Обозначение диод: характеристики, обозначение и маркировка диодов

Условное обозначение диодов, тиристоров, светодиодов, варикапов на схемах

Диоды — простейшие полупроводниковые приборы, основой которых является электронно-дырочный переход (p-n-переход). Как известно, основное свойство p-n-перехода —
односторонняя проводимость: от области p (анод) к области n (катод). Это наглядно передает и условное графическое обозначение
полупроводникового диода : треугольник (символ анода) вместе с пересекающей его линией электрической связи образуют подобие стрелки,
указывающей направление проводимости. Перпендикулярная этой стрелке черточка символизирует катод (рис. 1).

Рис.1. Условное обозначение диодов

Буквенный код диодов — VD. Этим кодом обозначают не только отдельные диоды, но и целые группы, например, выпрямительные столбы (см. рис. 1, VD4).
Исключение составляет однофазный выпрямительный мост, изображаемый в виде квадрата с соответствующим числом выводов и символом диода внутри (рис. 2, VD1).
Полярность выпрямленного моста напряжения на схемах не указывают, так как ее однозначно определяет символ диода. Однофазные мосты, конструктивно объединенные
в одном корпусе, изображают отдельно, показывая принадлежность к одному изделию в позиционном обозначении (см. рис. 2, VD2.1, VD2.2). Рядом с позиционным обозначением
диода можно указывать и его тип.

Рис.2. Условное обозначение диодных мостов

На основе базового символа построены и условные графические обозначения полупроводниковых диодов с особыми свойствами. Чтобы показать на схеме стабилитрон,
катод дополняют коротким штрихом, направленным в сторону символа анода (рис. 3, VD1). Следует отметить, что расположение штриха относительно символа анода должно быть
неизменным независимо от положения обозначения стабилитрона на схеме (VD2—VD4). Это относится и к символу двуханодного (двустороннего) стабилитрона (VD5).

Рис. 3. Условное обозначение стабилитронов, варикапов, диодов Шотки

Аналогично построены условные графические обозначения туннельных диодов, обращенных и диодов Шотки — полупроводниковых приборов, используемых для обработки сигналов в
области СВЧ. В символе туннельного диода (см. рис. 3, VD8) катод дополнен двумя штрихами, направленными в одну сторону (к аноду), в обозначении диода Шотки (VD10) — в разные стороны;
в обозначении обращенного диода (VD9) — оба штриха касаются катода своей серединой.

Свойство обратно смещенного p-n-перехода вести себя как электрическая ёмкость использовано в специальных диодах — варикапах (от слов vari(able) —
переменный и cap(acitor) — конденсатор). Условное графическое обозначение этих приборов наглядно отражает их назначение (рис. 3, VD6): две параллельные линии воспринимаются
как символ конденсатора. Как и конденсаторы переменной ёмкости, для удобства варикапы часто изготовляют в виде блоков (их называют матрицами) с общим катодом и раздельными анодами.
Для примера на рис. 3 показано обозначение матрицы из двух варикапов (VD1).

Базовый символ диода использован и в обозначении тиристоров (от греческого thyra — дверь и английского resistor — резистор) — полупроводниковых приборов с
тремя p-n-переходами (структура р-n-p-n), используемых в качестве переключающих диодов. Буквенный код этих приборов — VS.

Тиристоры с выводами только от крайних слоев структуры называют динисторами и обозначают символом диода, перечеркнутым отрезком линии, параллельным
катоду (рис. 4, VS1). Такой же прием использован и при построении обозначения симметричного динистора (VS2), проводящего ток (после его включения) в обоих направлениях.
Тиристоры с дополнительным, третьим выводом (от одного из внутренних слоев структуры) называют тринисторами. Управление по катоду в обозначении этих приборов
показывают ломаной линией, присоединенной к символу катода (VS3), по аноду — линией, продолжающей одну из сторон треугольника, символизирующего анод (VS4).
Условное графическое обозначение симметричного (двунаправленного) тринистора получают из символа симметричного динистора добавлением третьего вывода (см. рис.4, VS5).

