Содержание
9.2 Полупроводниковые резисторы. Классификация. Обозначение в схеме. Основные свойства. Применение.
1.Линейный
резистор.
Удельное сопрот-е
лин-го резистора практически не зависит
от изменения тока и напряжения.
2.Варистор
– п/п-ый прибор, сопротивление которого
меняется в зависимости от напряжения
Ux.
Применяют для защиты эл.цепи от
перенапряжений.
3.Терморезистор
– п/п-ый прибор, сопротивление которого
зависит от температуры. 2 вида термор-в:
термистр
– сопротивление падает с ростом t;
позистор
— сопротивление растёт с ростом t.
Терморезистор
применяется в системах регулирования
темп-ы, тепловой защиты, противопожарной
сигнализации.
4.Тензорезистор
– п/п-ый прибор, сопротивление которого
зависит от линейной деформации рабочего
тела. ∆R/R
– относительное изменение R.
∆L/L
– относит-ая деформация тела. L
– длина рабочего тела тензорезистора.
Применяются для
измерения деформации твёрдых тел.
5.Фоторезисторы
– п/п-ый прибор, сопротивление которого
зависит от светового потока.
Применяется для
автоматического включения света.
Полупроводниковый
резистор —
полупроводниковый
прибор с двумя выводами, в котором
используется зависимость электрического
сопротивления
полупроводника от напряжения.
В полупроводниковых резисторах применяют
полупроводник, равномерно легированный
примесями. В зависимости от типа примесей
удаётся получить различные зависимости
сопротивления от напряжения.
Первые
две группы полупроводниковых резисторов
в соответствии с этой классификацией
— линейные резисторы и варисторы —
имеют электрические характеристики,
слабо зависящие от внешних факторов:
температуры окружающей среды, вибрации,
влажности,
освещённости
и др. Для остальных групп полупроводниковых
резисторов, наоборот, характерна сильная
зависимость их электрических характеристик
от внешних факторов. Так, характеристики
терморезисторов существенно зависят
от температуры, характеристики
фоторезисторов — от освещённости,
характеристики тензорезисторов — от
механических напряжений.
Полупроводниковые
резисторы
нашли широкое применение
в электронных приборах. и бытовой
аппаратуре: рефрижераторах, автомобилях,
электронагревательных приборах,
телевизорах, системах центрального
отопления, в бытовой радиоаппаратуре
и пр.
9.3 Полупроводниковые диоды, устройство и принцип действия. Вольтамперная характеристика.Типы диодов.Стабилитроны.Применение.
В
полупроводниковых диодах используются
явления, происходящие в р-n
переходе.
Типы
диодов:
-по
назначению (выпрямительные, импульсные,
детекторные, переключательные,
параметрические, ограничительные,
умножительные, настроечные, генераторные).
-по
конструкции (диоды Шоттки, СВЧ-диоды,
стабилитроны, стабисторы, варикапы,
светодиоды, фотодиоды, pin-диоды,
лавинно-пролётные диоды, диоды Ганна,
туннельные диоды).
ВАХ
диода нелинейна и несимметрична. Прямой
ток Iпр
во много раз больше обратного тока
Iобр
При
подключении диода к достаточно
большому обратному напряжению (U
обр max)
происходит, так называемый, электрический
пробой, характеризуемый лавинообразным
размножением неосновных носителей
зарядов и резким возрастанием обратного
тока.
Пробой
обратимый, т.е. при отключении внешнего
источника питания свойства р-n
перехода восстанавливаются.
Свойство
неизменности напряжения при пробое Uст
используется
в стабилитронах.
Полупроводниковый
стабилитрон представляет собой
полупроводниковый диод, обладающий
некоторыми характерными особенностями,
проявляющимися при эксплуатации.
При подключении стабилитрона к обратному
напряжению, называемому напряжением
пробоя, в р-n
переходе происходит лавинообразное
размножение неосновных носителей
зарядов с резким возрастанием обратного
тока при весьма малом приращении
напряжения.
Применение
диодов:
Диодные
выпрямители (используются для
преобразования переменного тока в
постоянный), диодные детекторы (в
сочетании с конденсаторами применяются
для выделения низкочастотной модуляции
из амплитудно-модулированного радиосигнала
или других модулированных сигналов),
диодная защита (применяются для защиты
разных устройств от неправильной
полярности включения и т. п.), диодные
переключатели (для коммутации
высокочастотных сигналов).
Полупроводниковые резисторы | Основы электроакустики
Полупроводниковые резисторы
К полупроводниковым резисторам относят:
- терморезисторы
- болометры
- позисторы
- варисторы
- фоторезисторы.
