3	0.07	PANASONIC
ERSM	5.9	2.2	0.6	0.15	PANASONIC, ГОСТ Р1-11
MELF	5.0	2.5	0.5	0.1	CENTS
SOD80 (miniMELF)	3.5	1.6	0.3	0.075	PHILIPS
SOD80C	3.6	1.52	0.3		PHILIPS
SOD87	3.5	2.05	0.3		PHILIPS

radio-hobby.org

Компоненты для поверхностного монтажа печатных плат | pcbdesigner.ru

Компоненты для поверхностного монтажа печатных плат

Промышленность выпускает широкий спектр компонентов для поверхностного монтажа печатных плат (smd компонентов). Формы, размеры и материалы, smd компонентов, постоянно меняются, поставщики предлагают все новые модели, чтобы удовлетворить требованиям миниатюризации, функциональности и надежности. Чаще всего поверхностный smd монтаж используется для пассивных устройств или «чипов» (кристаллов) — резисторов, конденсаторов, индуктивностей и дросселей. Чип-конденсаторы и резисторы часто имеют четырехзначный код маркировки в котором зашифрован типоразмер smd компонента, например, 1825, 1210 или 0804. Первые две цифры обозначают длину компонента, которой является расстояние между выводами (контактами) в сотых долях дюйма. Две вторые цифры относятся к ширине smd компонента также в сотых долях дюйма (для пассивных устройств существует аналогичная кодовая маркировка, основанная на метрической системе [мм], фактические значения очень близки к английским значения и могут быть источником путаницы, особенно при сотрудничестве с зарубежными компаниями). Таким образом, конденсатор типоразмера 1825 имеет длину 0,18 дюйма (4,6 мм) и ширину 0,25 дюйма (6,3 мм). На рисунке 1 представлена фотография пассивных чип-резисторов, различных типоразмеров. Чип-резисторы, как правило, очень надежны и, следовательно, относительно защищены от повреждений во время сборки по технологии поверхностного монтажа. Многослойные smd конденсаторы чувствительны к температуре и, следовательно, более склонны к образованию трещин при автоматическом монтаже, особенно в условиях быстрой смены температур.

Рисунок 1 — Чип-резисторы различных типоразмеров

Чип-резистор имеет алюмокерамическое основание, на который нанесена тонкая пленка резистивного элемента. Поверх резистивного элемента на его концах и частично в нижней части расположены проводящие элементы, которые и припаиваются к печатной плате. Проводящие элементы состоят из термостойкой толстой пленки на основе Ag, никелевого или медного барьерного слоя и гальванически нанесенного покрытия из Sn, Sn-Pb или Au.

Чип-конденсаторы изготавливают из специальной оксидной керамики, в них чередуются слои керамики и тонкие слои пленки, что обеспечивает определенное значение емкости устройства. Это конденсатор многослойного тонкопленочного (MLTF) типа. Второй тип конденсаторов имеет электроды на верхней и нижней поверхностях однородного «блока» из керамики. Керамика, используемая для изготовления чип-конденсаторов более хрупкая, чем алюминиевая металлокерамика чип-резисторов. Слоистая конструкция MLTF-конденсаторов делает их более чувствительными к механическим и тепловым ударам. В чип-конденсаторах используются аналогичные металлические проводящие слои, которые припаиваются к печатной плате, как было описано ранее для резисторов. Пример керамических чип-конденсаторов приведен на рисунке 2.

Рисунок 2 — Керамические чип-конденсаторы

Чип-индуктивности выпускают двух типов. Индуктивности для smd монтажа состоят из тонкой медной проволоки, намотанной на сердечник из оксида алюминия. Размеры сердечника и число обмоток определяют величину индуктивности. Вторым видом являются тонкопленочные smd индуктивности. В них на сердечнике из оксида алюминия размещена обмотка из проводящей пленки (несмотря на значительно более простое изготовление тонкопленочных smd индуктивностей, они имеют ограниченный диапазон значений). Пример керамических чип-индуктивностей приведен на рисунке 3.