Рис.4. Условное обозначение динисторов, тринисторов

Из диодов, изменяющих свои параметры под действием внешних факторов, наиболее широко применяют фотодиоды. Чтобы показать такой полупроводниковый прибор на схеме,
базовый символ диода помещают в кружок, а рядом с ним (слева вверху, независимо от положения) помещают знак фотоэлектрического эффекта — две наклонные параллельные стрелки,
направленные в сторону символа (рис. 5, VD1—VD3). Подобным образом строятся обозначения любого другого полупроводникового диода, управляемого оптическим излучением.
На рис. 5 в качестве примера показано условное графическое обозначение фотодинистора VD4.

Рис.5. Условное обозначение фотодиодов

Аналогично строятся условные графические обозначения светоизлучающих диодов, но стрелки, обозначающие оптическое излучение, помещают справа вверху, независимо от положения
и направляют в противоположную сторону (рис. 6). Поскольку светодиоды, излучающие видимый свет, применяют обычно в качестве индикаторов, на схемах их обозначают латинскими буквами
HL. Стандартный буквенный код D используют только для инфракрасных (ИК) светодиодов.

Рис.6. Условное обозначение светодиодов и светодиодных индикаторов

Для отображения цифр, букв и других знаков часто применяют светодиодные знаковые индикаторы. Условные графические обозначения подобных устройств в ГОСТе формально не
предусмотрены, но на практике широко используются символы, подобные HL3, показанному на рис. 6, где изображено обозначение семисегментного индикатора для отображения цифр и
запятой. Сегменты подобных индикаторов обозначаются строчными буквами латинского алфавита но часовой стрелке, начиная с верхнего. Этот
символ наглядно отражает практически реальное расположение светоизлучающих элементов (сегментов) в индикаторе, хотя и не лишен недостатка; он не несет информации о
полярности включения в электрическую цепь (поскольку подобные индикаторы выпускают как с общим анодом, так и с общим катодом, то схемы включения будут различаться).
Однако особых затруднений это не вызывает, поскольку подключение общего вывода индикаторов обычно указывают на схеме. Буквенный код знаковых индикаторов — HG.

Светоизлучающие кристаллы широко используют в оптронах — специальных приборах, применяемых для связи отдельных частей электронных устройств в тех случаях, если
необходима их гальваническая развязка. На схемах оптроны обозначают буквой U и изображают, как показано на рис. 7.

Рис.7. Условное обозначение оптронов

Оптическую связь излучателя (светодиода) и фотоприемника показывают в этом случае двумя стрелками, перпендикулярными к линиям электрической связи — выводам оптрона.
Фотоприемником в оптроне могут быть фотодиод (см. рис. 7, U1), фототиристор U2, фоторезистор U3 и т. д. Взаимная ориентация символов излучателя и фотоприемника не регламентируется.
При необходимости составные части оптрона можно изображать раздельно, но в этом случае знак оптической связи следует заменять знаками оптического излучения и фотоэффекта, а
принадлежность частей к одному изделию показывать в позиционном обозначении (см. рис. 7, U4.1,U4.2).

Условное обозначение — диод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Cтраница 1

Условные обозначения диодов состоят из двух или трех элементов: первый элемент — буква Д; второй — цифра, указывающая на область применения диода; третий — буква, указывающая на разновидность диода.
 [1]

Условное обозначение диода на схемах приведено на рис. 1, б; расположение треугольника указывает возможное направление тока.
 [2]

Условное обозначение диода состоит из ряда цифр и букв. Первые цифры указывают напряжение накала в вольтах. Затем следует буква, обозначающая назначение диода: Ц — кенотрон, X — детектор, Д — демпфер колебаний.
 [4]

Условное обозначение диода показано н а р ис. Электроды диода — катод и анод обозначены буквами А и К — В электронных лампах применяют катоды прямого и косвенного накала. На рис. 6.1, а показано условное обозначение диода с косвенным накалом. При косвенном накале электрическим тоном разогревается нить накала, проходящая внутри керамической трубочки. Катодом является металлический цилиндрик, надетый на трубочку и разогреваемый от нее.
 [5]

