Транзисторы как проверить: Краткие советы, как проверить транзистор | Электронные компоненты. Дистрибьютор и магазин онлайн

испытание различных типов устройств © Геостарт

Перед началом ремонта электронного прибора или сборки схемы стоит убедиться в исправном состоянии всех элементов, которые будут устанавливаться. Если используются новые детали, необходимо убедиться в их работоспособности. Транзистор является одним из главных составляющих элементов многих электросхем, поэтому его следует прозвонить в первую очередь. Как проверить мультиметром транзистор подробно расскажет данная статья.

Что такое транзистор

Главным компонентом в любой электросхеме является транзистор, который под влиянием внешнего сигнала управляет током в электрической цепи. Транзисторы делятся на два вида: полевые и биполярные.

Биполярный транзистор имеет три вывода: база, эмиттер и коллектор. На базу подается ток небольшой величины, который вызывает изменение в зоне эмиттер-коллектор сопротивления, что приводит к изменению протекающего тока. Ток протекает в одном направлении, которое определяется типом перехода и соответствует полярности подключения.

Транзистор данного типа оснащен двумя p-n переходами. Когда в крайней области прибора преобладает электронная проводимость (n), а в средней — дырочная (p), то транзистор называется n-p-n (обратная проводимость). Если наоборот, тогда прибор именуется транзистором типа p-n-p (прямая проводимость).

Полевые транзисторы имеют характерные отличия от биполярных. Они оснащены двумя рабочими выводами — истоком и стоком и одним управляющим (затвором). В данном случае на затвор воздействует напряжение, а не ток, что характерно для биполярного типа. Электрический ток проходит между истоком и стоком с определенной интенсивностью, которая зависит от сигнала. Этот сигнал формируется между затвором и истоком или затвором и стоком. Транзистор такого типа может быть с управляющим p-n переходом или с изолированным затвором. В первом случае рабочие выводы подключаются к полупроводниковой пластине, которая может быть p- или n-типа.

Главной особенностью полевых транзисторов является то, что их управление обеспечивается не при помощи тока, а напряжения. Минимальное использование электроэнергии позволяет его применять в радиодеталях с тихими и компактными источниками питания. Такие устройства могут иметь разную полярность.

Как проверить мультиметром транзистор

Многие современные тестеры оснащены специализированными коннекторами, которые используются для проверки работоспособности радиодеталей, в том числе и транзисторов.

Чтобы определить рабочее состояние полупроводникового прибора, необходимо протестировать каждый его элемент. Биполярный транзистор имеет два р-n перехода в виде диодов (полупроводников), которые встречно подключены к базе. Отсюда один полупроводник образовывается выводами коллектора и базы, а другой эмиттера и базы.

Используя транзистор для сборки монтажной платы необходимо четко знать назначение каждого вывода. Неправильное размещение элемента может привести к его перегоранию. При помощи тестера можно узнать назначение каждого вывода.

Важно! Данная процедура возможна лишь для исправного транзистора.

Для этого прибор переводится в режим измерения сопротивления на максимальный предел. Красным щупом следует коснуться левого контакта и измерить сопротивление на правом и среднем выводах. Например, на дисплее отобразились значения 1 и 817 Ом.

Затем красный щуп следует перенести на середину, и с помощью черного измерить сопротивления на правом и левом выводах. Здесь результат может быть: бесконечность и 806 Ом. Красный щуп перевести на правый контакт и произвести замеры оставшейся комбинации. Здесь в обоих случаях на дисплее отобразится значение 1 Ом.

Делая вывод из всех замеров, база располагается на правом выводе. Теперь для определения других выводов необходимо черный щуп установить на базу. На одном выводе показалось значение 817 Ом – это эмиттерный переход, другой соответствует 806 Ом, коллекторный переход.

Важно! Сопротивление эмиттерного перехода всегда будет больше, чем коллекторного.

Как прозвонить мультиметром транзистор

Чтобы убедиться в исправном состоянии устройства достаточно узнать прямое и обратное сопротивление его полупроводников. Для этого тестер переводится в режим измерения сопротивления и устанавливается на предел 2000. Далее следует прозвонить каждую пару контактов в обоих направлениях. Так выполняется шесть измерений:

• соединение «база-коллектор» должно проводить электрический ток в одном направлении;
• соединение «база-эмиттер» проводит электрический ток в одном направлении;
• соединение «эмиттер-коллектор» не проводит электрический ток в любом направлении.

Как прозванивать мультиметром транзисторы, проводимость которых p-n-p (стрелка эмиттерного перехода направлена к базе)? Для этого необходимо черным щупом прикоснуться к базе, а красным поочередно касаться эмиттерного и коллекторного переходов. Если они исправны, то на экране тестера будет отображаться прямое сопротивление 500-1200 Ом.

