Содержание
Супрессор. Защитный диод.
Среди всего многообразия полупроводниковых приборов, наверное, самая большая семья у диодов.
Диоды Шоттки, диоды Ганна, стабилитроны, светодиоды, фотодиоды, туннельные диоды и ещё много разных типов и областей применения.
Один из классов полупроводниковых диодов в нашей литературе называется ПОН (полупроводниковый ограничитель напряжения) или супрессор. В зарубежной технической литературе используется название TVS-диод (Transient Voltage Suppressor). Очень часто TVS-диоды называют по маркам производителей: TRANSIL, INSEL.
В технической литературе и среди радиолюбителей супрессор могут называть по-разному: защитный диод, ограничительный стабилитрон, TVS-диод, трансил, ограничитель напряжения, ограничительный диод. Супрессоры можно частенько встретить в импульсных блоках питания – там они служат защитой от перенапряжения питаемой схемы при неисправностях импульсного блока питания.
Рассмотрим, что же такое TVS-диод, его принцип действия, в каких схемах и для каких целей используется.
TVS-диоды были созданы в 1968 году в США для защиты промышленной аппаратуры от разрядов атмосферного электричества. В условиях эксплуатации электронных приборов как промышленного, так и бытового назначения большое значение придаётся защите этих приборов именно от природных электрических импульсов.
Очень часто возникают броски напряжения и на силовых трансформаторных подстанциях. В таких случаях бытовая техника выходит из строя сотнями. Поскольку на промышленных предприятиях комплексная защита имеется, а жилые дома в этом случае совершенно не защищены.
По некоторым данным потери связанные с выходом из строя и последующим ремонтом всей электронной аппаратуры в США составляют около $12 млрд. в год. Специалисты посчитали, что и в нашей стране потери соответствуют этой сумме.
Для защиты аппаратуры от воздействия электрических перенапряжений и был разработан класс полупроводниковых приборов называемых TVS-диоды или “супрессоры”. Иногда в разговоре можно услышать: диодный предохранитель.
Обозначение на схеме.
На принципиальных схемах супрессор (ака защитный диод) обозначается так (VD1, VD2 – симметричные; VD3 – однонаправленные).
Принцип работы супрессора (защитного диода).
У TVS-диодов ярко выраженная нелинейная вольт-амперная характеристика. Если амплитуда электрического импульса превысит паспортное напряжение для конкретного типа диода, то он перейдёт в режим лавинного пробоя. То есть TVS-диод ограничит импульс напряжения до нормальной величины, а «излишки» уходят на корпус (землю) через диод. Более наглядно процесс выглядит на рисунке.
До тех пор пока не возникает угроза выхода из строя электронного прибора, TVS-диод не оказывает никакого влияния на работу техники. У этого полупроводникового прибора более высокое быстродействие по сравнению с ограничителями, которые использовались раньше.
Предохранительные диоды выпускаются как несимметричные (однонаправленные), так и симметричные (двунаправленные). Симметричные могут работать в цепях с двуполярными напряжениями, а несимметричные только с напряжением одной полярности. Ещё одна типовая схема подключения (для двунаправленного диода).
Для однонаправленного супрессора схема выглядит чуть по-другому.
В случае повышения входного напряжения прибор за очень короткое время уменьшает своё сопротивление. Ток в цепи резко возрастает и происходит перегорание предохранителя. Поскольку супрессор срабатывает очень быстро, то оборудованию не наносится вреда. Отличительной чертой TVS-диодов является очень короткое время реакции на превышение напряжения. Это одна из «фишек» защитных диодов.
Основные электрические параметры супрессоров.
U проб. (В) – значение напряжения пробоя. В зарубежной технической документации этот параметр обозначается как VBR (Breakdown Voltage). Это значение напряжения, при котором диод резко открывается и отводит опасный импульс тока на общий провод («на землю»).
I обр. (мкА) – значение постоянного обратного тока. Это значение максимального обратного тока утечки, который есть у всех диодов. Он очень мал и практически не оказывает никого влияния на работу схемы. Иное обозначение – IR (Max. Reverse Leakage Current). Так же может обозначаться как IRM.
U обр. (В) – постоянное обратное напряжение. Соответствует англоязычной аббревиатуре VRWM (Working Peak Reverse Voltage). Может обозначаться как VRM.
