Полевые транзисторы: Полевые транзисторы. For dummies / Хабр

Полевые транзисторы | Электротехника

Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля (в биполярных транзисторах выходной ток управляется входным током). Полевые транзисторы называют также униполярными, так как в процессе протекания электрического тока участвует только один вид носителей.

Различают два вида полевых транзисторов: с управляющим переходом и с изолированным затвором. Все они имеют три электрода: исток (источник носителей тока), затвор (управляющий электрод) и сток (электрод, куда стекают носители).

Транзистор с управляющим p—n-переходом. Его схематическое изображение приведено на рис. 1.21, а условное графическое обозначение этого транзистора – на рис. 1.22, а, б (p— и n-типов соответственно). Стрелка указывает направление от слоя р к слою п (как и стрелка в изображении эмиттера биполярного транзистора). В интегральных микросхемах линейные размеры транзисторов могут быть существенно меньше 1 мкм.

Рис. 1.22 Устройство транзистора

Рис. 1.23 Графическое изображение: а – канал р-типа; б – канал n-типа

Удельное сопротивление слоя n (затвора) намного меньше удельного сопротивления слоя р (канала), поэтому область р-n-перехода, обедненная подвижными носителями заряда и имеющая очень большое удельное сопротивление, расположена главным образом в слое р.

Если типы проводимости слоев полупроводника в рассмотренном транзисторе изменить на противоположные, то получим полевой транзистор с управляющим
р-n-переходом и каналом n-типа. Если подать положительное напряжение между затвором и истоком транзистора с каналом р-типа: и_зи > 0, то оно сместит p—n-переход в обратном направлении.

При увеличении обратного напряжения на переходе он расширяется в основном за счет канала (в силу указанного выше различия в удельных сопротивлениях). Увеличение ширины перехода уменьшает толщину канала и, следовательно, увеличивает его сопротивление. Это приводит к уменьшению тока между истоком и стоком. Именно это явление позволяет управлять током с помощью напряжения и соответствующего ему электрического поля. Если напряжение и_зи достаточно велико, то канал полностью перекрывается областью p—n-перехода (напряжение отсечки).

В рабочем режиме р—n-переход должен находиться под обратным или нулевым напряжением. Поэтому в рабочем режиме ток затвора примерно равен нулю (i_з ? 0), а ток стока практически равен току истока.

На ширину р—n-перехода и толщину канала прямое влияние также оказывает напряжение между истоком и стоком. Пусть u_зи = 0 и подано положительное напряжение u_ис(рис. 1.24). Это напряжение окажется поданным и на промежуток затвор – сток, т. е. окажется, что u_зс = u_{иси р—n-переход находится под обратным напряжением.}

Обратное напряжение в различных областях р—n-перехода различно. В областях вблизи истока это напряжение практически равно нулю, а в областях вблизи стока это напряжение примерно равно величине u_ис. Поэтому p—n-переход будет шире в тех областях, которые ближе к стоку. Можно считать, что напряжение в канале от истока к стоку увеличивается линейно.

При u_ис = U_зиотс канал полностью перекроется вблизи стока (рис. 1.25). При дальнейшем увеличении напряжения u_ис эта область канала, в которой он перекрыт, будет расширяться.

Рис. 1.24 Принцип действия транзистора

Рис. 1.25 Режим отсечки

Схемы включения транзистора. Для полевого транзистора, как и для биполярного, существуют три схемы включения: схемы с общим затвором (03), общим истоком (ОИ) и общим стоком (ОС). Наиболее часто используются схемы с общим истоком (рис. 1.26).

Так как в рабочем режиме i_c ? 0, то входные характеристики обычно не рассматриваются.

Выходные (стоковые) характеристики. Выходной характеристикой называют зависимость вида

где f – некоторая функция.

Выходные характеристики для транзистора с р—n-переходом и каналом n-типа приведены на рис. 1.27.

Обратимся к характеристике, соответствующей условию u_зи = 0. В линейной области (u_ис < 4 В) характеристика почти линейна (все характеристики этой области представляют собой почти прямые линии, веерообразно выходящие из начала координат). Она определяется сопротивлением канала. Транзистор, работающий в линейной области, можно использовать в качестве линейного управляемого сопротивления.

При u_ис > 4 В канал в области стока перекрывается. Дальнейшее увеличение напряжения приводит к очень незначительному росту тока, так как с увеличением напряжения область, в которой канал перекрыт, расширяется. При этом сопротивление промежутка исток-сток увеличивается, а ток i_c практически не изменяется. Это область насыщения. Ток стока в области насыщения u_зи = 0 и при заданном напряжении и_синазывают начальным током стока и обозначают через i_{c нач}. Для рассматриваемых характеристик i_{c нач} = 5 мА при и_си = 10 В.