Рисунок 3 — Примеры чип-индуктивностей

Примерно 40 % поверхностно-монтируемых (smd) пассивных компонентов изделия составляют чип-конденсаторы. Их миниатюризация имеет решающее значение для уменьшения размера и массы электронного изделия. Для портативной электроники (например, мобильных телефонов, КПК и пейджеров) обычно используются smd конденсаторы типоразмером от 0603 до 0402 и 0201.

Некоторые диоды и все активные устройства поставляются в различных корпусах с периферическими и матричными выводами. Диоды и транзисторы, как правило, имеют SO-корпуса: соответственно SOD-корпуса для диодов и SOT-корпуса для транзисторов. Корпус (package) изготавливают из термостойкого пластика. У SOD-package два вывода, у SOT-package соответственно три. Ножки элементов сделаны из прочных медных или железных сплавов и имеют форму «крыла чайки». Для больших активных устройств требуется больше ножек. Эти элементы имеют SOIC-корпуса с выводами малой длины в виде крыла чайки, которые выступают с обеих сторон длинной стороны smd элемента.

Выводы типа «крыло чайки» очень прочны и расположены с шагом 1,27 мм (50 mil), или 0,635 мм (20 mil). Шагом называется расстояние между центральными осями двух соседних выводов.

Дальнейшее увеличение количества ножек реализовано путем их размещения по всем четырем сторонам smd корпуса. Ножки сделаны в форме крыла чайки или имеют J-образную форму. J-конфигурация снижает площадь контактной площадки благодаря изгибу вывода внутрь, под smd корпус. Как и выводы типа «крыло чайки», J-образные выводы очень прочны и расположены с шагом 1,27 мм (50 mil) и 0,635 мм (20 mil).

Элементы для поверхностного монтажа шагом меньше 0,635 мм, начиная с 0,5 мм и 0,4 мм, называются smd компонентами с мелким шагом выводов. Мелкие ножки у surface mounted devices соответственно более хрупкие, поэтому они легко повреждаются во время обработки и монтажа по PIP-технологии. Кроме того, к компланарности выводов smd корпусов с мелким шагом предъявляются более строгие требования. Компланарными называются выводы элементов для поверхностного монтажа, монтируемых по surface-mount technology, нижние стороны которых на выходе из корпуса лежат в одной плоскости. Если ножки некомпланарные, например, одна расположен выше общей плоскости, то она, вероятнее всего, окажется не припаянной из-за малого количество паяльной пасты, используемой для пайки таких мелких выводов. Если же ножка smd компонента окажется слишком низко, то она будет повреждена во время установки компонента. Кроме того, она может стереть точку пасты, что приведет к некачественному соединению или короткому замыканию с соседним выводом после поверхностного монтажа.

Второй тип компоновки микросхем для поверхностного монтажа с периферическими выводами – это безвыводной керамический кристаллодержатель (LCCC ). Эта компоновка подразумевает наличие керамических материалов; а ножки элемента по форме напоминают зубцы, они расположены на всех четырех сторонах корпуса. Ножки smd компонентов покрыты никелевым слоем, поверх которого нанесен слой золота, именно он и подвергается пайке. Никелевый и золотой слои нанесены и снизу (на основание ножки). LCCC микросхемы можно устанавливать только на подложку с таким же или более низким температурным коэффициентом линейного расширения, т.е. температурные коэффициенты линейного расширения подложки печатной платы и керамического кристаллодержателя должны быть примерно равны. В противном случае паянные соединения элементов поверхностного монтажа быстро разрушатся под действием термомеханической усталости в условиях даже незначительных циклических колебаний температуры.