U огр. имп. (В) – максимальное импульсное напряжение ограничения. В даташитах обозначается как VCL или VC – Max. Clamping Voltage или просто Clamping Voltage.
I огр. мах. (А) – максимальный пиковый импульсный ток. На английский манер обозначается как IPP (Max. Peak Pulse Current). Данное значение показывает, какое максимальное значение импульса тока способен выдержать супрессор без разрушения. Для мощных супрессоров это значение может достигать нескольких сотен ампер!
P имп. (Ватт) – максимальная допустимая импульсная мощность. Этот параметр показывает, какую мощность может подавить супрессор. Напомним, что слово супрессор произошло от английского слова Suppressor, что в переводе означает «подавитель». Зарубежное название параметра Peak Pulse Power (PPP).
Значение максимальной импульсной мощности можно найти перемножением значений U огр. имп. (VCL) и I огр. мах. (IPP).
Вольт-амперные характеристики симметричного и несимметричного TVS-диода выглядят следующим образом.
ВАХ однонаправленного защитного диода (супрессора)
ВАХ двунаправленного супрессора
Большим минусом этих диодов можно считать большую зависимость максимальной импульсной мощности от длительности импульса. Обычно рассматривается работа TVS-диода при подаче на него импульса с минимальным временем нарастания порядка 10 микросекунд и малой длительностью.
Например, при длительности импульса 50 микросекунд диод типа SMBJ 12A выдерживает импульсный ток, превышающий номинальный почти в четыре раза.
Очень хорошо зарекомендовали себя малогабаритные диоды TRANSZORBTM серии 1.5КЕ6.8 – 1.5КЕ440 (С)A. Они выпускаются как в симметричном, так и в несимметричном исполнении. Для симметричного диода к обозначению добавляется буква С или СА. У этой серии большой диапазон рабочих напряжений от 5,0 до 376 вольт, малое время срабатывания 1*10-9 сек, способность к подавлению импульсов большой мощности до 1500 Вт. Они прекрасно зарекомендовали себя в схемах защиты телевизионного, цифрового и другого современного оборудования.
Диоды выпускаются в корпусе DO-201.
Размеры указаны в дюймах и миллиметрах (в скобках). Несимметричные супрессоры имеют на корпусе цветное маркировочное кольцо, которое расположено ближе к катодному выводу.
На корпусе указана маркировка защитного диода, в которой зашифрованы его основные параметры.
Диоды TRANSILTM фирмы THOMSON широко используются для защиты автомобильной электроники от перенапряжений. Самым сильным источником электрических импульсов является система зажигания. Для защиты автомобильного музыкального центра достаточно одного диода TRANSILTM.
Двунаправленные диоды TRANSILTM 1.5КЕ440СА с успехом применяются для защиты бытовой электронной аппаратуры в сетях 220 вольт. Их применение наиболее эффективно для защиты объектов, которые подключены к воздушным линиям. В этом случае будет защита и от атмосферных электрических импульсов и от импульсных перенапряжений по цепям питания.
Главная » Радиоэлектроника для начинающих » Текущая страница
Также Вам будет интересно узнать:
Транзисторы MOSFET.
Кварцевый резонатор.
Обозначение полевых транзисторов на схеме.
