Транзистор igbt как проверить: Как проверить IGBT транзистор, принцип работы IGBT.

Содержание

Прибор для проверки мощных IGBT и MOSFET транзисторов N-канал Схема

Во время ремонта сварочного инвертора или другой техники возникает необходимость проверить мощный IGBT или MOSFET транзистор на предмет исправности, или подобрать к нему пару. Также при покупке новых транзисторов, нужно убедиться, что это именно те транзисторы, которые соответствуют маркировке на корпусе. Перебрав различные схемы в интернете, выбрал одну, по которой и повторил конструкцию прибора.

Идея заключается в том, чтобы иметь какую-то базу данных различных типов транзисторов, с которой можно сравнивать характеристики испытуемого транзистора, и если характеристики укладываются в определенные рамки, то транзистор можно считать исправным. Все измерения можно делать по упрощенной методике. Необходимую базу данных придется собирать конечно самому, но это все можно сделать.

Прибор позволяет провести такие измерения:

определить исправность (неисправность) транзистора

определить напряжение на затворе, которое необходимо для полного открытия транзистора

определить относительное падение напряжения на выводах К — Э открытого транзистора

определить относительную емкость затвора транзистора, даже в одной партии транзисторов есть отклонения и его косвенно можно увидеть

подобрать транзисторы с одинаковыми параметрами

Принципиальная схема прибора представлена на рисунке. Он состоит из источника питания 16 В постоянного тока, цифрового милливольтметра 0-1 В, стабилизатора напряжения +5 В на микросхеме L7805 для питания милливольтметра и питания светодиода, стабилизатора тока на лампе накаливания — для питания испытуемого транзистора, стабилизатора тока на микросхеме LM317 — для создания регулируемого напряжения (при стабильном токе) на затворе испытуемого транзистора с помощью переменного резистора и двух кнопок для открывания и закрывания транзистора.

Прибор достаточно прост и собран из общедоступных деталей. Для питания схемы можно использовать трансформатор с габаритной мощностью около 10 Вт и напряжением на вторичной обмотке 12 В. По желанию или в случае необходимости прибор можно питать от Li-Ion аккумулятора 18650 3,7 В в паре с повышающим преобразователем напряжения DC-DC MT3608. Для индикации параметров транзисторов применен цифровой вольтметр LXD5135 с пределом измерения от 0 до 1 В.

В моей конструкции для питания электронной схемы я использовал аккумулятор 18650 Li-ion 3,7 В и преобразователь напряжения DC-DC MT3608. Далее, изучая и адаптируя вольтметр, обнаружил интересную его особенность. Если на его клеммы L0 и HI подать напряжение, которое превышает его верхний порог измерения (1 В), то табло гаснет и вольтметр ничего не показывает, но стоит снизить напряжение и индикация возвращается (это все при постоянном питании 5В между клеммами 0V и 5V). Я решил использовать эту особенность. Думаю, что очень много цифровых вольтметров имеют такую же особенность. Взять, например, любой китайский цифровой тестер, если в режиме 20 В на него подать 200 В, то ничего страшного не произойдет, он лишь высветит «1» и все.

Далее расскажу о четырех интересных моментах в работе схемы:

1. Лампа выполняет 2 функции, это защита схемы при подключении «пробитого» транзистора и некоторая стабилизация тока (54-58 мА).

2. Применение стабилизатора тока на LM317 позволило не сжечь переменный резистор (когда он в верхнем по схеме положении) и случайно нажатых двух кнопках одновременно, или при испытании «пробитого» транзистора. Размер ограниченного тока в этой цепи даже при коротком замыкании равна 12 мА.

3. Применение 4шт диодов 1N4148 в цепи затвора испытуемого транзистора нужно для медленного разряда емкости затвора транзистора, когда напряжение на его затворе уже снято, а транзистор находится еще в открытом состоянии. Эти диоды имеют малый ток утечки, которым и разряжают емкость.

4. Применение мигающего светодиода как измерителя времени (световые часы) при разряде емкости затвора.

Из всего вышесказанного становится совершенно ясно, как все работает.

Работа с прибором

Включаем прибор, при этом начинает мигать светодиод, вольтметр не светится (или высвечиваются цифры 999 зависит от типа вольтметра).

Подключаем испытанный транзистор.

Устанавливаем ручку регулятора напряжения на затворе в крайнее левое положение (против часовой стрелки), задав таким образом «ноль» Вольт на затворе транзистора.