Для проверки обратного сопротивления красным щупом следует прикоснуться к базе, а черным поочередно к выводам эмиттера и коллектора. Теперь прибор должен показать на обоих переходах большое значение сопротивления, отобразив на экране «1». Значит, оба перехода исправны, а транзистор не поврежден.

Такая методика позволяет решить вопрос: как проверить мультиметром транзистор, не выпаивая его из платы. Это возможно благодаря тому, что переходы устройства не зашунтированы низкоомными резисторами. Однако, если в ходе замеров тестер будет показывать слишком маленькие значения прямого и обратного сопротивления эммитерного и коллекторного переходов, транзистор придется выпаять из схемы.

Перед тем как проверить мультиметром n-p-n транзистор (стрелка эмиттерного перехода направлена от базы), красный щуп тестера для определения прямого сопротивления подключается к базе. Работоспособность устройства проверяется таким же методом, что и транзистор с проводимостью p-n-p.

О неисправности транзистора свидетельствует обрыв одного из переходов, где обнаружено большое значение прямого или обратного сопротивления. Если это значение равно 0, переход находится в обрыве и транзистор неисправен.

Такая методика подходит исключительно для биполярных транзисторов. Поэтому перед проверкой необходимо убедиться, не относиться ли он к составному или полевому устройству. Далее необходимо проверить между эмиттером и коллектором сопротивление. Замыканий здесь быть не должно.

Если для сборки электрической схемы необходимо использовать транзистор, имеющий приближенный по величине тока коэффициент усиления, с помощью тестера можно определить необходимый элемент. Для этого тестер переводится в режим hFE. Транзистор подключается в соответствующий для конкретного типа устройства разъем, расположенный на приборе. На экране мультиметра должна отобразиться величина параметра h31.

Как проверить мультиметром тиристор? Он оснащен тремя p-n переходами, чем отличается от биполярного транзистора. Здесь структуры чередуются между собой на манер зебры. Главных отличием его от транзистора является то, что режим после попадания управляющего импульса остается неизменным. Тиристор будет оставаться открытым до того момента, пока ток в нем не упадет до определенного значения, которое называется током удержания. Использование тиристора позволяет собирать более экономичные электросхемы.

Мультиметр выставляется на шкалу измерения сопротивления в диапазон 2000 Ом. Для открытия тиристора черный щуп присоединяется к катоду, а красный к аноду. Следует помнить, что тиристор может открываться положительным и отрицательным импульсом. Поэтому в обоих случаях сопротивление устройства будет меньше 1. Тиристор остается открытым, если ток управляющего сигнала превышает порог удержания. Если ток меньше, то ключ закроется.

Как проверить мультиметром транзистор IGBT

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) является трехэлектродным силовым полупроводниковым прибором, в котором по принципу каскадного включения соединены два транзистора в одной структуре: полевой и биполярный. Первый образует канал управления, а второй – силовой канал.

Чтобы проверить транзистор, мультиметр необходимо перевести в режим проверки полупроводников. После этого при помощи щупов измерить сопротивление между эмиттером и затвором в прямом и обратном направлении для выявления замыкания.

Теперь красный провод прибора соединить с эмиттером, а черным коснуться кратковременно затвора. Произойдет заряд затвора отрицательным напряжением, что позволит транзистору оставаться закрытым.

Важно! Если транзистор оснащен встроенным встречно-параллельным диодом, который анодом подключен к эмиттеру транзистора, а катодом к коллектору, то его необходимо прозвонить соответствующим образом.

Теперь необходимо убедиться в функциональности транзистора. Сначала стоит зарядить положительным напряжением входную емкость затвор-эмиттер. С этой целью одновременно и кратковременно красным щупом следует прикоснуться к затвору, а черным к эмиттеру. Теперь необходимо проверить переход коллектор-эмиттер, подключив черный щуп к эмиттеру, а красный к коллектору. На экране мультиметра должно отобразиться незначительное падение напряжения в 0,5-1,5 В. Эта величина на протяжении нескольких секунд должна оставаться стабильной. Это свидетельствует о том, что во входной емкости транзистора утечки нет.

Полезный совет! Если напряжения мультиметра недостаточно для открытия IGBT транзистора, тогда для заряда его входной емкости можно использовать источник постоянного напряжения в 9-15 В.

Как проверить мультиметром полевой транзистор

Полевые транзисторы проявляют высокую чувствительность к статическому электричеству, поэтому предварительно требуется организация заземления.

Перед тем как приступить к проверке полевого транзистора, следует определить его цоколевку. На импортных приборах обычно наносятся метки, которые определяют выводы устройства. Буквой S обозначается исток прибора, буква D соответствует стоку, а буква G – затвор. Если цоколевка отсутствует, тогда необходимо воспользоваться документацией к прибору.

Электрический мультиметр: тестер для различных электротехнических измерений
Тестер для измерения электротехнических показателей. Использование прибора для автомобиля и в быту. Принцип измерения электрических характеристик.