Рис. 1.26 Схема с общей базой

Рис. 1.27 Выходные характеристики

Параметрами, характеризующими свойства транзистора усиливать напряжение, являются:

1) Крутизна стокозатворной характеристики S (крутизна характеристики полевого транзистора):

2) Внутреннее дифференциальное сопротивление Rис диф

3) Коэффициент усиления

Можно заметить, что

Транзисторы с изолированным затвором. Полевой транзистор с изолированным затвором – это транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. Физической основой работы таких транзисторов является эффект поля, который состоит в изменении концентрации свободных носителей заряда в приповерхностной области полупроводника под действием внешнего электрического поля. В соответствии с их структурой такие транзисторы называют МДП-транзисторами (металл-диэлектрик-полупроводник) или МОП-транзисторами (металл-оксид-полупроводник). Существуют две разновидности МДП-транзисторов: с индуцированным и со встроенным каналами.

Рис. 1.28 Устройство МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа

На рис. 1.28 показан принцип устройства транзистора со встроенным каналом.

Основанием (подложкой) служит кремниевая пластинка с электропроводностью p-типа. В ней созданы две области с электропроводностью n⁺-типа с повышенной проводимостью. Эти области являются истоком и стоком и от них сделаны выводы. Между стоком и истоком имеется приповерхностый канал с электропроводностью n-типа. Заштрихованная область – диэлектрический слой из диоксида кремния (его толщина обычно составляет 0,1 – 0,2 мкм). Сверху диэлектрического слоя расположен затвор в виде тонкой металлической пленки. Кристалл такого транзистора обычно соединен с истоком, и его потенциал принимается за нулевой. Иногда от кристалла бывает сделан отдельный вывод.

Если к затвору приложено нулевое напряжение, то при подаче между стоком и истоком напряжения через канал потечет ток, представляющий собой поток электронов. Через кристалл ток не пойдет, так как один из p—n-переходов находится под обратным напряжением. При подаче на затвор напряжения отрицательной полярности относительно истока (следовательно, и кристалла) в канале образуется поперечное электрическое поле, которое выталкивает электроны из канала в области истока, стока и кристалла. Канал обедняется электронами, его сопротивление увеличивается, ток уменьшается. Чем больше напряжение на затворе, тем меньше ток. Такой режим называется режимом обеднения. Если подать положительное напряжение на затвор, то под действием поля из областей стока, истока и кристалла в канал будут приходить электроны. Сопротивление канала падает, ток увеличивается. Такой режим называется режимом обогащения. Если кристалл n-типа, то канал должен быть p-типа и полярность напряжения меняется на противоположную.

Другим типом является транзистор с индуцированным (инверсным) каналом (рис. 1.29). От предыдущего он отличается тем, что канал возникает только при подаче на затвор напряжения определенной полярности.

При отсутствии напряжения на затворе канала нет, между истоком и стоком
n⁺-типа расположен только кристалл p-типа и на одном из p-n⁺-переходов получается обратное напряжение. В этом состоянии сопротивление между стоком и истоком велико и транзистор закрыт. При подаче на затвор напряжения положительной полярности под влиянием поля затвора электроны проводимости будут перемещаться из областей стока и истока и p-области по направлению к затвору. Когда напряжение на затворе достигает своего отпирающего (порогового) значения (еденицы вольт), в приповерхностном слое концентрация электронов настолько увеличивается, что превышает концентрацию дырок, и в этом слое произойдет так называемая инверсия типа электропроводности, т.е. образуется тонкий канал n-типа, и транзистор начнет проводить ток. Чем больше напряжение на затворе, тем больше ток стока. Очевидно, что такой транзистор может работать только в режиме обогащения. Если подложка n-типа, то получится индуцированный канал p-типа. Транзисторы с индуцированным каналом часто встречаются в устройствах переключения. Схемы включения полевых транзисторов подобны схемам включения биполярных. Следует отметить, что полевой транзистор позволяет получить намного больший коэффициент усиления, нежели биполярный. Обладая высоким входным сопротивлением (и низким выходным) полевые транзисторы постепенно вытесняют биполярные.

По электропроводности канала различают p-канальные и n-канальные МДП-транзисторы. Условное обозначение этих приборов на электрических схемах показано на рис. 1.30. Существует классификация МДП-транзисторов по конструктивно-технологическим признакам (чаще по виду материала затвора).

Рис. 1.30 Условные графические обозначения полевых транзисторов
с изолированным затвором: а – со встроенным р-каналом; б – со встроенным
n-каналом; в – с индуцированным p-каналом; г – с индуцированным n-каналом

Интегральные микросхемы, содержащие одновременно p—канальные и n-канальные МДП-транзисторы, называют комплементарными (сокращенно КМДП-ИМС). КМДП-ИМС отличаются высокой помехоустойчивостью, малой потребляемой мощностью, высоким быстродействием.

Частотные свойства полевых транзисторов определяются постоянной времени RC-цепи затвора. Поскольку входная емкость Сзи у транзисторов с р—n-переходом велика (десятки пикофарад), их применение в усилительных каскадах с большим входным сопротивлением возможно в диапазоне частот, не превышающих сотен килогерц – единиц мегагерц.

При работе в переключающих схемах скорость переключения полностью определяется постоянной времени RC-цепи затвора. У полевых транзисторов с изолированным затвором входная емкость значительно меньше, поэтому их частотные свойства намного лучше, чем у полевых транзисторов с р-n-переходом.