Условное обозначение диода состоит из буквы Д и цифры, характеризующей его тип и некоторые технические особенности.
 [6]

В конце условного обозначения диодов и тиристоров, поставляемых дпя параллельного соединения, следуют цифры, означающие прямое падение напряжения.
 [7]

На рис. 118 показано условное обозначение диодов с катодами прямого и косвенного накала. Аноды ламп соединяют с одним штырьком цоколя, катод прямого накала — с двумя штырьками, катод косвенного накала — с тремя штырьками.
 [8]

Характеристика диода для прямого и обратного направлений тока.| Силовые диоды. а — диод типа ВКД-500 без воздушного охладителя и с охладителем. б — условные обозначения диодов в схемах.  [9]

На рис. 18 — 5, б показано условное обозначение диода на схемах.
 [10]

Классификация современных полупроводниковых диодов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, исходному полупроводниковому материалу находит отражение в системе условных обозначений диодов.
 [11]

Все же имеются значки, которые применяют в блок-схемах совершенно однозначно. Так, условное обозначение диода в блоке Е большинстве случаев означает блок детектора или выпрямитель. В немецкой литературе фильтр нижних частот помечают значком индуктивности, а фильтр верхних частот — значком емкости. Выбор этих символов основывается на известных свойствах индуктивно-гтей и емкостей. В отечественной литературе блоки частотной избирательности помечают схемой колебательного контура, поскольку контур является наиболее типичным представителем устройств для настройки на определенную частоту.
 [12]

На рис. 18 — 11 6 показано условное обозначение диода на схемах.
 [14]

В отличие от ранее рассмотренных, диоды Шоттки образуются на основе контакта металл-полупроводник, создаваемого напылением металла на полупроводник в вакууме. На рис. 3 — 4, д приведено условное обозначение диода в электрических схемах.
 [15]

Страницы:  

   1

   2

Коды нумерации транзисторов и диодов

» Electronics Notes

Pro-Electron, JEDEC и JIS — это отраслевые схемы нумерации полупроводниковых устройств: диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов — они позволяют получать устройства от разных производителей.

Учебное пособие по транзисторам Включает:
Основы транзисторов
Усиление: Hfe, hfe и бета
Характеристики транзистора
Коды нумерации транзисторов и диодов
Выбор транзисторов на замену

Существуют тысячи различных типов диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти полупроводниковые устройства имеют разные характеристики в зависимости от того, как они спроектированы и изготовлены.

В результате важно, чтобы разные полупроводниковые устройства имели разные номера деталей, чтобы отличать их друг от друга.

Транзистор BC547 — BC в номере детали указывает на то, что это кремниевый транзистор малой мощности звуковой частоты

. Первоначально производители должны были давать устройствам свои собственные номера, но вскоре для полупроводниковых устройств, включая диоды, биполярные транзисторы и полевые транзисторы, стали использоваться стандартные схемы нумерации. JFET и MOSFET.

Наличие отраслевых стандартных схем нумерации полупроводниковых устройств имеет много преимуществ не только для крупных производителей электронного оборудования, но и для любителей и студентов.

Несмотря на то, что в наши дни существуют стандартные системы нумерации, на рынке существует множество специализированных транзисторов и других полупроводниковых устройств, и на них часто наносятся индивидуальные номера деталей производителя. К счастью, многие из них легко идентифицировать как устройства конкретных производителей.

Кроме того, с появлением Интернета можно легко найти спецификации и другие сведения о транзисторах и многих других электронных компонентах, а также просмотреть их полные спецификации. Несмотря на это, по-прежнему очень удобно понимать схемы нумерации транзисторов, из которых легко и быстро понять их общие характеристики.

Схемы нумерации/кодирования полупроводниковых приборов

Существует множество различных способов организации схемы нумерации. На заре производства термоэлектронных клапанов (вакуумных трубок) каждый производитель давал номер производимым ими типам. Таким образом, существовало огромное количество различных номеров для устройств, многие из которых были практически идентичными. Вскоре стало очевидно, что необходим более структурированный подход, чтобы одно и то же устройство можно было купить независимо от производителя.