Перед проверкой исправного состояния транзистора, стоит учесть, что современные радиодетали типа MOSFET имеют дополнительный диод, расположенный между истоком и стоком, который обязательно нанесен на схему прибора. Полярность диода полностью зависит от вида транзистора.

Полезный совет! Обезопасить себя от накопления статических зарядов можно при помощи антистатического заземляющего браслета, который надевается на руку, или прикоснуться рукой к батарее.

Основная задача, как проверить мультиметром полевой транзистор, не выпаивая его из платы, состоит из следующих действий:

1. Необходимо снять с транзистора статическое электричество.
2. Переключить измерительный прибор в режим проверки полупроводников.
3. Подключить красный щуп к разъему прибора «+», а черный «-».
4. Коснуться красным проводом истока, а черным стока транзистора. Если устройство находится в рабочем состоянии на дисплее измерительного прибора отобразиться напряжение 0,5-0,7 В.
5. Черный щуп подключить к истоку транзистора, а красный к стоку. На экране должна отобразиться бесконечность, что свидетельствует об исправном состоянии прибора.
6. Открыть транзистор, подключив красный щуп к затвору, а черный – к истоку.
7. Не меняя положение черного провода, присоединить красный щуп к стоку. Если транзистор исправен, тогда тестер покажет напряжение в диапазоне 0-800 мВ.
8. Изменив полярность проводов, показания напряжения должны остаться неизменными.
9. Выполнить закрытие транзистора, подключив черный щуп к затвору, а красный – к истоку транзистора.

Говорить об исправном состоянии транзистора можно исходя из того, как он при помощи постоянного напряжения с тестера имеет возможность открываться и закрываться. В связи с тем, что полевой транзистор обладает большой входной емкостью, для ее разрядки потребуется некоторое время. Эта характеристика имеет значение, когда транзистор вначале открывается с помощью создаваемого тестером напряжения (см. п. 6), и на протяжении небольшого количества времени проводятся измерения (см. п.7 и 8).

Проверка мультиметром рабочего состояния р-канального полевого транзистора осуществляется таким же методом, как и n-канального. Только начинать измерения следует, подключив красный щуп к минусу, а черный – к плюсу, т. е. изменить полярность присоединения проводов тестера на обратную.

Исправность любого транзистора, независимо от типа устройства, можно проверить с помощью простого мультиметра. Для этого следует четко знать тип элемента и определить маркировку его выводов. Далее, в режиме прозвонки диодов или измерения сопротивления узнать прямое и обратное сопротивление его переходов. Исходя из полученных результатов, судить об исправном состоянии транзистора.

Проверка исправности транзисторов без демонтажа их из устройства

Р/л технология

ГлавнаяРадиолюбителюР/л технология

2 года назад

При ремонте радиоэлектронных устройств обычно приходится выпаивать из них вызывающие подозрение транзисторы для проверки. При этом неизбежен риск повредить как печатную плату устройства, так и выводы самого транзистора. Однако во многих случаях можно избежать демонтажа, если воспользоваться предлагаемым автором статьи методом проверки.

Метод не позволяет измерить, например, коэффициент передачи 5транзистора по току, но даёт полное представление о работоспособности проверяемого транзистора. Схема проверки биполярного транзистора без выпайки его из устройства изображена на рис. 1, где VT1 — проверяемый транзистор. Через резисторы R1 и R2 на выводы его коллектора и базы нужно подать относительно вывода эмиттера испытательное синусоидальное переменное напряжение около 1 Вэфф (амплитудой 1,5 В). Для проверяемого транзистора оно безопасно. К выводам коллектора и эмиттера подключают осциллограф. Хотя на схеме изображён транзистор структуры n-p-n, он может быть и структуры p-n-p. При этом изменять схему не потребуется.

Рис. 1. Схема проверки биполярного транзистора без выпайки его из устройства

Частота испытательного напряжения не принципиальна, но слишком увеличивать её не стоит, так как это исказит форму наблюдаемых осциллограмм, особенно при наличии подключённых к выводам проверяемого транзистора конденсаторов. Удобно брать испытательный сигнал от сети 50 Гц через понижающий трансформатор и, при необходимости, низкоомный делитель напряжения. Провода к выводам проверяемого транзистора, находящегося в устройстве, на время измерения припаивают или плотно прижимают. Я обычно использую провод МГТФ-0,12.

Номиналы резисторов R1 и R2 зависят от мощности проверяемого транзистора. Те, что указаны на схеме, подходят для транзисторов малой и средней мощности и обеспечивают максимальный ток коллектора около 5 мА. Для проверки транзисторов при меньшем токе их нужно увеличить, а при большем — уменьшить. Следует также иметь в виду, что для успешной проверки сопротивление резисторов, подключённых к проверяемому транзистору в устройстве, где он установлен, должно быть значительно больше, чем резисторов R1 и R2.