Нажимаем на кнопку «Открыть» и одновременно плавно крутим регулятор напряжения по часовой стрелке, увеличивая напряжение на затворе транзистора до момента засветки вольтметра.

Останавливаемся, отпускаем кнопку «Открыть», читаем показатель на вольтметре и записываем его. Это напряжение открытия транзистора.

Возвращаем регулятор до упора по часовой стрелке.

Нажимаем кнопку «Открыть», засветится вольтметр, читаем данные и записываем их. Это напряжение К-Э на открытом транзисторе.

Возможно, что за время, потраченное на записи, транзистор уже закрылся, тогда открываем его еще раз кнопкой, и после этого отпускаем кнопку «Открыть» и нажимаем кнопку «Закрыть» — транзистор должен закрыться, а вольтметр — погаснуть. Это проверка целостности транзистора — открывания и закрывания.

Опять открываем транзистор кнопкой «Открыть» (регулятор напряжения в максимуме) и, дождавшись ранее записанных свидетельств, отпускаем кнопку «Открыть» одновременно начиная подсчитывать количество вспышек (миганий) светодиода.

Дождавшись угасание вольтметра, записываем количество вспышек светодиода. Это и есть относительное время разряда емкости затвора транзистора или закрытию (до увеличения падения напряжения на закрытом транзисторе более 1 В). Чем это время (количество) больше, тем соответственно емкость затвора больше.

Далее проверяем все имеющиеся транзисторы, и все данные сводим в таблицу.

Именно с этой таблицей и происходит сравнительный анализ транзисторов — фирменные они или копии, соответствуют своим характеристикам или нет.

Безусловно у кого при повторении этого прибора может выйти таблица с несколько другими цифрами, это возможно, потому что цифры на вольтметре зависят от многих вещей: от имеющейся лампочки накаливания и величины напряжения питания.

Из таблицы видно, чем отличаются, транзисторы, например G30N60A4 от GP4068D. Они отличаются временем закрытия. Оба транзисторы применяются в одном и том же аппарате — Телвин, Техника 164, только первые применялись чуть раньше (года 3, 4 назад), а вторые применяются сейчас. И другие характеристики по документации у них примерно одинаковые. А в данной ситуации все наглядно видно — все в наличии. Кроме того, если у вас получилась табличка всего с 3-4 или 5 типов транзисторов, и других просто нет в наличии, то можно, наверное, посчитать коэффициент «согласованности» ваших цифр с этой таблицей и, используя его, продолжить свою таблицу, используя цифры из этой таблицы. Думаю, что зависимость «согласованности» в этой ситуации будет линейной. На начало хватит, а потом подкорректирует свою таблицу со временем.

Еще раз повторюсь, устройство не измеряет величину (чисел) указанных в документации, оно делает почти то же самое, но в относительных единицах, сравнивая один образец с другим.

Устройство не измеряет характеристик в динамическом режиме, это только статика, как обычным тестером. Но и тестером не все транзисторы подвергаются проверке, и не все параметры можно увидеть.

Вышел прибор простой и бюджетный, а главное, он привязывает все испытания к одним рамкам.

Желаю успеха при изготовлении данного прибора!

Транзистор- как проверить

Транзистор это полупроводниковый прибор, состоящий из нескольких PN переходов и для того чтобы его проверить, необходимо проверять каждый из PN переходов в отдельности.
В принципе об этом многие знают, но на практике можно встретить массу нюансов, связанных в основном с тем, что сами транзисторы могут иметь несколько разновидностей: помимо биполярных и полевых существуют еще и, так сказать, специализированные- это строчные, составные, цифровые. Со всеми с ними приходится встречаться на практике и, конечно-же возникает необходимость их проверки и тут возникают различные тонкости…
Короче, давайте начнем по порядку…

Проверка биполярного транзистора

Биполярный транзистор является самым простым и представляет собою нечто вроде «слоеного пирога» из двух PN переходов. Вот такая у него структурная схема

Как видим- биполярный транзистор можно представить как два встречно-включенных диода и поэтому достаточно проверить каждый из PN переходов в отдельности.
Для проверки будем использовать самый обычный мультиметр.
Думаю все в курсе что средняя зона называется БАЗОЙ. Все проверки производим относительно ее.

В качестве примера я взял транзистор 2SD2498. Это NPN, поэтому что мы имеем:
1. Должна быть односторонняя проводимость в переходах БЭ и БК.
2. Так как база является P областью, то проводимость должна быть только в случае если приложить красный щуп мультиметра к базе.
3. Между Коллектором и Эмиттером проводимости быть не должно.
Пробуем

Коллектор- Эмиттер. Проводимости нет. Причем в обеих направлениях.

