Стеклянный диод: Стеклянный Диод Dip 0,5 Вт Do-35,Стабилитрон 1/2 Вт 24 В

Диод 1N4148 характеристики, аналоги: КД522Б, LL4148, LS4148

Диод 1N4148 маломощный высокочастотный кремниевый в корпусе DO-35 с штырьевыми выводами, полосой помечается вывод катода.

Диод 1N4148 весьма широко распостранен, его аналоги можно обнаружить практически в любом электронном приборе: от зарядного устройства телефона до телевизора.
Я и сам часто использую его версию для поверхностного монтажа в своих разработках.
Полный отечественный аналог диода 1N4148 — КД522Б, так же часто встречался в отечественных электронных устройствах.

Характеристики 1N4148:

• прямой средний ток – 150 мА,
• прямой пиковый ток – 500 мА,
• падение напряжения – от 0,6-0,7 В (при токе 5 мА) до 1 В (при токе 100 мА),
• емкость перехода – 4 пФ,
• скорость переключения менее — 4 нс,
• неповторяющееся пиковое обратное напряжение – 100 В,
• пиковое обратное напряжение – 75 В,
• действующее значение обратного напряжения – 53 В,

Обратный ток сильно зависит как от обратного напряжения, так и от температуры:

Диод 1N4148 применение

Если нужен диод с маленьким обратным током и большим быстродействием, но величина падения напряжения на диоде не принципиальна, то 1N4148 и его аналоги идеальный выбор. Если величина падения напряжения принципиальна, то стоит использовать диоды Шоттки.

Аналоги 1N4148 в других корпусах

Чаще всего я использовал LL4148 в стеклянном цилиндрическом корпусе для поверхностного монтажа — MiniMELF SOD-80.

Из-за того что контакты диода LL4148 припаиваются прямо к плате (что улучшает теплотдачу от диода) он способен пропускать через себя в двое больший средний прямой ток — 300 мА. Диод хорош, вот только очень неудобен для ручной пайки — его непросто удержать пинцетом.
И видимо поэтому выпустили ещё один аналог в «квадратном» корпусе QuadroMELF SOD-80 — LS4148.

А вот 1N4148WS в пластиковом прямоугольном корпусе SOD-323, длинна корпуса около 2мм, максимальный средний ток 200мА.

Иногда в схеме нужно задействовать несколько диодов 1N4148 с общими точками подключения: например с общим катодом или общим анодом, тогда для экономии можно применить диодную сборку для поверхностного монтажа и тем самым съэкономить место на плате, затраты на монтаж и комплектующие.
Следующие сборки имеют в своем составе диоды с параметрами не хуже чем у 1N4148:

• BAV99 — представляет собой два диода включенных по полумостовой схеме в трехвыводном корпусе (или два полумоста в 6-ти выводном),
• BAV70 — два диода соединенные по схеме с общим катод в трехвыводном корпусе (или две сборки с по два диода в 6-ти выводном),
• BAW56 — два диода соединенные по схеме с общим анодом в трехвыводном корпусе (или две сборки с по два диода в 6-ти выводном),
• BAV756S — две сборки по два диода одна с общим катодом, вторая с общим анодом в 6-ти выводном корпусе.

Используя только один миниатюрный корпус BAV99S или BAV756S можно осуществить двуполупериодное выпрямление.

Запись опубликована 15.05.2016 автором в рубрике Электроника для начинающих.

9.1.1. Точечный диод.

Точечные
диоды имеют очень малую площадь
электрического перехода(рисунок 3. 2 а).
Линейные размеры, определяющие ее,
меньше ширины р-n-перехода. Точечный
электрический переход можно создать в
месте контакта

небольшой
пластинки полупроводника 3 и острия
металлической проволочки-пружины 4 даже
при простом их соприкосновении. Более
надежный точечный электрический переход
образуется формовкой контакта, для чего
через собранный диод пропускают короткие
импульсы тока (порядка нескольких
ампер). В результат формовки острие
пружинки надежно приваривается к
пластинке полупроводника. При этом
из-за сильного местного нагрева

материал
острия пружинки расплавляется и
диффундирует в пластинку полупроводника,
образуя слой иного типа, чем полупроводник.
Между этим слоем и пластинкой образуется
р-n-переход полусферической формы.
Площадь р-n-перехода составляет примерно
10 2 − 10 3 мкм 2 . Точечные диоды в основном

изготовляют
из германия п-типа, металлическую
пружинку из тонкой

проволочки
(диаметром от 0.05 мм до 0.1 мм), материал
которой для германия p-типа должен быть
акцептором (например, бериллий). Корпус
точечных диодов герметичный. Он
представляет собой керамический или
стеклянный баллон 2, покрытый черной
светонепроницаемой краской (во избежание
проникновения света, так как кванты
света могут вызвать генерацию носителей

заряда
вблизи р-n-перехода, а следовательно,
увеличить обратный ток диода).