Рис. 2. Осциллограмма напряжения

При проверке исправного транзистора структуры n-p-n осциллограмма напряжения между его коллектором и эмиттером имеет вид, подобный показанному на рис. 2 (синяя линия). Здесь и далее красная линия отмечает нулевой уровень напряжения, коэффициент отклонения луча по вертикали — 0,5 В/дел., скорость горизонтальной развёртки — 5 мс/дел. Испытывался транзистор КТ940А, установленный в модуле М2-4-1 старого телевизора.

В отрицательных полупериодах испытательного напряжения и на начальных и конечных участках его положительных полупериодов (в интервалах от 0 до приблизительно +0,6 В) транзистор остаётся закрытым, и форма напряжения между его коллектором и эмиттером повторяет форму испытательного напряжения. Когда мгновенное значение испытательного напряжения превышает +0,6 В, транзистор открывается, в результате чего напряжение между его коллектором и эмиттером быстро снижается за счёт падения на резисторе R1. Далее транзистор переходит в состояние насыщения с близким к нулю напряжением коллектор-эмиттер (плоский участок осциллограммы), из которого выходит при понижении мгновенного значения испытательного напряжения. Те или иные отклонения формы осциллограммы от описанной связаны, как правило, с неисправностью транзистора.

При проверке транзистора структуры p-n-p осциллограмма получается инверсной, относительно рассмотренной, — такой, как показано на рис. 3 (проверялся транзистор 2Т208К).

Рис. 3. Осциллограмма напряжения

Рис. 4. Схема проверки полевых транзисторов с изолированным затвором средней и большой мощности при токе стока около 0,1 А

Рис. 5. Осциллограмма напряжения

Проверять полевые транзисторы с изолированным затвором средней и большой мощности при токе стока около 0,1 А можно по схеме, изображённой на рис. 4. Они могут быть как n-канальными, так и p-канальными. Осциллограмма на рис. 5 получена при проверке n-канального транзистора 2П7160Е. В положительных полупериодах испытательного напряжения он открывается при напряжении затвор-исток более +3 В (это его пороговое напряжение). Падение напряжения на открытом канале сток-исток очень мало. В отрицательных полупериодах канал закрыт, но открыт защитный диод транзистора, ограничивающий напряжение между выводами его стока и истока до -0,65 В. Увеличив коэффициент отклонения по вертикали до 20 мВ/дел., можно оценить падение напряжения на открытом канале сток-исток (рис. 6). Здесь уже виден собственный шум осциллографа.

Рис. 6. Осциллограмма напряжения

Рис. 7. Осциллограмма напряжения сток-исток

Рис. 8. Осциллограмма, полученная при проверке n-канального полевого транзистора IRFP064N

Рис.9. Осциллограмма, полученная при проверке p-канального полевого транзистора КП785А

Рис. 10. Осциллограмма, полученная при проверке p-канального полевого транзистора КП785А в инверсном включении

На рис. 7 — осциллограмма напряжения сток-исток того же транзистора в инверсном включении (выводы стока и истока поменяны местами), применяемом, например, в синхронных выпрямителях. Здесь напряжение положительного полупериода синусоиды, ограниченное до 0,3 В защитным диодом транзистора, уменьшается почти до нуля при открывании канала исток-сток. В отрицательных полупериодах испытательного напряжения и сам транзистор, и его защитный диод при таком включении закрыты, поэтому эти полупериоды испытательного сигнала регистрируются полностью.
Рис. 8 — осциллограмма, полученная при проверке n-канального полевого транзистора IRFP064N. Он открывается и закрывается при напряжении затвор-исток 3,4 В, провалы при полностью открытом канале — до 0,05 В, падение напряжения на открытом защитном диоде — -0,6 В. На рис. 9 изображена осциллограмма, полученная при проверке p-канального полевого транзистора КП785А, на рис. 10 — тогоже транзистора в инверсном включении.
Описанный метод проверки транзисторов без демонтажа из устройства не применим, если в этом устройстве между выводами проверяемого транзистора или междуэтими выводами и общим проводом либо выходом источника питания имеются элементы (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) с недостаточно большим по сравнению с сопротивлением резисторов R1 и R2 активным или реактивным (на частоте испытательного сигнала) сопротивлением.

Автор: В. Кильдюшев, г. Жуков Калужской обл.

Рекомендуем к данному материалу …

• Ещё раз о проверке полупроводниковых приборов без демонтажа|Р/л технология

Мнения читателей

Нет комментариев. Ваш комментарий будет первый.