Терморезисторы. Они представляют собой полупроводниковые тепловые приборы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления ТКС. При увеличении температуры возникает термогенерация носителей заряда в материале полупроводника, вследствие чего снижается электрическое сопротивление терморезистора ТР. Различают ТР, реагирующие на изменение температур окружающей среды и на нагрев, вызванный проходящим через них током. Свойства ТР первой группы определяются температурной характеристикой Rr=Ф(t°), выражающей зависимость сопротивления прибора от температуры окружающей среды (кривая 2). Сврйства ТР второй группы оценивают по вольтампер-ной характеристике U=ф(I), которая .отражает его нагрев проходящим током и определяет нелинейные свойства прибора
Параметрами терморезисторов являются:
- сопротивление (ом) Rт при температуре 20 °С;
- температурный коэффициент сопротивления, выражающий в процентах изменение сопротивления прибора при изменении температуры,на 1 °С
- мощность рассеивания Pтi при которой температура не превышает допустимой;
- постоянная времени т, характеризующая тепловую инерционность терморезистора ТР (т=Ст/Рр, где Ст — теплоемкость, представляющая энергию, необходимую для нагрева ТР на 1 °С, Вт*с/°С; РР — коэффициент рассеивания, т. е. мощность, рассеиваемая ТР при разности температур между ним и средой в 1 °С, Вт/°С).
Обозначение терморезисторов состоит из трех-четырех элементов, например, СП-21, СТ2-26, СТЗ-27, СТ4-15 и др. Буквы первого элемента СТ означают термочувствительное сопротивление, цифры второго элемента характеризуют тип используемого полупроводникового материала (1 — кобальто-марганцевый, 2 — медно-марганце-вый, 3 — медно-кобальто-марганцевые, 4 — кобальто-никелево-мар-ганцевые), третьего элемента — код конструкции, буквы четвертого элемента обозначают код интервала рабочих температур (эти буквы можно и не ставить).
Терморезисторы групп СТ1-21, СТЗ-21, СТЗ-27 и других используют в качестве регулируемых бесконтактных резисторов в цепях автоматики; групп ММТ, КМТ и других — для измерения и регулирования температуры, а также для термокомпенсации элементов элек-трияеских цепей; групп Т8Д, Т8Е, Т8С2М и других — в качестве термочувствительного элемента при измерении мощности СВЧ колебаний.
Болометры. Представляют собой особый вид терморезисторов, используемых в качестве приемников лучистой энергии. Действие болометров основано на изменении сопротивления чувствительного элемента при его нагревании в результате поглощения энергии излучения.
Полупроводниковые болометры содержат два (активный и компенсационный) терморезисторных элемента. Активный непосредственно подвергается воздействию измеряемого излучения, а компенсационный экранирован от излучения и служит для компенсации влияния изменения температуры окружающей среды. Обозначения полупроводниковых болометров состоят из букв и цифр (например, БКМ-1, БКМ-2), указывающих порядковый номер типа прибора.
Таблица 46
Тип | Номинальное сопротивление, кОм | Температурный коэффициент сопротивления, %/°с | Номинальная мощность, кВт | Габаритные размеры (без выводов), мм | Масса, г | Способ подогрева |
| Терморезисторы |
|
| |||
СТ1-17 | 0,3 — 22 | 4 — 7 | 500 | — | 0,2 | Прямой |
СП- 19
| 3,3 4,7; 6,8; 10; 100; 150; 1500; 2200 | 2,3 — 4
| 60
| —
| 0,3
| »
|
СТЗ- 19 | 2,2; 10; 15 | 3,4 — 4,5 | 45 | 04X2,5 | 0,3 | » |
СТЗ-21
| 0,68; 1; 1,5; 10, 15 | 3 — 4,1
| 60
| 9,5X48
| 2,8
| Косвен- ный |
СТЗ-25 | 1,5; 2,2; 3,3 | 3 — 3,75 | 8 | 049X33 | 2,5 | Прямой |
КМТ-1 | 22 — 1000 | 4,2 — 8,4 | 1000 | 3X13 |
| — |
ММТ-9 | 0,01 — 4,7 | 2,4 — 4 | 2 | 019X3 | 3,4 | — |
Т8С1М | 0,15 | 1 — 5,8 | 24 | — | — | Прямой |
Позисторы | ||||||
СТ6-1А | 0,04 — 0,4 | 10 | 1100 | 05X2,5 | — | — |
СТ6-1Б | 0,1 — 0,7 | 15 | 800 | 05X2,5 | — | — |
СТ6-ЗБ | 1 — 10 | 15 | 200 | 02X2 | __ | __ |
СТ6-4Б | 0,1 — 0,4 | 15 | 800 | 07X5 | — | — |
Примечание. Параметры терморезисторов и позисторов указаны для температуры окружающей среды 20 °С, а СТ1-19 — для 150°С.