На
рисунке 3.2 а выводы обозначены 1.

9.1.2
Плоскостный диод.

Плоскостные
диоды имеют плоский электрический
переход, линейные размеры которого,
определяющие его площадь, значительно
больше ширины р-n-перехода. Площадь может
составлять от сотых долей квадратных
миллиметров (микроплоскостные диоды)
до нескольких десятков квадратных
сантиметров (силовые диоды). Переход
выполняют в основном методами вплавления
или диффузии. Плоскостные диоды
используются для работы на частотах до
10 кГц. Ограничение по частоте связано
с большой барьерной емкостью р-n-перехода
(до десятков пкФ). Одна из конструкций
плоскостного диода показана на рисунке
3.2 б.Пластинку кристалла полупроводника
3 припаивают к кристаллодержателю 2 так,
чтобы образовался контакт. От этого
контакта и электрода 4 сделаны

выводы
1, причем верхний проходит через стеклянный
проходной изолятор 6 в корпусе 5 и
коваровую трубку 7. Стеклянный изолятор
покрыт светонепроницаемым лаком. Корпус
служит для защиты диода от внешних
воздействий.

Плоскостные
диоды, как и точечные, могут быть выполнены
с контактом металл – полупроводник.
Емкость электрического перехода таких
диодов небольшая, время перезарядки
емкости, следовательно, мало, поэтому
их используют для работы в импульсных
режимах (сверхскоростные импульсные
диоды). Плоскостные диоды бывают малой
мощности (до 1 Вт), средней

мощности
(на токи до 1 А, напряжение до 600 В) и мощные
(на токи до 2000 А).

9.1.3
Выпрямительный диод

Выпрямительные
диоды. В выпрямительных диодах используется

свойство
односторонней проводимости р-n-перехода.
Их применяют в качестве вентилей, которые
пропускают переменный ток только в
одном направлении. Вентильные свойства
диода зависят от того, насколько мал
обратный ток. Для

уменьшения
обратного тока необходимо снижать
концентрацию неосновных носителей, что
может быть обеспечено за счет высокой
степени очистки исходного полупроводника.
Обычно применяют полупроводники, в
которых на 10 9 − 1010 атомов основного
элемента приходится один атом примеси.

Характеристики
реальных диодов несколько отличны от
вольт-амперных характеристик р-n-перехода.
Их вид зависит от рода основного
полупроводникового материала, площади
р-n-перехода, температуры. Особенно
сильно влияние температуры сказывается
на обратной ветви характеристики, так
как с ростом температуры возрастает
тепловой ток. В германиевых диодах
увеличение температуры на десять
градусов вызывает увеличение обратного
тока в два раза, в кремниевых диодах в
два с половиной

раза.
С ростом обратного тока увеличивается
нагрев р-n-перехода, что может привести
к тепловому пробою. Верхний предел
рабочих температур для германиевых
диодов составляет (от 85 до 100) °С, для
кремниевых – до 200 °С. Простейшая схема
однополупериодного выпрямителя
с

полупроводниковыми
диодами показана на рисунке 3.3. К диоду
в общем случае может быть приложено как
постоянное (для определения рабочей
точки на характеристике), так и переменное
напряжение, поэтому для описания работы
диода в первом случае используют
статические характеристики и параметры,
во втором случае – динамические.
Статические параметры – это прямой
выпрямленный ток наибольшее допустимое
напряжение, обратное сопротивление,
максимально допустимая мощность и др.
Динамические параметры — дифференциальное
сопротивление rД = dU / dI , общая емкость

диода
С, емкость между выводами диода при
заданных напряжении и частоте, которая
включает емкости C б , C ДИФ и емкость
корпуса диода; граничная частота f ГР ,
на которой выпрямленный ток уменьшается
в 2 раз.

10.
Светодиоды, фотодиоды.

Светодио?д или светоизлучающий
диод
(СД, LED англ.
Light—emitting
diode) — полупроводниковый
прибор, излучающий некогерентный
свет при пропускании через него
электрического тока. Излучаемый свет
лежит в узком диапазоне спектра, его
цветовые характеристики зависят от
химического состава использованного
в нем полупроводника.
Считается, что первый светодиод,
излучающий свет в видимом
диапазоне спектра, был изготовлен
в 1962
году в Университете
Иллинойса группой, которой
руководил Ник
Холоньяк.

Как и в любом полупроводниковом
диоде, в светодиоде имеется p-n
переход. При пропускании
электрического тока в прямом направлении,
носители заряда — электроны
и дырки
— рекомбинируют с излучением фотонов
(из-за перехода электронов с одного
энергетического уровня на другой).