Вы можете оставить свой комментарий, мнение или вопрос по приведенному выше материалу:

Неисправности транзисторов

• Раздел 7.3 Проверка транзисторов
• • Модель с двумя диодами для биполярных транзисторов.
• • Идентификация соединения транзисторов.
• • Тестирование BJT.
• • Тестирование JFET.
• • Тестирование МОП-транзисторов

Модель двухдиодного транзистора

Рис. 7.3.1 Модель двухдиодного транзистора.

Как показано на рис. 7.3.1, независимо от того, является ли транзистор (a) типом NPN или (b) биполярным транзистором типа PNP, он состоит из двух диодных переходов, перехода база-эмиттер и перехода база-коллектор. В целях тестирования их можно рассматривать просто как два диода с одним общим соединением, то есть с базой. Таким образом, чтобы проверить транзистор, вам просто нужно проверить прямое и обратное сопротивление каждого из этих переходов. Однако для этого сначала необходимо выяснить, какой пин какой.

План A — Использование паспорта производителя

Лучший способ проверить функции выводов — использовать паспорт производителя, почти каждый когда-либо изготовленный транзистор имеет свой паспорт в Интернете. Просто введите номер транзистора в строку поиска в Интернете, и вы найдете несколько сайтов, публикующих нужные вам данные. Вы также должны найти схему в таблице данных, показывающую соединения выводов транзистора (распиновки), где показаны выводы коллектора, базы и эмиттера и любые варианты. В том случае, если вы не сможете найти нужную информацию, придется прибегнуть к плану Б.

Рис. 7.3.2 Общие транзисторные блоки.

План Б. Определение функций выводов путем просмотра информации о корпусе транзистора.

Что делать, если вы не можете найти идентификационный номер жизненно важного транзистора на самом транзисторе? Не все потеряно; Вы все еще можете найти функции булавки с помощью небольшой детективной работы. Если тестируемый вами транзистор имеет металлический корпус, как в схемах компоновки распространенных корпусов ТО18, ТО3, ТО126, ТО202, ТО72 и т. д., это полезно. К коллектору почти всегда подключается металлический корпус или зона теплоотвода, чтобы тепло отводилось легче. Это означает, что если вы измерите сопротивление от корпуса или металлической области крепления к каждому контакту по очереди, один контакт, который измеряет нулевое сопротивление, будет коллектором. Что нам действительно нужно найти, так это базу. В транзисторных корпусах, таких как TO39это просто; эмиттер почти всегда находится рядом с металлическим язычком, а коллектор соединен с банкой.

Обратите внимание, что часто это делает основание центром трех соединений, но это не всегда так; не полагайтесь на то, что база находится в центре. Изучите распространенные типы пакетов, показанные на рис. 7.3.2. Существуют различия даже в пределах одного и того же типа упаковки. Так что, если план B не решил головоломку, не беспокойтесь, всегда есть план C.

План C — Тестирование транзисторов с неизвестными выводами.

Еще один полезный способ найти базу — измерить сопротивление между различными контактами.
Представьте для начала, что мы подозреваем, что неизвестный транзистор может быть типа NPN (они гораздо чаще, чем PNP в современных схемах), и он может быть неисправным

Использование таблицы поиска неисправностей

Следуйте инструкциям в полях 1, 2 и 3

Если вам необходимо перейти к блоку 4, и оба теста показывают значение от 500 Ом до 1 кОм, молодец! Вы нашли базовый контакт с первой попытки, и поле 5 сообщает вам, что вы тестируете NPN-транзистор.

В качестве альтернативы, если оба измерения указывают на бесконечность, вы переходите к ячейке 6, так как ваш положительный электрод не был на базе. Итак, вернитесь к тесту 2 и попробуйте еще раз с положительным проводом на другом штыре. Повторяйте этот тест, пока не найдете базовый штифт.

Или, если оба измерения на шаге 4 показывают бесконечность, либо транзистор неисправен (один или оба перехода разомкнуты), либо транзистор относится к типу PNP. Поэтому вам нужно начать снова, но на этот раз, используя отрицательный измеритель, чтобы найти базовый штифт.

Если в тесте 3 один или оба теста показывают 0 Ом (короткое замыкание) и вы случайно не коснулись положительного и отрицательного проводов во время тестов, транзистор неисправен из-за короткого замыкания одного или обоих переходов.

Таблица поиска неисправностей проверит биполярный транзистор независимо от того, знаете ли вы, какие контакты какие или нет, но- . Если все тесты проходят правильно, транзистор исправен. Если какие-либо тесты не пройдут, транзистор отправится в мусорное ведро.

1. Проверьте сопротивление между коллектором и эмиттером.

2. Затем поменяйте местами положительное и отрицательное соединения расходомера. Если транзистор исправен, показания должны быть бесконечными в обе стороны.

Теперь подключите положительный провод измерительного прибора к базе и проверьте сопротивление обоих соединений, подключив отрицательный измерительный щуп (3) к коллектору, а затем (4) к эмиттеру. В обоих случаях вы должны получить типичное значение прямого сопротивления от 500 Ом до 1 кОм.