MR2835S техническое описание — ограничитель переходных перенапряжений
Подробная информация, техническое описание, цитата по номеру детали: MR2835S
Деталь | MR2835S |
Категория | Дискретные устройства => Диоды и выпрямители => Диоды общего назначения |
Описание | Ограничитель переходных перенапряжений |
Компания | Motorola Semiconductor Products |
Технический паспорт | Загрузить MR2835S Технический паспорт |
Цитата | Где купить
|
Функции, приложения |
…предназначен для применений, требующих использования диода с обратной лавинной характеристикой в качестве подавителя переходных процессов обратной мощности. Разработанное для подавления переходных процессов в автомобильной системе, это устройство работает в обратном режиме как силовой стабилитрон и защищает дорогостоящие модули, такие как системы зажигания, впрыска и автоблокировки, от условий перенапряжения. Отделка: Все внешние поверхности устойчивы к коррозии Полярность: Катод к клемме Вес: 1,78 г (приблизительно) Максимальная температура для пайки: 260°C в течение 10 с с использованием конвейерной печи Маркировка: MR2835S Номинальное постоянное напряжение блокировки Пик Повторяющийся обратный импульсный ток (постоянная времени = 10 мс, = 25C) Неповторяющийся пиковый импульсный ток (полупериодный, однофазный, 50 Гц) Диапазон температур хранения Рабочий диапазон температур перехода Символ VR IRSM IFSM Tstg TJ Значение до +150 Единица Вольт Ампер C = Номер партии MR2835S = Код конкретного устройства YY = Год WW = Рабочая неделя Характеристика Мгновенное прямое напряжение (IF 100 A) (Примечание 1. ) Обратный ток (VR) 20 В) (Примечание 1.) Напряжение пробоя (IZ = 100 мА) (Примечание 1.) Напряжение пробоя (IZ = 80 мс) Напряжение пробоя Температурный коэффициент Температурный коэффициент прямого напряжения (IF = 10 мА) 1. Импульсный тест: длительность импульса < 300 с, рабочий цикл < 2%. *Типичный символ VF IR V(BR) V(BR)TC VFTC Мин. Макс. Единица измерения Вольт A Вольт %/C мВ/C МОНТАЖ И ОБРАЩЕНИЕ Пределы механических нагрузок для диода Top Can следующие: |
Номер детали того же производителя Motorola Semiconductor Products |
MR2A16A Магниторезистивная оперативная память (MRAM) |
MR750 Сильноточный выпрямитель на проводе |
MR751 |
MR752 |
MR754 |
MR756 |
MR758 |
MR760 |
MR850 Осевой выпрямитель с быстрым восстановлением |
MR851 |
MR852 |
MR854 |
MR856 |
МРА0510-50Х |
MRA0510-50H Силовой транзистор VNF |
MRA051050H Мощный транзистор УВЧ |
МРА1000-14Л |
MRA1000-14L Силовой транзистор VNF |
MRA1000-3,5 л |
Силовой транзистор MRA1000-3. 5L VNF |
МРА1000-7Л |
1N5348B : 5-ваттный кремниевый стабилитрон Surmetic 40 MC68HC711K4MFU4 : Семейство M68HC11 Технические данные семейства M68HC11K MC74HC4050D : шестнадцатеричные буферы / понижающие преобразователи логического уровня MCM6323ATS15A: 64K X 16 бит, 3,3 В, асинхронное быстрое статическое ОЗУ MJD32-1 : Силовые кремниевые транзисторы 3 ампера 40 и 100 вольт 15 ватт MPC5553AVR112R2 : Спецификация микроконтроллера MVME712P2 : Одноплатный компьютер 1N3311 : Стабилитроны MC68HC711F1MFN4: Техническое резюме 8-битный микроконтроллер MC908GZ48MFJ : Микроконтроллеры MRF6V3090NR5 : Мощные радиочастотные полевые транзисторы MRF6V3090NR1 |
Та же категория |
2SC5256F : Усилитель. Транзистор, кремниевый NPN эпитаксиально-планарный тип. 55HQ030 : от 5 до 100 ампер. Выпрямитель Шоттки 60 Ампер. IF(AV) Прямоугольная форма волны Диапазон VRRM IFSM 5 с синусоидальный при 60 Apk = 125C диапазон 150 В Выпрямитель Шоттки 55HQ030 был оптимизирован для очень низкого прямого падения напряжения с умеренной утечкой. Запатентованная барьерная технология обеспечивает надежную работу при температуре перехода 150°С. Типичными приложениями являются импульсные источники питания, преобразователи. BC546черезBC548 : . Кремниевые эпитаксиальные планарные транзисторы NPN Эти транзисторы подразделяются на три группы A, B и C в зависимости от коэффициента усиления по току. Тип BC546 доступен в группах A и B, однако типы BC547 и BC548 могут поставляться во всех трех группах. В качестве дополнительных типов рекомендуются PNP-транзисторы BC556BC558. По специальному запросу эти. IRHNJ57230 : 200 В, 100 крад, одиночный N-канальный полевой МОП-транзистор высокого разрешения в корпусе SMD-0,5. IRLR/U110A : МОП-транзистор повышенной мощности. Технология Avalanche Rugged Технология Rugged Gate Oxide Меньшая входная емкость Улучшенный заряд затвора Расширенная безопасная рабочая зона Меньший ток утечки: 10 А (макс.) при VDS = 100 В Нижний RDS(ON): 0,336 (тип.) Символ VDSS ID IDM VGS EAS IAR EAR dv /dt PD Характеристика Напряжение сток-исток Непрерывный ток стока (TC=25C) Непрерывный ток стока (TC=100C). MCH6702 : . Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор PNP с барьерным диодом Шоттки Композитный тип с транзистором PNP и диодом с барьером Шоттки, содержащимися в одном корпусе, что упрощает монтаж с высокой плотностью. MCH6702 состоит из двух микросхем, эквивалентных MCH6101 и SBS006 соответственно. Ультрамаленькая упаковка способствует миниатюризации конечных продуктов. S8835 : GaAs. Микроволновая мощность GAAS Fet. МОЩНОСТЬ СВЧ GaAs FET Мощные GaAs полевые транзисторы (корпусные) Высокая мощность = 24 дБм = 8 ГГц Высокий коэффициент усиления = 8 ГГц Подходит для усилителя C-диапазона Ионная имплантация РЧ-характеристики s (Ta 25 C) Номер типа (код упаковки) Характеристика Выходная мощность при 1 дБ Усиление мощности в точке сжатия при 1 дБ Точка сжатия Потребляемый ток Мощность Добавленная эффективность Обозначение P1dB G1dB IDS Надд. SPR1601C : . 18020 Hobart Blvd., Unit B Gardena, CA U.S.A Тел.: (310) 767-1052 Факс: (310) 767-7958 Стекло Пассивировано для обеспечения высокой надежности/температурных характеристик Низкий уровень шума при переключении РЕАЛЬНЫЙ РАЗМЕР КОРПУСА TO-220AB ПОЛНОСТЬЮ ИЗОЛИРОВАННЫЙ КОРПУС A Низкое прямое падение напряжения Низкое термическое сопротивление Высокая коммутационная способность Высокая устойчивость к импульсным перенапряжениям Корпус: TO-220 из формованного пластика. STAC2932B : Транзисторы, ВЧ-мощные транзисторы ВЧ/ОВЧ/УВЧ N-канальные МОП-транзисторы. BAV99BRV : Переключающие диоды BAV99BRV EUR Высокая скорость переключения EUR Низкое прямое напряжение: максимум 0,715 В при 1 мА EUR Быстрое восстановление в обратном направлении: максимум 4 нс EUR Низкая емкость: максимум 2 пФ EUR Сверхмалый корпус для поверхностного монтажа EUR Термоэффективный медный сплав выводная рама для рассеивания высокой мощности EUR Two EURoeBAV99EUR Схемы в одном пакете. CNN-7900-01-1001-A- : RES NET, TAN/NICR, 1K OHMS, .05% +/-TOL, -100,100PPM TC, 3535 CASE. s: Конфигурация: Массив микросхем ; Категория/применение: Общее использование. FHT1504 : 150 мА, 50 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: SOT23, SOT-23, 3 PIN. KHR2-T2180.051OHMSA5% : RES,RADIAL,FILM,51M OHMS,5% +/-TOL,-300,300PPM TC,6118 CASE. s: Категория/применение: Общее использование; Стандарты и сертификаты: RoHS. PCMP38402102 : КОНДЕНСАТОР, МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫЙ ПЛЕНОЧНЫЙ, ПОЛИПРОПИЛЕН, 2500 В, 0,001 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Технология: пленочные конденсаторы; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: Полипропилен ; Диапазон емкости: 1,00E-3 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 5 (+/- %); WVDC: 2500 вольт; Способ крепления: сквозное отверстие. S8006L56 : 6 А, 800 В, SCR, TO-220AB. с: ВДРМ: 800 вольт; ВРРМ: 800 вольт; ИТ (RMS): 6 ампер; IGT: 15 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Тип упаковки: СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, ПЛАСТИКОВЫЙ ПАКЕТ-3; Количество выводов: 3. SDF10N90GAFEGD1B : 10 A, 900 В, 1,1 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канальный ; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 900 вольт; RDS(вкл.): 1,1 Ом; Количество единиц в ИС: 1. |
MR2835S-D_2060903.PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE
MR2835S-D_2060903.PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE
|
|
Полнотекстовый поиск: Ограничитель переходных перенапряжений |
Номер связанной детали | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Связанное ключевое слово из системы полнотекстового поиска | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Цена и наличие MR2835S-D от |
Все права защищены © |
[Добавить закладку] [Контакты Нас] [Обмен ссылками] [Политика конфиденциальности] |
Сайты-зеркала: [www. Top |