База-Эмиттер. Проводимость есть.

База-Коллектор. Проводимость есть. Вывод- транзистор живой.
Пара примечаний:
1. Как видим при проверке переходов БЭ и БК красный щуп находился на Базе. Если поменять щупы местами то проводимости быть не должно.
2. На данном примере речь шла о NPN транзисторе (просто с ними чаще приходится иметь дело). Если проверяем PNP, то полярность нужно развернуть.

Еще один интересный факт: на фотках видно что проводимость переходов БЭ и БК немного отличаются. Для мощных транзисторов это особого значения не имеет, а вот у маломощных такой разбег в параметрах не желателен. Был у меня уже как-то на практике такой случай что при разной проводимости переходов у транзистора КТ315, он самопроизвольно отключался. проблема решилась только после его замены.

Строчный транзистор

Это вид транзисторов предназначенный для работы в строчной развертке телевизоров. То есть его можно назвать узкоспециализированным и его особенность заключается в том, что он имеет встроенный диод между коллектором и эмиттером и шунтирующий резистор между базой и эмиттером.
Конечно-же при его проверке это необходимо учитывать.

В качестве примера будем проверять транзистор 2SD2499 со строчной развертки кинескопного телека.

Переход коллектор- эмиттер: в одном направлении

и в другом

Как видим- в одном направлении проводит, в другом нет. Это вовсе не означает что транзистор имеет утечку- это показывает на то что внутри имеется встроенный диод.

Переход База- эмиттер

Показывает низкое сопротивление, причем в любой полярности щупов. Это указывает на то, что внутри имеется встроенный резистор.
Дилемма, не правда-ли? А может быть это не резистор, а утечка в самих PN переходах? Редкость, но вполне возможно! Проверить невозможно, так что если есть сомнения- то лучший способ это проверка заменою.

Составной транзистор

Составной транзистор имеет внутри себя сразу два транзистора, включенных по вот такой схеме:

Эту схему еще называют схемой Дарлингтона и во многих даташитах составные транзисторы так и подписаны.
На практике составные транзисторы встречаются не сильно часто, однако все-же иногда с ними приходится сталкиваться. Среди отечественных транзисторов это были КТ972, КТ973, КТ825, КТ827 и некоторые другие. Среди «иномарок» чаще всего приходится пересекаться с транзистором BU808, вот его мы и будем сейчас проверять…
Сразу-же небольшая оговорка: внутренние схемы составных транзисторов могут различаться. Картинка, приведенная выше- относится именно к BU808.

Итак, что мы имеем:
1. Помимо того что это Дарлингтон, это еще и строчный транзистор, то есть имеет встроенный диод, то есть переход КЭ должен прозваниваться в одном направлении.
2. Переход БК у нас здесь прозвонится как БК первого (левого на картинке) транзистора, второй транзистор мы прозвонить уже не сможем.
3. При прозвонке БЭ мы получим два последовательно включенных резистора R1 и R2. То есть сами переходы БЭ транзисторов мы проверить не сможем, однако если они будут пробиты- то мы это увидим

Поехали…

Выводы КЭ. В одной полярности

И в другой

Пробоя нет, наблюдаем встроенный диод.
Далее: переход БЭ

Сопротивление в 300 Ом.
Переход БК

Наблюдаем проводимость характерную для PN перехода. Вывод- явных пробоев нет, транзистор скорее всего живой.
Интересное наблюдение:
Одно время в магазинах появилась поддельная партия транзисторов BU808. Работать совершенно не хотели- уходили в перегрев через 20 секунд после включения телевизора. Их основное отличие было в том, что переход БЭ у них прозванивался в пределах 50…. 70 Ом. Судя по всему на более дешевых строчных транзисторах просто название перетерли…
Выход из положения нашелся довольно быстро.

Полевой транзистор

Полевые транзисторы состоят также из PN переходов, однако методика проверки полевого транзистора немного отличается.
Чтобы проверить полевой транзистор необходимо ввести его в режим насыщения и убедиться что он открылся. Затем вывести его из режима насыщения и убедится что он заперся.