Наконец, поменяйте местами соединения счетчика, чтобы отрицательный провод был подключен к базе. Подключите положительный щуп (5) к коллектору, затем (6) к эмиттеру. Оба соединения должны теперь читать бесконечность.

Тестирование полевых транзисторов JFET

Рис. 7.3.4 Модель диода JFET

Конструкция JFET отличается от конструкции биполярных транзисторов, поэтому для них требуются другие методы тестирования. Сначала рассмотрим схемы JFET на рис. 7.3.4, которые показывают путь сток/исток как единый блок из кремния N-типа или P-типа, а затвор — как простой диод, который имеет либо анод (в P-канальных JFET), либо катод ( в N-канальных JFET), подключенных напрямую к стоку/истоку. Поэтому вместо того, чтобы тестировать два PN-перехода, как в BJT, в JFET нам нужно протестировать только один переход.

Первое, что нужно знать перед тестированием подозрительного JFET, — это цоколевка, как и для любого другого транзистора, ее можно получить, загрузив лист данных для конкретного интересующего JFET.

Рис. 7.3.5 Технический паспорт 2N3819.

После определения контактов истока, стока и затвора следующие тесты цифрового измерителя должны выявить состояние JFET:

• 1. Переключите измеритель в режим проверки диодов.
• 2. Измерьте сопротивление между истоком и стоком с помощью положительного провода измерительного прибора на штырьке стока.
• 3. Поменяйте местами выводы измерителя (положительный на источник) и снова измерьте сопротивление.

Результаты тестов 1. и 2. обычно должны быть в пределах от 130 до 180 Ом, но они могут различаться в разных JFETS. Если сопротивление кажется подозрительно низким, это может означать, что на затворе с очень высоким импедансом есть остаточное напряжение из-за емкости перехода затвора. Чтобы исключить эту возможность, замкните затвор и исток, кратковременно соединив оба контакта, затем повторите тесты 1 и 2. Показание 0 Ом или бесконечность означает, что JFET неисправен.

• 4. Предполагая, что шаги 2 и 3 выполнены правильно, проверьте сопротивление между затвором и источником с помощью положительного щупа измерительного прибора на выводе затвора. Ожидайте сопротивление от 700 Ом до 1 кОм. Это прямое сопротивление затворного диода.
• 5. Удерживая положительный измерительный щуп на воротах, переместите отрицательный щуп на слив и проверьте сопротивление между воротами и сливом. Ожидайте аналогичных результатов для теста 4.
• 6. Теперь поменяйте местами соединения измерителя и проверьте обратное сопротивление диода затвора, поместив отрицательный щуп на вывод затвора, а положительный щуп на вывод истока. Теперь сопротивление должно быть бесконечностью.
• 7. Наконец, проверьте сопротивление между затвором и сливом, оставив отрицательный щуп на затворе и переместив положительный щуп на штырь слива. Опять же чтение должно быть бесконечностью.

Рис. 7.3.6 JFET из антистатической пены

.

При всех этих тестах вам следует воздерживаться от работы с полевым транзистором JFET, насколько это возможно. В идеале, при работе с полевыми транзисторами любого типа вы должны работать на рабочей станции ESD (антистатический разряд) или носить антистатический браслет. В качестве альтернативы вы можете по крайней мере воткнуть контакты (при условии, что они достаточно длинные) в кусок антистатической пены, такой как полевые транзисторы, в которых обычно хранятся. Сопротивление между контактами позволит избежать накопления статического напряжения, но будет достаточно высоким. чтобы не сильно повлиять на показания сопротивления, которые вы берете во время этих тестов.

Тестирование МОП-транзисторов

Первое, что нужно понять о МОП-транзисторах, это то, что они гораздо более чувствительны к повреждению статическим разрядом, чем любые другие типы транзисторов, даже JFET. Это связано с тем, что МОП-транзисторы представляют собой транзисторы с изолированным затвором, поэтому затвор полностью изолирован от пути сток/исток. Это означает, что между затвором и другими клеммами существует значительная емкость. Эту емкость можно легко зарядить до любого напряжения, включая чрезвычайно высокое напряжение, которое может присутствовать на человеческом (вашем) теле, например, при простой ходьбе по комнате, покрытой ковром. Такие статические напряжения могут легко разрушить МОП-транзистор. Поэтому с самого начала необходимо позаботиться о том, чтобы не прикасаться ни к одной из клемм MOSFET, когда MOSFET не находится в антистатической упаковке или не подключен к цепи. Поэтому для целей этих тестов мы предполагаем, что тестер (вы) будете использовать антистатические методы, как указано в разделе, посвященном тестированию JFET. Однако одна мера предосторожности, которую мы не можем использовать, заключается в том, чтобы вставить полевой МОП-транзистор в антистатическую пену; так как это помешает нашим тестам работать. Поэтому для проведения тестов мы максимально избегаем прикосновения к контактам MOSFET и вставляем контакты в макетную плату.