Применяют болометры для бесконтактного дистанционного измерения температуры в качестве приемников лучистой энергии в спектральных приборах, в различных системах ориентации. Иммерсионные полупроводниковые болометры (например, БП1-2) используют в качестве приемников инфракрасного, излучения в аппаратуре автоконтроля ответственных узлов железнодорожного подвижного состава (колесных пар, подшипников и др.)
Позисторы. Представляют собой терморезисторы с положительным температурным коэффициентом сопротивления. ТКС позисторов, изготовленных на основе титаната бария, достигает десятков процентов на 1 °С
Применяют позисторы для ограничения и стабилизации тока в электрических цепях, авторегулировки усиления в схемах термокомпенсации, для защиты элементов схемы и приборов от перегрева, регулировки температуры и т. д. Позисторами служат приборы СТ5-1, СТ6-1А, СТ6-1Б, СТ6-5Б, СТ6-4В, СТ64Г и др.
Основные параметры некоторых терморезисторов и позисторов приведены в табл 46.
Вариаторы. Эти приборы представляют собой полупроводниковые резисторы объемного типа с нелинейными вольт-амперными характеристиками Для напряжений различной полярности вольт-амперные характеристики симметричны. Варисторы можно использовать в цепях постоянного, переменного (с частотами до нескольких килогерц) и импульсного токов. Изготовляют стержневые и дисковые варисторы из порошкообразного карбида кремния.
Основными параметрами варисторов являются следующие.
- Номинальное классификационное напряжение Uкл — постоянное напряжение, при котором через варистор проходит заданный токIкл.
- Максимально допустимое импульсное напряжение Uи макс [для стержневых варисторов
- Uи,макc = (1,2-2) Uкл, а для дисковыхUж макс = (3Ч- 4) UKa] .
- Коэффициент нелинейности Р — отношение сопротивления варистора постоянному току к его сопротивлению переменному току.
- Номинальная мощность рассеивания Раон — 1кяУкл при заданной температуре среды.
- Условное обозначение варисторов состоит из букв и цифр (например, СН1-1-1-1500).
Буквы СН обозначают — нелинейное сопротивление, первая цифра указывает применяемый материал, вторая — конструкцию (1 — стержневой, 2 — дисковый), третья — порядковый номер разработки; число в конце обозначения характеризует величину падения напряжения.
Параметры некоторых типов варисторов приведены в табл. 47.
Варисторы применяют в устройствах стабилизации высоковольтных источников напряжения телевизионных приемников, для стабилизации токов в отклоняющих катушках кинескопов, в системах размагничивания цветных кинескопов, системах автоматического регулирования.
Фоторезисторы. Представляют собой полупроводниковые приборы, электрическое сопротивление которых изменяется под действием электромагнитного (светового) излучения. Характер изменения сопротивления определяется интенсивностью и составом облучающего света.
Фоторезистор Параметрами фоторезисторов ФР являются следующие. Рабочее напряжение, при котором ФР может быть использован в течение указанного срока службы с сохранением его параметров.
- Допустимая мощность рассеивания рф — максимальная мощность, рассеиваемая на ФР без его теплового повреждения
- Темновое электрическое сопротивление RT — при 20 °С через 30 с после снятия освещенности 200 лк.
- Темповой ток Iт, проходящий в цепи ФР при приложенном рабочем напряжении через 30 с после снятия освещенности 200 лк.