принцип работы, схемы и т.д.

Полевые транзисторы — специальный класс транзисторов, которые могут использоваться в качестве выключателей, регуляторов тока или усилителей. Полевой транзистор, отличается от обычного транзистора тем, что ток в нем двигается не пересекая P-N перехода. Величиной тока можно управлять путем регулировки затворного потенциала, подаваемого через этот переход. Существует две основные разновидности полевых транзисторов: полевые транзисторы с затвором на основе перехода и полевые транзисторы с изолированным затвором.

Полевой транзистор

Обратите внимание на основы электричества и на приборы электроники.

Полевой транзистор с затвором на основе перехода

Полевой транзистор с затвором на основе перехода состоит из канальной области (канала) и затвора. Когда он работает, то ток протекает через канал от клеммы истока к клемме стока.

Канал изготовлен из материала n-типа, а затвор — из материала p-типа. Полевые транзисторы с затвором на основе перехода подобного типа называются полевыми транзисторами с затвором на основе перехода с каналом n-типа. На блок-схеме, показанной на рисунке ниже материал p-типа присоединен с обеих сторон к каналу. Однако во многих транзисторах с каналом n-типа этот материал p-типа бывает обернут вокруг канала сплошным кольцом, образуя, тем самым единый, неразрывный p-n переход. Принципы работы данного прибора в основном те же самые, несмотря на методы, использованные в его конструкции.

Схема полевого транзистора с затвором на основе перехода

Потенциал на затворе определяет проводимость на пути от истока до стока указанного транзистора. Затворный потенциал полевого транзистор с затвором на основе перехода, всегда имеет обратное смещение, чтобы снижать до минимума ток, протекающий через переход. Когда переход имеет обратное смещение, то током, протекающим по каналу, можно управлять с помощью изменения размеров обедненной области. Большие значения потенциала обратного смещения вызывают расширение обедненной области, что ограничивает ток, протекающий по каналу. И наоборот, с помощью уменьшения потенциала обратного смещения, и, тем самым, сокращения размеров обеденной области, создается возможность для протекания большего тока от истока к стоку. Состояние обратного смещения гарантирует, что никакой ток не течет самостоятельно через p-n переход.

Полевой транзистор с изолированным затвором

Полевые транзисторы с изолированным затвором отличаются от полевых транзисторов с затвором на основе перехода как по своей конструкции, так и по принципу работы. Обычно в полевых транзисторах с изолированным затвором, как это видно из их названия, затвор изолируется от основного корпуса транзистора тонким слоем окиси металла или каким-нибудь другим изолирующим материалом. Транзисторы этого типа, в которых в качестве изолятора использована окись металла, часто называют полевыми транзисторами со структурой металл-оксид-полупроводник.

Изоляция затвора в этих транзисторах от их основной части обеспечивает им двойное преимущество по сравнению с полевыми транзисторами с затвором на основе перехода. Одно из этих преимуществ заключается в том, что подобная изоляция предотвращает движение тока через затвор независимо от полярности, подаваемого на затвор потенциала. А это, в свою очередь, создает второе преимущество, которое состоит в том, что эти транзисторы могут действовать постоянно, независимо от того подается ли на затвор положительный или отрицательный потенциал.

Схема полевого транзистора с изолированным затвором

Однопереходный транзистор
специальный транзистор, генерирующий повторяющиеся волны

Тестеры для транзисторов
измеряет усиление по току и ток утечки

Стабилизаторы напряжения
прибор, который обеспечивает стабильный уровень напряжения

Повторитель напряжения
имеет высокое входное сопротивление, низкое выходное сопротивление и коэффициент усиления равный единице

Умножитель напряжения
контур, способный выдать напряжение, в несколько раз превышающее полученное

Инициатива федеративной сегментации опухолей (FeTS) | CBICA

• Дом
• Преподаватели и сотрудники
• Основные преподаватели и сотрудники
• Спиридон Бакас, к. м.н.
• FeTS

Инициатива Federated Tumor Segmentation (FeTS) описывает текущую разработку i) крупнейшей международной федерации медицинских учреждений и ii) набора инструментов с открытым исходным кодом с удобным графическим интерфейсом, направленного на получение знаний для обнаружения границ опухоли у обширных и разнообразных популяций пациентов без обмена какими-либо данными о пациентах.

Инструментарий FeTS фокусируется на:

1. приближении предварительно обученных моделей сегментации многочисленных алгоритмов глубокого обучения и их слияния к клиническим экспертам и исследователям, что позволяет легко проводить количественную оценку новых рентгенографических изображений и сравнительную оценку новых алгоритмов.
2. , обеспечивающий безопасное межучрежденческое сотрудничество посредством федеративного обучения для улучшения этих предварительно обученных моделей без совместного использования данных пациентов, тем самым преодолевая проблемы с законом, конфиденциальностью и владением данными.

Успешное завершение этого проекта приведет к созданию легкого в использовании потенциально переводимого инструмента, позволяющего легко, быстро, объективно, воспроизводимо и точно сегментировать опухоль, не требуя от пользователя вычислительных навыков, а также облегчая дальнейший анализ опухоли по радио -фенотипы к ускорению открытия.