На словах все это звучит не совсем понятно, так что лучше один раз увидеть 😎

Начну с пары пояснений:
1. На практике чаще всего приходится иметь дело с N-канальными MOSFET, так что на них и будем тренироваться.
2. Конечно-же параметры у всех транзисторов отличаются и поэтому различным транзисторам требуется различный ток насыщения, уровень открывания перехода Исток- Сток также может быть различный и поэтому рассмотрим два варианта.
3. Если необходимо проверить P-канальный транзистор, то тогда полярность щупов на мультиметре нужно будет развернуть

Итак, начнем…

Опыт первый- транзистор APM4010N. Это N-канальный MOSFET в SMD корпусе (я его припаял к металлической пластине чтобы легче было закрепить щупы прибора). Встречались чаще всего в ЖК телеках Mystery в инверторах подсветки и источниках питания. Вот его цоколевка:

Между истоком- стоком имеется встроенный диод, и вот он на показаниях мультика

Не отпуская черный щуп, прикасаемся на секунду красным щупом к Затвору

Возвращаем красный щуп на место и видим что сопротивление упало почти до нуля. То есть транзистор открылся

Причем в обе стороны

Запираем транзистор. Для этого не отпуская Красный щуп, на секунду прикасаемся Черным щупом к затвору

Возвращаем черный щуп на место- транзистор заперся

Вывод- транзистор живой.

Опыт второй: транзистор 7N65. Тоже N-канальный MOSFET, в пластиковом корпусе, довольно распространенный. Вот его цоколевка

Проверяем переход Исток- Сток. В одну сторону проводимости нет, в другом направлении- встроенный диод и мультик его показал.

Процедура точно такая-же как и в предыдущем варианте: не отпуская черный щуп, прикасаемся на секунду красным щупом к Затвору. Возвращаем щуп на место и видим что транзистор немного приоткрылся: проводимость стала не КЗ, но появилась

Запирается транзистор точно также как и в предыдущем случае.

IGBT транзистор

Довольно интересный прибор, представляющий из себя гибрид биполярного и полевого транзисторов. На схеме выглядит вот так:

То есть- у него есть коллектор и эмиттер, а вот вместо базы- изолированный затвор. Такая конструкция позволяет работать с очень большими токами коллектора, а вот в бытовой технике он практически и не применяется. Применяются они обычно в сварочных инверторах и еще их можно было встретить в плазменных телевизорах.

Проверяются IGBT транзисторы примерно также как и полевые, однако такая методика подходит не для всех типов транзисторов ( некоторые из них не открываются мультиком), так что для проверки лучше собрать вот такую простенькую схему

Цифровые транзисторы

Тоже довольно интересный прибор- внутри имеются резисторы и предназначен он исключительно для работы в ключевом режиме. Вот его структурная схема:

Вот один из вариантов цифрового транзистора- DTA114

Применяются в основном как коммутаторы небольших напряжений. Проверить цифровой транзистор тоже не очень просто- мультиметр нам покажет только лишь сопротивление резисторов между переходом БЭ, да еще пробой (если такой имеется). А вот для того чтобы проверить работоспособность- тут только один вариант: собирать схему как для IGBT

Как тестировать БТИЗ (INS045E)

IGBT широко используются в преобразователях частоты, регуляторах мощности, коммутируемых источниках и преобразователях постоянного тока. Эти компоненты имеют гибридные характеристики, с изолированным затвором, как у полевого МОП-транзистора, и переходами между коллектором и эмиттером, как у биполярного транзистора.

Одним из наиболее распространенных испытаний IGBT является динамическое испытание зарядки лампы мощностью от 40 до 100 Вт в ее коллекторе и питания цепи напряжением до 100 В постоянного тока.

При соединении затвора с эмиттером транзистора он должен оставаться в разрезе и при этом лампа не горит.

Подключив затвор к коллектору (что нужно сделать с резистором 10 кОм), транзистор насытится и лампа загорится. Эта динамическая процедура показана на рисунке 1.

Рис. 1. Динамические испытания IGBT

Если лампа продолжает гореть, оба IGBT закорочены, а если она не горит, IGBT открыт. Читатель должен знать о максимальном напряжении, которое может быть приложено между затвором и эмиттером транзистора, которое обычно составляет 20 В.

Если испытание проводится при более высоких напряжениях, напряжение, подаваемое на затвор, всегда должно быть меньше 20 В.

Однако аналогичный тест можно провести с помощью аналогового мультиметра и даже с некоторыми типами цифровых мультиметров, которые имеют достаточное тестовое напряжение, чтобы насытить его при размещении на шкалах резисторов или тесте диодов.

Для этой цели мы можем сначала выполнить тест на короткое замыкание, как показано на рисунке 2.