Последовательность тестирования MOSFET

Рис.

7.3.7 MOSFET на макетной плате.

• 1. Установите цифровой мультиметр в положение проверки диодов.
• 2. Замкните на мгновение клеммы Gate и Drain вместе с одним из щупов измерителя, чтобы разрядить любую емкость затвора.
• 3. Подсоедините положительный щуп счетчика к клемме «Слив», а отрицательный щуп к клемме «Источник». Счетчик должен показывать бесконечность.
• (Если счетчик показывает 0 Ом, попробуйте снова замкнуть затвор и сток отрицательным проводом счетчика, чтобы убедиться, что любой заряд затвора удален).
• Подсоедините положительный провод измерительного прибора к источнику, а отрицательный — к разъему «слив». Теперь измеритель должен показывать около 500 Ом

.

• Теперь вы проверили обратное и прямое сопротивление внутреннего защитного диода полевого МОП-транзистора.
• 4. Теперь подключите отрицательный щуп измерителя к клемме источника и на мгновение коснитесь клеммы затвора положительным щупом измерителя. Это мгновенно зарядит базовую емкость, достаточную для включения MOSFET.
• 5. Подсоедините положительный щуп к стоку, а отрицательный щуп к источнику (повторение теста 3). На этот раз измеритель должен показать 0 Ом, потому что MOSFET теперь включается напряжением, которое вы приложили к затвору.
• 6. Поменяйте местами выводы измерителя (положительный к истоку и отрицательный к стоку). Снова сопротивление сток/исток должно быть равно 0 Ом, подтверждая, что полевой МОП-транзистор включен.
• 7. Чтобы выключить полевой МОП-транзистор, используйте любой щуп для кратковременного замыкания затвора на сток.
• 8. Убедитесь, что полевой МОП-транзистор теперь «выключен», поместив положительный щуп на клемму стока, а отрицательный щуп на исток, чтобы убедиться, что сопротивление между стоком и истоком равно бесконечности, еще раз показав, что при нулевом напряжении на затворе МОП-транзистор теперь выключен, и МОП-транзистор работает правильно.

Заключение.

Проведение испытаний JFET или MOSFET поможет вам выявить неисправные полевые транзисторы и лучше понять полевые транзисторы, а также дополнить ваши исследования этих компонентов. Для получения более подробной информации см. Модуль 4 «Полупроводники» (Полевые транзисторы), чтобы завершить изучение этих важных компонентов.

Предупреждение: Никогда не работайте с «активными» цепями, если вы не знаете И НЕ ИСПОЛЬЗУЕТЕ безопасные методы работы. Многие цепи, получающие питание от сети (и некоторые из них) содержат СМЕРТЕЛЬНОЕ напряжение, а также другие опасности. С цепями под напряжением должен работать только полностью обученный персонал. Перед тем, как приступить к какой-либо работе с действующими цепями с использованием любой информации, представленной на этом веб-сайте, прочтите важное ОТКАЗ ОТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ.

Начало страницы.>

Как узнать, неисправен ли транзистор

Транзистор является активной электронной частью. Активная электронная часть — это то, что может выполнять усиление или обработку сигнала. Транзисторы являются основными элементами усилителей мощности, аудиоусилителей, импульсных преобразователей, источников питания и так далее. Термин «транзистор» несколько общий. Это может быть BJT, MOSFET или JFET. Но для обычных людей (любителей электроники) это обычно относится к BJT. Итак, в этом уроке мы сосредоточимся на том, как узнать, неисправен ли транзистор, относящийся к биполярному транзистору.

Если вам интересно узнать о MOSFET, прочтите статью: «Как узнать, неисправен ли MOSFET». BJT — это сокращение от Bipolar Junction Transistor. Транзистор может быть типа NPN или PNP. Это активное устройство, способное усиливать и даже переключать действие.

Ниже приведена простая иллюстрация того, чем NPN и PNP отличаются друг от друга. Если вам интересно узнать больше об основах, прочитайте статью «Принципы и практическое использование транзисторов NPN».

Конфигурации транзисторов NPN и PNP

Как узнать, неисправен ли транзистор — NPN

Если известно, что транзистор относится к типу NPN, ниже приведены шаги по устранению неполадок, чтобы определить, неисправен ли транзистор.

Шаги:

1. Возьмите цифровой мультиметр и установите его в режим диода

2. Подсоедините положительный щуп цифрового мультиметра к базе или к «P» или к базе на рисунке выше для типа NPN. Подключите отрицательный щуп к «N» или эмиттеру. Хороший транзистор будет считывать напряжение около 0,7 В. Плохой транзистор будет читать иначе. В противном случае означает значение, которое далеко от уровня 0,7 В. Хороший транзистор обычно показывает около 0,3–0,7 В для германиевых и кремниевых вариантов.