То же самое относится и к полупроводниковым приборам, и для диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов используются схемы нумерации, не зависящие от производителя. На самом деле используется несколько схем нумерации полупроводников:

.

1. Схема нумерации Pro-electron Эта схема нумерации диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов была разработана в Европе и широко используется для транзисторов, разработанных и изготовленных здесь.
2. Схема нумерации JEDEC   Эта схема нумерации диодов и транзисторов была разработана в США и широко используется для диодов и транзисторов, произведенных в Северной Америке.
3. Схема нумерации JIS   Эта система нумерации полупроводниковых устройств была разработана в Японии, и ее можно увидеть на диодах, транзисторах и полевых транзисторах, произведенных в Японии.
4. Собственные схемы производителей: Существуют некоторые устройства, особенно специализированные биполярные транзисторы и некоторые полевые транзисторы, для которых отдельные производители могут сохранить все права на производство. Они могут не захотеть открывать спецификации и методы производства для других, если они используют технологию, которую они разработали. В этих и подобных случаях производители будут использовать свои собственные схемы нумерации деталей, которые не соответствуют схемам отраслевых стандартов 9.0035

Цель стандартных отраслевых схем нумерации состоит в том, чтобы обеспечить идентификацию и описание электронных компонентов и, в данном случае, полупроводниковых устройств, включая диоды, биполярные транзисторы и полевые транзисторы, чтобы иметь общие электронные компоненты и нумерацию компонентов у нескольких производителей. Для этого производители регистрируют определение новых электронных компонентов в соответствующем органе, а затем получают новый номер детали.

Этот подход позволяет компаниям-производителям электронного оборудования иметь вторичные источники своих компонентов и, таким образом, обеспечивать поставку для крупномасштабного производства, а также снижать последствия устаревания.

В той или иной степени эти схемы нумерации позволяют дать широкое описание функции диода, транзистора или полевого транзистора. Схема Pro-Electron предоставляет гораздо больше информации, чем другие.

Система нумерации Pro-Electron или EECA

Схема нумерации Pro-Electron для обеспечения стандартизированной схемы нумерации полупроводников, в частности диодов, транзисторов и полевых транзисторов, была создана в 1966 году на встрече в Брюсселе, Бельгия.

Схема нумерации полупроводниковых диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов была основана на формате системы, разработанной Маллардом и Филипсом для нумерации термоэлектронных ламп или электронных ламп, которая существовала с начала 1930-х годов. В нем первая буква обозначала напряжение и ток нагревателя, вторая и последующие буквы обозначали отдельные функции внутри стеклянной оболочки, а остальные цифры обозначали основу клапана и серийный номер типа.

Схема Pro-Electron взяла это и использовала буквы, которые редко использовались в описаниях нагревателей, для обозначения типа полупроводника, а затем использовала вторую букву для определения функции. Существовало сходство между обозначениями клапанов/трубок и обозначениями, используемыми для полупроводниковых устройств. Например, для диода использовалась буква «А» и т. д.

Схема широко использовалась, и в 1983 году управление ею перешло к Европейской ассоциации производителей электронных компонентов (ВЕЦА).

Первая буква

• А = Германий
• В = кремний

• C = арсенид галлия
• R = комбинированные материалы

Вторая буква

• A = Диод — маломощный или сигнальный
• B = Диод — переменная емкость
• C = Транзистор — звуковая частота, малой мощности
• D = Транзистор — звуковая частота, мощность
• E = Туннельный диод
• F = Транзистор — высокая частота, малой мощности
• G = Прочие устройства
• H = Диод — чувствительный к магнетизму
• L = Транзистор — высокая частота, мощность
• N = Оптопара

• P = Детектор света
• Q = Излучатель света
• R = Коммутационное устройство малой мощности, напр. тиристор, диак, однопереходный
• S = Транзистор — коммутация малой мощности
• T = Коммутационное устройство малой мощности, напр. тиристор, симистор
• U = Транзистор — переключающий, силовой
• Вт = Устройство поверхностных акустических волн
• X = Диодный множитель
• Y = диодное выпрямление
• Z = Диод — опорное напряжение

Последующие символы

Символы, следующие за первыми двумя буквами, образуют серийный номер устройства. Те, которые предназначены для бытового использования, имеют три цифры, но те, которые предназначены для коммерческого или промышленного использования, имеют букву, за которой следуют две цифры, т. Е. A10 — Z9.9.