Рис. 2. Проверка с помощью измерителя

Сначала мы измерили сопротивление между выводами затвора и коллектора, а затем между затвором и эмиттером.

В обоих измерениях у нас должны быть показания высоких сопротивлений. Под высоким сопротивлением мы подразумеваем значения выше 10 МОм.

Если какое-либо из измерений показывает низкое сопротивление или даже среднее значение (от 10 кОм до 1 МОм), IGBT выходит из строя из-за короткой или даже чрезмерной утечки. Если он проходит этот тест, мы измеряем сопротивление между коллектором и эмиттером.

В одном смысле он должен быть высоким, а в другом — низким, потому что мы должны учитывать защитный диод, который есть у этих компонентов, как показано на рисунке 2.

Низкое сопротивление при обоих измерениях указывает на короткое замыкание IGBT, а несколько низкое значение сопротивления там, где оно должно быть очень высоким (от 10 кОм до 1 МОм), указывает на негерметичный компонент. В обоих случаях компонент не следует использовать.

В зависимости от напряжения батареи мультиметра можно выполнить относительно простой тест переключения. Для этого воспользуемся соединением рисунка 3 с мультиметром в промежуточном диапазоне резисторов.

Рисунок 3. Проверка с помощью измерителя

При касании отверткой или замыкании затвора (g) и коллектора (C) транзистора он должен переключиться.

Это приведет к падению сопротивления с очень высокого значения до более низкого значения в зависимости от характеристик тестируемого IGBT и самого измерителя.

Однако необходимо учитывать, что внутренняя батарея некоторых мультиметров не имеет достаточного напряжения для обеспечения проводимости компонента.

Чтобы убедиться, что этот тест применим к имеющемуся мультиметру, было бы интересно попробовать IGBT, который, как мы знаем, находится в хорошем состоянии.

Один из способов проверки IGBT с помощью мультиметра в случае, если описанная прямая проверка невозможна, показан на рис. 4.

Рисунок 4 – Мультиметр и внешний источник в тесте IGBT

Аккумулятор на 9 В или даже источник большего напряжения (20 В) обеспечивает напряжение, необходимое для поляризации компонента, и, таким образом, в случае исправного компонента можно получить показания пускового тока.

Схема тестирования БТИЗ

Существуют простые способы проверки IGBT. Однако с помощью генератора функций и осциллографа мы можем пойти дальше и определить характеристики тестируемого компонента.

На рисунке 5 показана схема для этой цели. Эта схема подходит для большинства распространенных IGBT и проста в развертывании. Мы также можем использовать его в дидактических целях, чтобы продемонстрировать характеристики этого компонента.

Рисунок 5 – Тестовая схема для IGBT

В этой схеме осциллограф настроен на функцию B/A, т. е. сигналы по оси Y зависят от оси X, а типичная чувствительность по двум осям составляет 2 В/дел.

См. Также нам понадобится блок питания на 6 В для тестов. Генератор сигналов настроен на выработку сигнала частотой 1 кГц, модулированного по амплитуде на частоте 100 Гц с глубиной 1 единица.

На рисунке 6 показан сигнал, который должен наблюдаться для исправного IGBT при моделировании, выполненном в Multisim.

Рис. 6. Сигнал, наблюдаемый при тестировании IGBT

Значения используемых компонентов, а также тестовые сигналы могут быть изменены в зависимости от характеристик тестируемого IGBT.

Как проверить IGBT с помощью мультиметра

Этот сайт содержит партнерские ссылки на продукты. Мы можем получать комиссию за покупки, совершенные по этим ссылкам.

0
акции

Поделиться
Твит

Вы слышали о биполярных транзисторах с изолированным затвором или IGBT?

Это полупроводниковое переключающее устройство с 3 контактами, используемое для быстрого переключения с высокой эффективностью в большинстве электронных устройств. Такие инструменты широко используются в усилителях для обработки или коммутации сложных волновых структур с широтно-импульсной модуляцией или ШИМ.

Он сочетает в себе простоту управления затвором полевого МОП-транзистора и способность биполярного транзистора к низкому насыщению и высокому напряжению в одном устройстве. Видите ли, некоторые спецификации IGBT и примечания по применению от производителей компаний предлагают множество практических деталей. Однако самостоятельная навигация по этой теме может быть утомительной и сложной, особенно для начинающих проектировщиков схем.

Чтобы упростить вам задачу, IGBT — это компонент, используемый для питания большинства транспортных средств и бытовой техники. Считаете ли вы, что в вашем приборе произошло короткое замыкание? Это поможет, если вы проведете тест, чтобы определить, является ли IGBT виновником этой проблемы.