Сотрудничающие сайты FeTS

Это список учреждений, которые приняли участие в первом крупномасштабном исследовании федерации [ссылка].

• С. Пати, У. Бейд, Б. Эдвардс, М. Дж. Шеллер, …, С. Бакас, «Федеративное обучение позволяет использовать большие данные для обнаружения границ редкого рака», препринт arXiv: 2204.10836.
  • Доступно на: arXiv (препринт)
• U Baid, S Pati, TM Kurc, R Gupta, E Bremer, S Abousamra, SP Thakur, JH Saltz, S Bakas, «Федеративное обучение для классификации лимфоцитов, проникающих в опухоль», препринт arXiv: 2203. 16622.
  • Доступно на: arXiv (препринт)
• М. Дж. Шеллер, Б. Эдвардс, Г. А. Рейна, Дж. Мартин, С. Пати, А. Котроцу, М. Мильченко, В. Сюй, Д. Маркус, Р. Р. Колен, С. Бакас, «Федеративное обучение в медицине: содействие межучрежденческому сотрудничеству без обмена данными о пациентах» , Научные отчеты, 10(1):1-12, 2020.
  • DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-020-69250-1
  • Доступно в: PubMed , NCBI , Издатель (Nature.com)  
• М.Дж. Шеллер, Г.А. Рейна, Б. Эдвардс, Дж. Мартин, С. Бакас, «Многоучрежденческое моделирование глубокого обучения без обмена данными пациентов: технико-экономическое обоснование сегментации опухоли головного мозга», MICCAI Brainlesion — Springer LNCS, 11383:92-104, 2018 .
  • DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-030-11723-8_9
  • Доступно в: PubMed , Publisher (Springer) , arXiv (препринт)

Рефераты

• У Байд, С Пати, С Такур, Б Эдвардс, М Шеллер, Дж Мартин, С Бакас, «NIMG-32. Инициатива федеративной сегментации опухолей (FeTS): первое в реальном мире крупномасштабное сотрудничество с частными данными с упором на нейроонкологию», нейроонкология, том 23, выпуск Supplement_6, ноябрь 2021 г., страницы vi135–vi136, https:// doi.org/10.1093/neuonc/noab196.532
• М. Дж. Шеллер, Г. А. Рейна, Б. Эдвардс, Дж. Мартин, С. Бакас, «Федеративное обучение в области нейроонкологии для межучрежденческого сотрудничества без обмена данными о пациентах», Нейроонкология, том 21, выпуск 6, страницы vi176–vi177, 2019 г. .
  • DOI: https://doi.org/10.1093/neuonc/noz175.737
  • Доступно: Издательство (Oxford University Press)

Прошлое :

1. РСНА 2021
2. СНО 2021
3. ICLR 2021 (4-8 мая)
4. 2020 MED-NeurIPS 2020 — виртуальный из-за COVID-19
5. SC’20 2020 (9–19 ноября) — виртуальный в связи с COVID-19
   Живая демонстрация
6. 2019 SNO (21-24 ноября) — Аризона, США
   Устная презентация (слайды)
   на 24-м ежегодном научном собрании Общества нейроонкологов
7. AACR 2019 (дата) — место, США.
   Устная презентация
   @ Американская ассоциация исследований рака
8. 2018 ECOG-ACRIN (24-26 октября) — Форт-Лодердейл, США
   Устная презентация
9. 2018 MICCAI (16–20 сентября) – Конференц-центр Гранады, Гранада, Испания
   Устная презентация
   на конференции «Вычисление медицинских изображений и компьютерное вмешательство»

Инструмент FeTS и модель консенсуса, созданные в ходе крупнейшего исследования FL [ссылка], можно найти по адресу https://github.com/FETS-AI/Front-End

Бинарные файлы Linux доступны по адресу https://www. .nitrc.org/frs/downloadlink.php/13219

Он использует OpenFL под капотом для построения и управления федерацией, и это можно найти в https://github.com/intel/openfl

Алгоритм обработки данных определен с использованием GaNDLF, его можно найти по адресу https://github.com/mlcommons/GaNDLF

Пресс-релиз:

• 11.05.2022: (Intel Newsroom)
• 2020.10.14: (Американский колледж радиологии — ACR)
• 2020. 07.26: (Penn Medicine News)
• 2020.05.11: (байт новостей Intel)

Освещение в СМИ:

• IT-Online: Intel говорит о доверии на конференции Intel Vision

• Гаджет: Intel запустила облачный трастовый сервис

• Pipeline Pub: Intel представляет Cloud-to-Edge и On-Premises Trust Assurance
• ITechnology: Intel представляет проект Amber для обеспечения доверия между облаком и периферией и локальной среды
• BusinessWire: Intel представляет проект Amber для обеспечения доверия между облачными средами и локальными средами
• Chip.com: «Турецкий веб-сайт новостей технологий»
• HWUpgrade.it: «Веб-сайт новостей итальянских технологий»
• Investor.id: «Веб-сайт новостей о технологиях Индонезии»