Не всякие полупроводниковые материалы
эффективно испускают свет при рекомбинации.
Лучшие излучатели относятся к прямозонным
полупроводникам (т. е. таким, в
которых разрешены прямые оптические
переходы зона-зона), типа A^IIIB^V
(например, GaAs
или InP) и A^IIB^VI
(например, ZnSe или CdTe). Варьируя состав
полупроводников, можно создавать
светодиоды для всевозможных длин волн
от ультрафиолета
(GaN)
до среднего инфракрасного диапазона
(PbS).

Диоды, сделанные из непрямозонных
полупроводников (например,
кремния,
германия
или карбида
кремния), свет практически не
излучают. Впрочем, в связи с развитием
кремниевой технологии, активно ведутся
работы по созданию светодиодов на основе
кремния. В последнее время большие
надежды связываются с технологией
квантовых точек и фотонных кристаллов.

Фотодио?д — приёмник оптического
излучения, который преобразует попавший
на его фоточувствительную область свет
в электрический заряд
за счёт процессов в p-n-переходе.

Фотодиод,
работа которого основана на фотовольтаическом
эффекте (разделение электронов
и дырок в p- и n- области, за счёт чего
образуется заряд (ЭДС))
называется солнечным элементом. Кроме
p-n фотодиодов существуют и p-i-n фотодиоды,
в которых между слоями p- и n- находится
слой изолятора i. p-n и p-i-n фотодиоды только
преобразуют свет в электрический ток,
но не усиливают его, в отличие от лавинных
фотодиодов и фототранзисторов

урона — Поврежден стеклянный экран диода

спросил
6 лет, 6 месяцев назад

Изменено
6 лет, 6 месяцев назад

Просмотрено
315 раз

\$\начало группы\$

Я ремонтировал плату, когда заметил, что диод поврежден.

В стеклянном щите отсутствует часть, но щель все еще закрыта.
Диод еще в порядке?

Не знаю чем заменить, так как часть надписи отсутствует :/

PS: Вот видео диода: https://youtu.be/vms3SuanZtE

PPS:
Voltcraft VC920:
Прямое сопротивление: ~3 МОм
Обратное сопротивление: перегрузка
Прямое напряжение: 0,63 В
Обратное напряжение: перегрузка

PPPS: похоже на диод Шоттки или переключающий диод, а не на стабилитрон.

• диоды
• повреждение

\$\конечная группа\$

2

\$\начало группы\$

Даже по фото (подсказка) сложно сказать.

Если бы он был удален из цепи, вы могли бы подключить его к настольному блоку питания и определить обратное напряжение пробоя. Поскольку устройство слабое, я бы не стал пытаться его удалить, если только вся схема не перестала работать и не требуется попытка ремонта.

^{смоделируйте эту схему — Схема создана с помощью CircuitLab}

Рис. 1. Тестовая схема.

Проверьте стабилитрон с помощью мультиметра для проверки диодов. Вы должны получить от 0,7 до 1 В в прямом направлении и разомкнуть цепь в обратном направлении. Если это хорошо, то ..

Подключите подозрительный стабилитрон, как показано на рисунке. Вам нужно будет угадать, с каким напряжением тестировать. 12 В будет хорошей отправной точкой. Напряжение на мультиметре должно быть обратным напряжением пробоя. Если вы читаете одинаковое напряжение на обоих концах резистора, значит, стабилитрон еще не провел ток, поэтому вам придется поднять напряжение.

\$\конечная группа\$

7

Зарегистрируйтесь или войдите в систему

Зарегистрируйтесь с помощью Google

Зарегистрироваться через Facebook

Зарегистрируйтесь, используя электронную почту и пароль

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но никогда не отображается

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но не отображается

Нажимая «Опубликовать свой ответ», вы соглашаетесь с нашими условиями обслуживания, политикой конфиденциальности и политикой использования файлов cookie

.

Купить S2M 1000V 2A Поверхностное пассивированное сверхбыстрое SMD-диодное стекло, упаковка из 50 шт.

S2M 1000V 2A Поверхностное пассивированное сверхбыстрое SMD-диодное стекло, упаковка из 50 шт.

Это сверхбыстрый SMD-диод для поверхностного монтажа. Это устройство имеет стеклянный пассивированный переход, низкопрофильный корпус и быстрое время восстановления для высокой эффективности. Это электронный компонент, который позволяет току течь только в одном направлении. Это двухконтактный полупроводниковый прибор. Этот диод может пропускать токи до 2А. Этот диод проводит ток при прямом смещении и блокирует поток тока при обратном смещении.

Комплект поставки

Это упаковка из 50 штук сверхбыстрых SMD-диодов S2M 1000V 2A для поверхностного монтажа со стеклянным пассивированием.

Особенности

1. Высокая сила тока
2. Быстрый отклик
3. Низкое прямое падение напряжения
4. Стойкость к высокому импульсному току

Социальные ссылки:

Добавить отзыв

Ваш отзыв

Ваш отзыв

Имя *

Электронная почта *

На основании 3 отзывов

4.