Суффикс

В некоторых случаях может быть добавлена ​​буква суффикса:

• A = низкое усиление
• B = средний коэффициент усиления

• C = высокий коэффициент усиления
• Без суффикса = усиление неклассифицировано

Это полезно как для производителей, так и для пользователей, потому что при производстве транзисторов существует большой разброс уровней усиления. Затем их можно разделить на группы и пометить в соответствии с их усилением.

Используя схему нумерации, видно, что транзистор с номером детали BC107 представляет собой кремниевый аудиотранзистор малой мощности, а BBY10 — кремниевый диод переменной емкости для промышленного или коммерческого использования. Например, BC109C представляет собой кремниевый маломощный аудиотранзистор с высоким коэффициентом усиления

.

Система нумерации или кодирования JEDEC

JEDEC, Объединенный технический совет по электронным устройствам, является независимой отраслевой организацией по торговле полупроводниковыми технологиями и органом по стандартизации. Он обеспечивает множество функций, одной из которых является стандартизация полупроводников, а в данном случае нумерация диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов.

Самое раннее происхождение JEDEC можно проследить до 1924 года, когда была создана Ассоциация производителей радиооборудования, которая много лет спустя стала Ассоциацией электронной промышленности (EIA). В 1944 году Ассоциация производителей радиоприемников и Национальная ассоциация производителей электроники создали орган под названием Объединенный технический совет по электронным лампам, JETEC. Это было создано с целью присвоения и согласования типовых номеров электронных ламп (термоэлектронных клапанов).

С ростом использования полупроводниковых устройств сфера деятельности JETEC была расширена, и в 1919 году она была переименована в JEDEC, Объединенный технический совет по электронным устройствам.58.

Первоначальная нумерация полупроводниковых приборов соответствовала широким очертаниям разработанной схемы нумерации ламп и ламп: «1» означало «Без нити накала/нагревателя», а «N» — «Кварцевый выпрямитель».

Первая цифра нумерации полупроводниковых устройств была изменена с обозначения отсутствия нити на нить на количество PN-переходов в полупроводниковом устройстве, а система нумерации была описана в EIA/JEDEC EIA-370.

• Первый номер =
  • 1 = Диод
  • 2 = Биполярный транзистор или полевой транзистор с одним затвором
  • 3 = полевой транзистор с двойным затвором

  Число соответствует количеству переходов, хотя для МОП-транзисторов это нужно немного интерпретировать.

• Вторая буква = N
• Последующие цифры = серийный номер

Таким образом, устройство с кодом нумерации 1N4148 является диодом, а 2N706 — биполярным транзистором.

Иногда к номеру детали добавляются дополнительные буквы, которые часто относятся к производителю. M означает, что производителем является Motorola, а TI означает Texas Instruments, хотя буква A, добавленная к номеру детали, часто означает пересмотр спецификации, например. Транзисторы 2N2222A широко доступны, и это обновленная версия 2N2222. Интерпретация этих чисел иногда требует некоторых базовых знаний.

Схема нумерации полупроводниковых устройств JIS

Японские промышленные стандарты, схема нумерации деталей JIS для полупроводниковых устройств стандартизирована в соответствии с JIS-C-7012.

В этой схеме используется номер типа, состоящий из числа, за которым следуют два символа, за которыми следует серийный номер.

Первый номер

Первое число указывает количество переходов в полупроводниковом устройстве.