• Научный журнал: чрезвычайно раннее выявление рака

• AI Business: Intel и UPenn будут использовать федеративный ИИ для исследования опухолей головного мозга с сохранением конфиденциальности
• ИИ в здравоохранении: объединенное машинное обучение для диагностики опухолей головного мозга
• Все о цепях: противоречит ли машинное обучение для исследования опухолей конфиденциальности пациентов? Intel заявляет, что не с федеративным обучением
• Обзор больницы Беккера: Penn Medicine и Intel сотрудничают в области искусственного интеллекта для выявления опухолей головного мозга
• BioWorld: другие важные новости от 11 мая 2020 г.
• Brink Wire: Intel и Penn Medicine объединяются для разработки искусственного интеллекта Которые могут обнаружить опухоли головного мозга
• Встроенный: федеративное обучение объединяет искусственный интеллект и конфиденциальность — и это может преобразовать здравоохранение
• BusinessWire: Intel сотрудничает с Пенсильванским университетом в области использования искусственного интеллекта с сохранением конфиденциальности для выявления опухолей головного мозга
• CB Insights: AI на этой неделе: Waymo привлекает 750 миллионов долларов, Facebook применяет ИИ к клиническим испытаниям, стартап по распознаванию лиц Cloudwalk привлекает 254 миллиона долларов
• Click Lancashire Independent News: Intel и Пенсильванский университет используют ИИ для обнаружения опухолей головного мозга
• Цифровые тренды: Intel и Пенсильванский университет используют искусственный интеллект найти опухоли головного мозга
  • Распространение: Гипотермия , Yahoo! Финансы , Новости
• Цифровые тенденции в прямом эфире: утечки Apple iPhone 12 + полностью цифровой Comic-Con | Цифровые тренды в прямом эфире 5. 11.20
  • Доступно: Facebook, LinkedIn, Twitter, YouTube
• Engadget: Intel и Penn Medicine разрабатывают ИИ для обнаружения опухолей головного мозга
  • Распространение: 1010.team, Flipboard, MSN, Tech Investor News , OneNewsPage
• Enterprise Talk: Intel и UPenn сотрудничают с 29 организациями здравоохранения для обучения моделям ИИ
• Пояснение: искусственный интеллект может обнаруживать опухоли головного мозга
• FierceElectronics: головная группа Intel и UPenn использует ИИ для обнаружения опухоли головного мозга

грн.