3. Переместите отрицательный щуп цифрового мультиметра на другой «N» или контакт коллектора. Решение должно быть таким же, как в пункте 2 выше.

4. Попробуйте поменять местами подключения датчиков в пунктах 2 и 3, теперь показания должны быть 0 В. Это означает, что переход транзистора не является проводящим, так как он находится в состоянии обратного смещения. Если показания другие, то транзистор неисправен.

5. Неисправный транзистор может иметь нулевое сопротивление при измерении коллектор-эмиттер.

Как узнать, неисправен ли транзистор — PNP

Если известно, что транзистор относится к типу PNP, ниже приведены шаги по устранению неполадок, чтобы узнать, неисправен ли транзистор.

Шаги:

1. Возьмите цифровой мультиметр и установите его в режим диода

2. Подсоедините положительный щуп цифрового мультиметра к базе или «P» или эмиттеру на рисунке выше для типа PNP. Подсоедините отрицательный щуп к «N» или к базе. Хороший транзистор будет считывать напряжение около 0,7 В. Плохой транзистор будет читать иначе. В противном случае означает значение, которое далеко от уровня 0,7 В. Хороший транзистор обычно показывает около 0,3–0,7 В для германиевых и кремниевых вариантов.

3. Переместите положительный щуп цифрового мультиметра на другой «P» или штырь коллектора. Решение должно быть таким же, как в пункте 2 выше.

4. Попробуйте поменять местами подключения датчиков в пунктах 2 и 3, теперь показания должны быть 0 В. Это означает, что переход транзистора не проводит ток, так как он смещен в обратном направлении. Если показания другие, то транзистор неисправен.

5. Неисправный транзистор может иметь нулевое сопротивление при измерении коллектор-эмиттер.

Если тип транзистора неизвестен, как начать диагностику?

В настоящее время легко получить техническое описание любого электронного компонента, если известен номер детали или маркировка корпуса. Однако при их отсутствии будет сложно. Возможное средство состоит в том, чтобы иметь представление о принципиальной схеме, если она доступна. Типы NPN и PNP имеют разную конфигурацию смещения. Тип NPN всегда имеет положительное питание на его базовую часть, заземление на эмиттер и положительное питание снова на коллектор. С другой стороны, тип PNP имеет заземление в базовой части и положительный исток в части эмиттера.

Образец цепей NPN и PNP

Как насчет отсутствия схемы? Проб и ошибок будет делать. Следуйте приведенным ниже шагам.

Шаги для идентификации NPN-транзистора:

1. Подсоедините положительный щуп цифрового мультиметра к любому контакту или ножке транзистора. Подсоедините также отрицательный щуп к любой ножке или контакту транзистора, но не к контакту/ножке с положительным щупом. Убедитесь, что цифровой мультиметр установлен в режим диода. Наблюдайте за показаниями цифрового мультиметра.
2. Если показания цифрового мультиметра находятся в пределах 0,3–0,7 В, это означает, что один из диодов на транзисторных переходах способен смещать прямое смещение.
3. Не снимайте положительный щуп с его места, пока снимайте отрицательный щуп с ногой/штифтом, не имеющим соединения с щупом. Если показания цифрового мультиметра по-прежнему составляют около 0,3–0,7 В, значит, транзистор относится к типу NPN.
4. Если приведенные выше тесты показывают обратное, выполните следующие действия.

Шаги для идентификации PNP-транзистора:

1. Подсоедините положительный щуп цифрового мультиметра к любому контакту или ножке транзистора. Подсоедините также отрицательный щуп к любой ножке или контакту транзистора, но не к контакту/ножке с положительным щупом. Убедитесь, что цифровой мультиметр установлен в режим диода. Наблюдайте за показаниями цифрового мультиметра.
2. Если показания цифрового мультиметра находятся в пределах 0,3–0,7 В, это означает, что один из диодов на транзисторных переходах способен смещать прямое направление.
3. Не снимайте отрицательный щуп с его места, пока снимайте положительный щуп с ножки/штифта, не имеющего соединения с щупом. Если показания цифрового мультиметра по-прежнему составляют около 0,3–0,7 В, значит, транзистор относится к типу PNP.

 Если приведенные выше испытания приводят к иному результату, транзистор может быть неисправен. Его стоит заменить. Вышеупомянутые учебники могут быть только базовыми. Опыт подскажет больше, как узнать, неисправен ли транзистор.

Вид отказа транзистора

Типичными видами отказа транзистора являются короткое замыкание перехода база-эмиттер, короткое замыкание перехода база-коллектор, короткое замыкание перехода коллектор-эмиттер, открытый коллектор-эмиттер, открытый переход база-эмиттер или открытый переход база-коллектор.