• 1 = Диод
• 2 = Биполярный транзистор или полевой транзистор с одним затвором
• 3 = полевой транзистор с двойным затвором

Буквы на позициях 2 и 3

• SA = высокочастотный биполярный транзистор PNP
• SB = биполярный транзистор звуковой частоты PNP
• SC = высокочастотный биполярный транзистор NPN
• SD = биполярный транзистор звуковой частоты NPN
• SE = Диоды
• SF = Тиристор (SCR)
• SG = устройства Gunn
• SH = UJT (однопереходный транзистор)
• SJ = P-канальный JFET / MOSFET

• SK = N-канальный JFET / MOSFET
• СМ = симистор
• SQ = светодиод
• SR = Выпрямитель
• SS = сигнальный диод
• ST = лавинный диод
• SV = Варакторный диод / варикопный диод
• SZ = стабилитрон / диод опорного напряжения

Серийный номер

Серийный номер следует за первой цифрой и двумя буквами типа полупроводникового устройства. Цифры между 10 и 9999.

Суффикс

После серийного номера может использоваться суффикс, указывающий на то, что устройство было одобрено, т. е. существует гарантия того, что оно было изготовлено в правильных условиях для производства требуемого полупроводникового устройства.

Номера производителей

Несмотря на то, что существуют отраслевые организации для создания номеров устройств, некоторые производители хотели производить устройства, уникальные для них. В некоторых областях это обеспечило бы устройству уникальную торговую точку, которую другие производители не смогли бы скопировать.

Эти номера полупроводниковых устройств уникальны для производителя, поэтому их можно использовать для идентификации источника.

Некоторые распространенные примеры приведены ниже:

• МДж = мощность Motorola, металлический корпус
• MJE = питание Motorola, пластиковый корпус
• MPS = Motorola малой мощности, пластиковый корпус
• MRF = радиочастотный транзистор Motorola

• СОВЕТ = силовой транзистор Texas Instruments (пластиковый корпус)
• TIPL = планарный силовой транзистор TI
• TIS = малосигнальный транзистор TI (пластиковый корпус)
• ZT = Ферранти
• ZTX = Ферранти

Система нумерации или кодирования транзисторов и диодов Pro-electron предоставляет больше информации об устройстве, чем система JEDEC. Однако обе эти схемы нумерации диодов и транзисторов широко используются и позволяют ряду производителей производить устройства одного и того же типа. Это позволяет производителям оборудования покупать полупроводники у разных производителей и знать, что они покупают устройства с одинаковыми характеристиками.

Другие электронные компоненты:
Батарейки
конденсаторы
Соединители
Диоды
полевой транзистор
Индукторы
Типы памяти
Фототранзистор
Кристаллы кварца
Реле
Резисторы
ВЧ-разъемы
Переключатели
Технология поверхностного монтажа
Тиристор
Трансформеры
Транзистор
Клапаны/трубки

    Вернуться в меню «Компоненты». . .

Полупроводниковые и системные решения — Infineon Technologies

Соединяя точки перехода к энергетике

Веб-семинар 15 ноября: Как взаимодействуют возобновляемые источники энергии, хранение, передача и потребление энергии и почему зарядка электромобилей является ключевым фактором.

Сохраните свое место сейчас

electronica 2022

Посетите нас на выставке electronica в этом году — живите в Мюнхене или в цифровом виде!

Учить больше

Infineon выпускает PSoC™ 4100S Max

Высокоинтегрированное недорогое решение с технологией CAPSENSE™ нового поколения, позволяющее инженерам легко проектировать и быстро выводить на рынок недорогую систему человеко-машинного интерфейса.

Учить больше

Электрификация первичного распределения электроэнергии

Узнайте, как мегатенденции в автомобилестроении вызывают децентрализацию и электрификацию системы распределения электроэнергии.

кликните сюда

Очеловечивание энергии: технологии и обезуглероживание

Можете ли вы представить, что электронный чип толщиной с волос может изменить ситуацию, когда речь идет о достойном будущем?

Смотреть видео

Производительность GiGaNtic в адаптерах/зарядных устройствах USB-C

Первая в отрасли комбинированная ИС с коррекцией коэффициента мощности и гибридной обратной связью для конструкций сверхвысокой плотности. Узнай одним из первых!

Скачать техническое описание

Новинка! PSoC™ 62S2 Wi-Fi BT Matter Pioneer Kit

Надежное решение Matter over Wi-Fi со сверхнизким энергопотреблением, которое поможет вам быстро выйти на рынок

Учить больше

Новости

11 ноября 2022 г.