• Healthcare IT News: Penn Medicine и Intel разрабатывают новый ИИ-подход к обнаружению опухолей головного мозга
• HealthIT Analytics: партнерство UPenn и Intel по использованию машинного обучения для обнаружения опухолей головного мозга
• Консультант HIT: Intel, UPenn Form AI Initiative для выявления опухолей головного мозга с помощью защищенных данных
• HPCwire
• iGamesNews
• InfoTechLead: Intel и Penn Medicine используют ИИ для выявления опухолей головного мозга
• Внутри HPC
• Investor Ideas Podcast: The AI ​​Eye Episode 247: Intel Labs (NasdaqGS: $INTC) работает с Penn Medicine над разработкой моделей AI для идентификации опухолей головного мозга, IBM (NYSE: $IBM) объявляет о Vodafone Idea Ltd. (NSE: $IDEA) ) Достигает рубежа в открытом универсальном гибридном облаке
• Journal of Cyber ​​Policy: Intel работает с Пенсильванским университетом над использованием искусственного интеллекта, сохраняющего конфиденциальность, для выявления опухолей головного мозга
• Kaiser Health News: Когда обмен исследовательскими данными встречается редко, этот новый подход к картированию опухолей головного мозга объединяет 30 центров
• MarketWatch: Глаз ИИ. Эпизод 247: Лаборатории Intel, работающие с Penn Medicine над разработкой моделей ИИ для идентификации опухолей головного мозга, IBM объявляет о том, что Vodafone Idea Ltd.0004
• MedCity News: UPenn и Intel будут использовать ИИ для раннего обнаружения опухолей головного мозга
• Майк Рэйвз WordPress: Intel и Penn Medicine разрабатывают ИИ для обнаружения опухолей головного мозга
• MobiHealthNews: Welltok добавляет четыре новые цифровые программы, Atrium Health внедряет портативный ультразвуковой аппарат Butterfly и другие сделки в области цифрового здравоохранения
• Seeking Alpha: Intel стремится улучшить обнаружение опухолей
• SlashGear: этот ИИ учится выявлять опухоли головного мозга, не нарушая конфиденциальности
• Сомагньюс
• STAT News: Больницы неохотно делятся данными. Новая попытка картировать опухоли головного мозга с помощью ИИ получает помощь по-другому
• состояние прессы
• TechTimes: Intel и Penn Medicine объединяются для разработки искусственного интеллекта Которые могут обнаружить опухоли головного мозга
• TheBest.gr (интервью на греческом): Исследователь из Патры (Греция) совместно с 30 учреждениями разрабатывает новую модель обнаружения рака
• Заголовки последних новостей
• The Burn In: Intel использует ИИ для выявления опухолей головного мозга и защиты конфиденциальности
• Wall Street Journal Pro AI: Intel и учреждения здравоохранения будут использовать новые технологии искусственного интеллекта для улучшения обнаружения опухолей
• Yahoo Финансы
• VentureBeat: Intel сотрудничает с Penn Medicine для разработки классификатора опухолей головного мозга с федеративным обучением
  • Syndication: News Break, Pioneering Minds, Tech Investor News, World News Monitor, 15-минутные новости
• Unite. ai
• Приветствуем ИИ: объединенное обучение для медицинской визуализации
• World-Today-News: этот искусственный интеллект выявляет опухоли головного мозга, соблюдая конфиденциальность данных
• ZDNet: Intel и UPenn сотрудничают с 29 организациями здравоохранения для обучения ИИ выявлению опухолей головного мозга
• Geekzilla: Intel сотрудничает с ИИ для выявления опухолей головного мозга
• Mobile Syrup: Intel и Penn Medicine совместно разработают инструмент искусственного интеллекта для выявления опухолей головного мозга
• Olhar Digital: Исследовательские центры хотят научить ИИ выявлять опухоли головного мозга
• Technocio: Intel сотрудничает с Пенсильванским университетом в использовании интеллекта для выявления опухолей головного мозга
• Tecnogaming: Федеральное обучение сохраняет данные пациентов для выявления опухолей головного мозга
• Ciber Sur : Intel и Пенсильванский университет будут использовать искусственный интеллект с защитой конфиденциальности для выявления опухолей головного мозга
• CorCom: опухоль головного мозга, искусственный интеллект и машинное обучение для ранней диагностики
• Fanáticos Hardware : Intel сотрудничает с Пенсильванским университетом в области использования искусственного интеллекта для выявления опухолей головного мозга
• Fudzilla: Intel применяет свой ИИ к опухолям головного мозга 
• Hats New : Intel будет работать над искусственным интеллектом, специализирующимся на обнаружении опухолей головного мозга
• KultureGeek: Intel работает над искусственным интеллектом для обнаружения опухолей головного мозга —
• La Gazette du Laboratoire: Intel сотрудничает с Пенсильванским университетом в использовании ИИ для выявления опухолей головного мозга при сохранении конфиденциальности
• L’Usine Digitale: этот искусственный интеллект выявляет опухоли головного мозга, сохраняя при этом конфиденциальность данных
• Muy Computer Pro : Intel разработает искусственный интеллект для обнаружения опухолей головного мозга
• Presse Citron: этот ИИ обнаруживает опухоли головного мозга, соблюдая конфиденциальность данных
• Punto Informatico: ИИ от Intel против опухоли головного мозга
• TechPrincess: Intel и Penn Medicine разработают классификатор опухолей головного мозга посредством федеративного обучения
• Tecnelab: Intel и Пенсильванский университет используют ИИ для выявления опухолей головного мозга
• Техэкономика: искусственный интеллект для выявления опухолей головного мозга
• Businessworld: Intel сотрудничает с Пенсильванским университетом в области использования ИИ с сохранением конфиденциальности для выявления опухолей головного мозга
• Cell IT: Intel сотрудничает с Пенсильванским университетом в области использования искусственного интеллекта с сохранением конфиденциальности для выявления опухолей головного мозга
• Financial Express: ИИ ускорит диагностику опухоли головного мозга
• Gadgets Now : Intel разработает технологию обучения искусственного интеллекта для выявления опухолей головного мозга
• Indiatimes: во всем мире запущен проект ИИ по раннему обнаружению опухоли головного мозга и спасению более 80 000 жизней
• The Medical AI Times: защита конфиденциальности с помощью ИИ для выявления опухолей головного мозга — объединенное обучение от Intel и Пенсильванского университета
• The Times of India : Intel разработает технологию для обучения ИИ помощи в выявлении опухолей головного мозга
• VAR Индия: Intel совместно с Пенсильванским университетом позволяет ИИ с сохранением конфиденциальности выявлять опухоли головного мозга
• ZDNet Japan: Intel и UPenn сотрудничают с 29 организациями здравоохранения для обучения ИИ обнаружению опухолей головного мозга

Консультанты

• Бакас Спиридон (главный исследователь)
• Давацикос, Христос
• Контос, Деспина
• Мартин, Джейсон     (Intel Labs)
• Menze, Bjoern     (TUM)

Авторы (в алфавитном порядке):

• Baid, Ujjwal
• Бергман, Марк
• Бхалерао, Мех
• Эдвардс, Брэндон (Intel Labs)
• Пати, Сартак (ведущий разработчик — UPenn)
• Рейна, Г. Энтони     (Intel AI)
• Шеллер, Мика     (ведущий разработчик, Intel Labs)
• Тхакур, Сиддхеш П.
• Ван, Ши-хан «Ханс» (Intel Labs)
• Сюй, Вейлинь (Intel Labs)

Грант поддержки:  Эта работа частично финансируется за счет гранта U01CA242871, поддерживаемого NIH/NCI/ITCR.