Корпуса с матричными выводами — это BGA, CSP, LGA, DCA/FC (пример BGA микросхемы для поверхностного монтажа приведен на рисунке 4), а также керамические корпуса с тугоплавкими столбиковыми выводами (CCGA). Общей характеристикой этих элементов является то, что пайке подвергаются ряды шариков припоя с нижней стороны корпуса, а не периферические выводы или зубцы. Разница между BGA- и CSP-корпусами в том, что у последних размеры компаунда для опрессовывания должны быть в 1,2 раза меньше соответствующих размеров кристалла. На размеры BGA-корпусов никакие ограничения не накладываются.

Рисунок 4 — Пример микросхемы в BGA-корпусе

Типичный размер шага составляет 1,27 мм и 1,0 мм для BGA- и CSP-корпусов, соответственно. Здесь шагом называется расстояние между центральными осями любых двух шариков или контактных площадок. Таким образом, требования к точности совмещения для матричных корпусов с применением технологии поверхностного монтажа не являются очень строгими. Кроме того, при пайке smd элементов расплавляется достаточное количество припоя, чтобы под действием силы поверхностного натяжения припоя обеспечить самостоятельное совмещение корпуса компонента и контактной площадки печатной платы. Однако, когда количество шариков достигает нескольких тысяч, необходимо уменьшать как размер шариков, так и шаг между ними, что в свою очередь приводит к уменьшению допусков на установку компонентов. Такая же картина наблюдается и в случае DCA-корпусов, в которых размер шариков припоя и шаг между ними, как правило, равны соответственно 0,10 мм и 0,25 мм.

Микросхемы с CCGA-компоновкой являются вариантом BGA, в которых шарики припоя были заменены столбиками из припоя. Столбики позволяют устанавливать керамический корпус на печатную плату из органических слоистых материалов со значительным температурным коэффициентом линейного расширения, поскольку они способны уменьшить высокие напряжения, создаваемые в результате различных величин теплового расширения двух материалов. Столбики изготавливают из тугоплавких свинцовых сплавов (на-пример, 95 % РЬ и 5 % Sn или 90 %РЬ и 10 % Sn), которые не плавятся при пайке эвтектическими оловянно-свинцовыми припоями. На столбики иногда наматывают медную проволоку, чтобы увеличить их надежность, поскольку обнаженные столбики подвержены повреждениям во время обработки и установки на печатную плату.

Ускоренное развитие технологии поверхностного монтажа (SMT-технологии) компонентов вызвало необходимость создания нестандартных корпусов и конфигураций выводов smd компонентов, что привело к разработке устройств сложной формы. Примерами компонентов сложной формы являются поверхностно-монтируемые переключатели и разъемы, а также множество типов индуктивностей (рисунок 2), светодиодов и трансформаторов. Как правило, так называемые поверхностно-монтируемые разъемы фактически могут быть установлены по смешанной технологии, частично в сквозные отверстия, обеспечивая механическую прочность, необходимую для установки и удаления кабеля, а их поверхностно-монтируемые выводы обеспечивают электрическое соединение (при монтаже в отверстия межсоединения получают путем PIP-технологии или ручной пайки).

С поверхностным монтажом smd компонентов сложной формы связано множество проблем. Во-первых, необходимо предусмотреть точные размеры контактных площадок на печатной плате. Кроме того, нужны соответствующие размеры апертур на трафарете, чтобы обеспечить правильное количество паяльной пасты при печати. Для обработки таких компонентов может потребоваться специальная настройка инструментов автоматического установщика поверхностно монтируемых изделий. И, наконец, smd компоненты сложной формы, как правило, больше и тяжелее. Поэтому вполне возможно, что они не будут самостоятельно совмещаться с контактными площадками платы во время пайки оплавлением.