Теперь вопрос: как проверить свой IGBT? Какой лучший инструмент вы можете использовать?

Если все сделано правильно и успешно, это может уберечь вас от покупки нового прибора и замены неисправного IGBT.

Прежде чем мы углубимся в эту тему, давайте сначала разберемся, как работает IGBT и какова его структура.

Где вы обычно используете IGBT?

IGBT идеально подходит для различных целей в силовой электронике, в частности, в сервоприводах с ШИМ и трехфазных приводах, которым требуется широкий динамический диапазон и низкий уровень шума. Знаете ли вы, что его также можно использовать в ИБП (источники бесперебойного питания), SMPS (импульсные источники питания), и других силовых цепях, требующих высокой частоты повторения переключений?

Короче говоря, IGBT повысили эффективность и динамические характеристики, а также снизили уровень слышимого шума. Точно так же он подходит для преобразователей с резонансным режимом. Усовершенствованные IGBT также доступны как с низкими потерями переключения, так и с низкими потерями проводимости.

Каковы преимущества использования IGBT?

Вы найдете несколько причин, по которым использование IGBT гораздо предпочтительнее, чем BJT и Power MOSFET.

Имеет широкий SOA. IGBT обладает отличной проводимостью тока, в отличие от биполярных транзисторов. Он также обладает первоклассными навыками блокировки вперед и назад.

IGBT имеет низкую мощность возбуждения и простую схему возбуждения из-за структуры входного МОП-транзистора. Следовательно, его можно легко регулировать, в отличие от современных устройств управления 9.0147 (например, BJT, тиристор) в приложениях с высоким током и высоким напряжением.

В конечном счете, IGBT имеет низкое падение напряжения в открытом состоянии из-за его модуляции проводимости и имеет отличную плотность тока в открытом состоянии. Следовательно, меньший размер чипа, скорее всего, возможен, и стоимость может быть значительно снижена.

Видите ли, IGBT идеально подходят для увеличения напряжения блокировки. Когда мы говорим о Power MOSFET, сопротивление во включенном состоянии резко возрастает с напряжением пробоя. Это связано с увеличением удельного сопротивления и толщины зоны дрейфа, необходимой для поддержания высокого рабочего напряжения.

При этом обычно предотвращается расширение мощностных полевых МОП-транзисторов с большим током и высоким блокирующим напряжением. Наоборот, для IGBT сопротивление области дрейфа существенно снижается из-за высокой концентрации инжектированных неосновных носителей по всей проводимости тока в открытом состоянии.

Кроме того, передний спад из области дрейфа становится зависимым от ее толщины и независимым от ее начального удельного сопротивления.

Важность тестирования IGBT

Вы должны быть очень внимательны и осторожны при тестировании IGBT. Помните, что подача слишком большого напряжения или тепла на этот компонент может представлять большой риск и привести к необратимому повреждению прибора.

Чтобы точно и правильно протестировать IGBT, выполните следующие действия:

Сначала отключите устройство от сети. Последнее, что вы хотели бы, это быть убитым током, верно?

Найдите IGBT в схеме. Отнеситесь к этому шагу очень серьезно и всегда будьте осторожны. IGBT представляет собой белый или черный схемный блок с двумя-шестью разъемами сверху и двумя разъемами сбоку. Помните, что расположение на печатной плате зависит от устройства.

Отсоедините IGBT от вашего устройства. Это можно сделать, открутив четыре винта по углам. Чтобы гарантировать безопасность, не выполняйте никаких тестовых действий, пока все электронные соединения не будут отключены от IGBT.

Всегда проверяйте подключение защитного диода с помощью мультиметра в режиме проверки диодов.

Возьмите красный провод мультиметра и подключите его к черному проводу вашего IGBT. Это терминал эмиттера. Клемма IGBT оснащена функциональным защитным диодом, если показания цифрового вольтметра находятся в диапазоне от 0,2 до 0,8.

Возьмите мультиметр и установите его в режим сопротивления. Подключите его к эмиттеру IGBT (черный провод). Ваше устройство показывает что-либо, кроме бесконечного чтения? Это явный признак того, что у вас закорочен IGBT. Это также называется тестом затворного оксида.

Возьмите тестер IGBT, чтобы проверить его работоспособность, подключив его к выводам коллектора, затвора и эмиттера IGBT. Затвор расположен сбоку устройства, ближе к излучателю.