Отказ от ответственности:  Программное обеспечение предназначено для исследовательских целей и не одобрено FDA и не имеет маркировки CE.

Обращайтесь в CBICA Software по вопросам и т. д.

Критическая оценка извлечения подвижности заряда в полевых транзисторах

Подвижность является важным параметром переноса заряда в органических, неорганических и гибридных полупроводниках. Мы обрисовываем некоторые распространенные ловушки извлечения подвижности из измерений полевых транзисторов (FET) и предлагаем практические рекомендации, чтобы избежать сообщения ошибочных подвижностей в публикациях.

Подвижность носителей заряда играет центральную роль в полупроводниковой науке и технике, потому что эффективность полупроводниковых устройств обычно повышается по мере увеличения подвижности зарядов. Соответственно, исследования материалов по понятным причинам сосредоточены на стратегиях улучшения мобильности, что требует надежных подходов к воспроизводимым измерениям мобильности. Здесь мы сосредоточимся на измерениях полевых транзисторов (FET) ¹ , потому что FET являются технологически значимыми устройствами, широко распространенными в литературе. Существует ряд проверок, которые необходимо выполнить, чтобы обеспечить точное извлечение подвижности полевого транзистора. Несоблюдение этих рекомендаций привело к ряду сообщений об ошибочной подвижности, особенно для органических полевых транзисторов (OFET). Наша цель состоит в том, чтобы сформулировать передовой опыт извлечения мобильности из измерений на полевых транзисторах, чтобы избежать распространенных ошибок. Само собой разумеется, что ответственное сообщение о мобильности имеет большое значение для сообщества исследователей материалов, поскольку любое раздувание результатов препятствует дальнейшей работе, может ввести в заблуждение будущие направления исследований и угрожает авторитету в этой области. Хотя в этом комментарии мы используем OFET в качестве примеров, большинство соображений не относятся к конкретным материалам и применимы также к другим новым полупроводникам, подходящим для технологий FET, включая неорганические оксиды 9.1855 2 , гибридные перовскиты ³ , дихалькогениды переходных металлов и другие монослойные материалы ^4,5 , а также массивы полупроводниковых нанокристаллов ⁶ , нанопроволоки и углеродные нанотрубки ⁷ .

Это предварительный просмотр содержимого подписки, доступ через ваше учреждение

Соответствующие статьи

Статьи открытого доступа со ссылками на эту статью.

• Терагерцовая электромодуляционная спектроскопия для характеристики электронного транспорта в тонких пленках органических полупроводников

  • Филипп Ридерер
  •  и Роланд Керстинг

  Журнал инфракрасных, миллиметровых и терагерцовых волн
  Открытый доступ
  26 декабря 2022 г.

• Динамическая самостабилизация электронных и наномеханических свойств органического полимера-полупроводника

  • Илья Добриден
  • , Владимир В. Корольков
  •  … Дипак Венкатешваран

  Связь с природой
  Открытый доступ
  02 июня 2022 г.

• Рост нанолент теллура на h-BN для транзисторов p-типа со сверхвысокой подвижностью дырок

  • Пэн Ян
  • , Цзяцзя Чжа
  •  … Чаолян Тан

  Нано-микробуквы
  Открытый доступ
  19 апреля 2022 г.

Варианты доступа

Подписка на журнал

Получить полный доступ к журналу на 1 год

118,99 €

всего 9,92 € за выпуск

Подписаться

Расчет налогов будет завершен во время оформления заказа.

Купить статью

Получите ограниченный по времени или полный доступ к статье на ReadCube.

32,00 $

Купить

Все цены указаны без учета стоимости.

Рисунок 1: Распространенные нелинейности передаточных характеристик полевого транзистора. Рис. 2: Иллюстрация артефактов выделения подвижности в устройствах с неидеальными характеристиками. Рис. 3: Измерения полевого транзистора и эффекта Холла в монокристаллическом полевом транзисторе с рубреном.

Ссылки

1. Sze, S. M. & Ng, KK Physics of Semiconductor Devices 3rd edn (Wiley, 2007).

   Google ученый

2. Се, В., Чжан, X., Лейтон, К. и Фрисби, К. Д. Adv. Электрон. Матер. 3 , 1600369 (2017).

   Артикул

   Google ученый

3. Чен Ю. и др. Нац. коммун. 7 , 12253 (2016).

   Артикул
   КАС

   Google ученый

4. Подзоров В., Гершенсон М.Е., Клок Ч., Цейс Р. и Бухер Э. Заявл. физ. лат. 84 , 3301–3303 (2004).

   Артикул
   КАС

   Google ученый

5. Schmidt, H., Giustiniano, F. & Eda, G. Chem. соц. 44 , 7715–7736 (2015).

   Артикул
   КАС

   Google ученый

6. Джанг Дж. , Лю В., Сон Дж. С. и Талапин Д. В. Nano Lett. 14 , 653–662 (2014).

   Артикул
   КАС

   Google ученый

7. Вс, Д.-м. и другие. Нац. Нанотех. 6 , 156–161 (2011).