Переход на бессвинцовые припои оказал существенное влияние на характеристики поверхностно-монтируемых изделий. Для соответствия бессвинцовой технологии пассивных устройств и элементов с периферическими выводами традиционное гальваническое оловянно-свинцовое покрытие было заменено покрытием из чистого олова. Использование оловянных покрытий создает проблемы оловянных усов, которые потенциально способны вызвать короткие замыкания в процессе эксплуатации индуктивностей. Оловянно-свинцовые сплавы в шариках припоя BGA-, CSP- и DCA-корпусов, имеющие температуру плавления 183 °С, заменяются сплавами Sn-Ag-Cu с температурой плавления 217 °С. В случае DCA/FC- и CCGA-корпусов для изготовления шариков и столбиков припоя используются сплавы с высоким содержанием РЬ, которые не расплавляются во время smd пайки припоями Sn-Ag-Cu, используемыми для получения межсоединений второго уровня.

pcbdesigner.ru

SMD микросхемы в DIP корпусах

При ремонте или проектировании новых электронных устройств нередко возникает необходимость применения микросхем в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа (далее для краткости — SMD-корпусах). Однако из-за малых размеров таких микросхем обращаться с ними затруднительно, было бы гораздо удобнее, если бы они были в корпусах DIP. Проблема разрешима следующим образом.

montazha-mikroshemy-dip Рассмотрим на сайте radiochipi.ru пример корпусирование (есть такой этап в производстве интегральных микросхем, в процессе которого полупроводниковый кристалл «обзаводится» корпусом) выпускаемой в SMD-корпусе SOIC-8 сборки из двух полевых транзисторов с каналами разного типа IRF7389. У неё восемь выводов, поэтому выбираем розетку (панель) DIP с таким же числом гнёзд. Для устойчивости в процессе работы с ней помещаем её в розетку DIP с нулевым усилием. Последовательность операций, о которых рассказывается далее, иллюстрируется приводимым рисунком.

Для монтажа микросхемы в розетке DIP понадобится медный лужёный провод диаметром 0.25…0,35 мм. Главное требование к нему — достаточная жёсткость при использовании его отрезков в качестве штырей при втыкании в гнёзда розетки DIP. Можно использовать монтажный провод, жила которого состоит из скрученных лужёных проволок такого диаметра (МГШВ, МГШВ-1, МЛТП, МСТП, МПО и т. п. сечением по меди 1 мм? и более). Освободив жилу такого провода от изоляции на длине 25…30 мм, отрезаем её и расплетаем на составные части.

Для увеличения жёсткости концы отрезков длиной 5…6 мм сгибаем на 180° и, сжав получившийся крючок пинцетом, вставляем в гнездо розетки. Затем тонким жалом паяльника припаиваем оставшуюся часть проволоки к гнезду, в которое он вставлен, и чтобы не мешал манипуляциям с отрезками, вставляемыми в другие гнезда, отгибаем на 90° и обрезаем на расстоянии примерно 10 мм от розетки. Описанную последовательность действий повторяем с остальными семью отрезками. Для облегчения монтажа можно использовать налобные очки.

Далее из стеклотекстолита или иного листового изоляционного материала толщиной 0,5… 1 мм вырезаем полоску шириной, примерно равной ширине SMD-микросхемы, обрезаем её ровно по длине розетки и приклеиваем посередине между её гнёздами клеем «Момент». Им же в центре полоски выводами вверх (т. е. в перевернутом положении) закрепляем SMD-микросхему, предварительно повернув её так, чтобы выводы 1—4 оказались с той же стороны, что и в розетке.

Остается припаянные к гнёздам розетки проводники, соответствующим образом изогнув, поочерёдно припаять тонким жалом паяльника к ближайшим выводам SMD-микросхемы, отрезать лишние концы проволок — микросхема в DIP-исполнении готова. Цоколёвка микросхемы в таком исполнении получится иной, чем в SMD-корпусе (вывод 1 станет 4-м, 2 — 3-м, 3 — 2-м, 4 — 1-мит. д.), что придётся учитывать при использовании её в изделии. Чтобы цоколёвка не изменилась, полоску надо изготовить из более толстого изоляционного материала и микросхему на ней закрепить выводами вниз.

www.radiochipi.ru

Каталог товаров