   Артикул
   КАС

   Google ученый

8. Bao, Z. & Locklin, J. Органические полевые транзисторы Ch. 2 (CRC Press, 2007).

   Google ученый

9. Подзоров В. МРС Бюлл. 38 , 15–24 (2013).

   Артикул

   Google ученый

10. Подзоров В., Пудалов В. М. и Гершенсон М. Е. Заявл. физ. лат. 82 , 1739–1741 (2003).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

11. Подзоров В., Сысоев С. Е., Логинова Е. , Пудалов В. М. и Гершенсон М. Е. Заявл. физ. лат. 83 , 3504–3506 (2003).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

12. Troisi, A. & Orlandi, G. Phys. Преподобный Летт. 96 , 086601 (2006).

    Артикул

    Google ученый

13. Санчес-Каррера Р.С., Парамонов П., Дэй Г.М., Коропчану В. и Бредас Ж.-Л. Дж. Ам. хим. соц. 132 , 14437–14446 (2010).

    Артикул

    Google ученый

14. Фратини С., Майу Д. и Чиучи С. г., ав. Функц. Матер. 26 , 2292–2315 (2016).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

15. Ся, Ю., Чо, Дж. Х., Ли, Дж., Руден, П. П. и Фрисби, К. Д. Adv. Матер. 21 , 2174–2179 (2009).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

16. Йи, Х. Т., Чен, Ю., Челен, К. и Подзоров, В. Adv. Матер. 23 , 5807–5811 (2011).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

17. Биттл, Э. Г., Башам, Дж. И., Джексон, Т. Н., Юрческу, О. Д. и Гундлах, Д. Дж. Нац. коммун. 7 , 10908 (2016).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

18. Окачи Т., Кашики Т. и Ойя К. Proc. SPIE 9568 , 95680I (2015).

    Артикул

    Google ученый

19. Йи, Х.Т., Гартштейн, Ю.Н. и Подзоров, В. Sci. 6 , 23650 (2016).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

20. Уэмура, Т. и др. Доп. Матер. 28 , 151–155 (2016).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

21. Николка М. и др. Нац. Матер. 16 , 356–362 (2017).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

22. Чой, Х. Х., Чо, К., Фрисби, К. Д., Сиррингхаус, Х. и Подзоров, В. Зенодо https://doi.org/10.5281/zenodo.1050698 (2017).

23. Рен, X. и др. Доп. Электрон. Матер. 3 , 1700018 (2017).

    Артикул

    Google ученый

24. Takeya, J. et al. J. Appl. физ. 94 , 5800–5804 (2003).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

25. Newman, C.R., Chesterfield, R.J., Merlo, J.A. & Frisbie, C.D. Appl. физ. лат. 85 , 422–424 (2004).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

26. Чен Ю. и др. Физ. хим. хим. физ. 14 , 14142–14151 (2012).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

27. https://en.wikipedia.org/wiki/American_wire_gauge

28. Подзоров В., Менар Э., Роджерс Дж. А. и Гершенсон М. Е. Phys. Преподобный Летт. 95 , 226601 (2005).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

29. Уемура, Т. и др. Курс. заявл. физ. 12 , S87–S91 (2012).

    Артикул

    Google ученый

30. Xie, W., Wang, S., Zhang, X., Leighton, C. & Frisbie, C.D. Phys. Преподобный Летт. 113 , 246602 (2014).

    Артикул

    Google ученый

Ссылки на скачивание

Информация об авторе

Авторы и организации

1. Кафедра физики Университета Рутгерса, 136 Frelinghuysen Road, Piscataway, 08854, Нью-Джерси, США Pohang, 37673, Южная Корея

   Hyun Ho Choi & Kilwon Cho

2. Факультет химического машиностроения и материаловедения, Миннесотский университет, 421 Washington Avenue SE, Миннеаполис, 55455, Миннесота, США

   C. Daniel Frisbie

3. Cavendish Laboratory, University of Cambridge, JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0HE, UK

   Henning Sirringhaus

Authors

1. Hyun Ho Choi

   View author publications

   You can также ищите этого автора в
   PubMed Google Scholar

2. Kilwon Cho

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в
   PubMed Google Академия

3. C. Daniel Frisbie

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в
   PubMed Google Scholar

4. Henning Sirringhaus

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в
   PubMed Google Scholar

5. Виталий Подзоров

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в
   PubMed Google Академия

Права и разрешения

Перепечатка и разрешения

Об этой статье

Эта статья цитируется

• Динамическая самостабилизация электронных и наномеханических свойств органического полимера-полупроводника

  • Илья Добриден
  • Владимир В. Корольков
  • Дипак Венкатешваран

  Nature Communications (2022)

• Полимеры на основе дикетопирролопиррола (ДПП) и их применение в органических полевых транзисторах: обзор

  • Хён Джин Чхон
  • Тэ Гю Ан
  • Юн-Хи Ким

  Исследование макромолекул (2022)

• Обработанный раствором низковольтный металлооксидный транзистор с использованием многослойного диэлектрика под затвором TiO2/Li–Al2O3

  • Нила Пал
  • Уткарш Панди
  • Бхола Н.