- Световой ток Iс, проходящий через ФР при напряжении и освещенности 200 лк от источника света с цветовой температурой 2850К.Таблица 47
Номинальное классификационное напряжение, В | Максимально допустимое импульсное напряжение, кВ | Коэффициент нелинейности | Номинальное классификационное напряжение, В | Максимально допу стимое импульсное напряжение, кВ | Коэффициент нелинейности |
Стержневые варисторы | Дисковые варисторы | ||||
СН1-1-1 (09X19 мм) Iкл = 10 мА; Рном = 1 Вт | СН1-2-1 (016X8 мм) Iкл = 8 мА; Рном = 1 Вт | ||||
560 | 1,2 | 3,5 | 56 | 180 | 3,5 |
680 | 1,3 | 4 | 68 | 210 | 3,5 |
820 | 1,4 | 4 | 82 | 250 | 3. 5 |
1000 | 1,5 | 4 | 100 | 300 | 3,5 |
1200 | 1,6 | 4 | 120 | 360 | 3,5 |
1300 | 1,7 | 4,5 | 150 | 450 | 3,5 |
1500 | 2,0 | 4,5 | 180 | 550 | 3,5 |
| 220 | 650 | 3,5 | ||
СН1-1-2 (07X16 мм) Iкл = 10 мА; РНОм=0,8 Вт | 270 | 800 | 3,5 | ||
560 | 1,2 | 3,5 | СН 1-2-2 (012X7 мм) Iкл = 3 мА; Л,ом = 1 Вт | ||
680 | 1,3 | 4,0 |
| ||
1300 | 1,7 | 4,5 |
|
|
|
|
|
| 15 | 60 | 3 |
СН1-6 (035X9 мм) Iкл = | 18 | 70 | 3 | ||
= 20 мА; РНОм=2,5 Вт | 22 | 80 | 3 | ||
33 | 0,15 | 4,0 | 27 | 90 | 3 |
|
|
| 39 | ПО | 3 |
СН1-8 (013X120) Iкл = | 47 | 120 | 3,5 | ||
= 50 мкА; Рвом =2 Вт | 56 | 150 | 3,5 | ||
20000 | 30 | 6 | 68 | 170 | 3,5 |
25000 | 30 | 6 |
|
|
|
|
|
| СН1-10 (040X10 мм) Iкл = 10 мА; Рном = 3 Вт | ||
СН 1-8-20 Iкл =0,05 мА; |
| ||||
Рвом =6 ВТ | 15 | 75 | 3,2 | ||
20000 | 30000 | 6 — 10 | 18 | 90 | 3,2 |
|
|
| 27 | 135 | 3,2 |
СН 1-8-25 Iкл = 0,05 мА; | 33 | 165 | 3,2 | ||
Рвом = 2 Вт |
|
|
| ||
|
| 39 | 195 | 3,2 | |
25000 | 30000 | 6 — 10 | 47 | 235 | 3,2 |
Примечaниe. Номинальная мощность указана при температуре окружающей среды 70 °С для варисторов СН1-1-1, СН-1-2, при 75°С — для СН1-6, при 0 °С — для СН1-2-1, СН1-2-2.
Кратность изменения сопротивления RT/Rc — отношение темно» вого сопротивления ФР к сопротивлению при освещенности 200 ли от источника с цветовой температурой 2850К.
Удельная чувствительность во — отношение фототока к произведению величины падающего на фоторезистор светового потока и приложенного к нему напряжения, т.е. 8о=Iф/(ФU).
Интегральная чувствительность еи — произведение удельной чувствительности на предельное рабочее напряжение, т.е. еи = еоU.
Параметры наиболее распространенных фоторезисторов приведены в табл. 48.
Фоторезистор | Рабочее напряжение, В | Мощность рас-сеивания, Вт | Темчовое сопротивление, МОм | Темновой ток, мкА | Световой ток, мА | Кратность изменения сопротивления | Удельная чувствительность, мА/(лм-В) | Интегральная чувствительность, мкА/лм |
СФ2-1 | 15 | 10 | 15 | 0,5 | 1 | 500 | 400 | 10 |
СФ2-2 | 2 | 50 | v2 | 0,5 | 1,5 | 500 | 75 | 0,36 |
СФ2-8 | 100 | 125 | 100 | — | 1 | 1000 | — | — |
СФ2-16 | 10 | 10 | 3,3 | — | 0,3 | 100 | — | — |
СФЗ-1 | 15 | 10 | 30 | 0,01 | 1,5 | 1500 | 600 | 20 |
СФЗ-2 | 5 | 100 | 5 | 0,5 | 2 | 500 | 80 | — |
СФЗ-5 | 2 | 50 | 2 | — | 0,5 | 500 | — | — |
СФЗ-8 | 20 | 50 | 20 | — | 0,5 | 500 | — | — |
ФСК-1 | 50 | 125 | 3,3 | 5 | 2 | 100 | 7 | 2,8 |
ФСК-2 | 100 | 125 | 3,3 | 10 | 1 | 20 | 1,6 | 0,5 |
ФСД-1 | 20 | 50 | 2 | 1 | 3 | 150 | 30 | 15 |
ФСА-1 | 100 | 10 | 0,02 | — | — | 1,2 | 500 | — |
ФСА-12 | 40 | 10 | 0,05 | — | — — | 1,2 | 500 | — |
Фоторезисторы используют для формирования электрических сигналов под действием облучающих световых сигналов, а также для обнаружения и регистрации световых сигналов.
smd%20marking%20code%20221%20паспорт резистора и примечания по применению
Койлкрафт Инк
Койлкрафт Инк
Молекс
Молекс
Молекс
Молекс
smd%20marking%20code%20221%20resistor Листы данных Context Search
Каталог данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
---|---|---|---|
СМД 43 Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки индуктивности smd диод j 100N 1FW+43+smd | Оригинал | SDC2D18LD 2Д18ЛД СМД 43 Индукторы Силовые индукторы smd-диод j 100Н 1FW+43+СМД | |
SDC3D11 Реферат: smd led smd диод j транзистор SMD 41 068 smd | Оригинал | SDC3D11 смд светодиод smd-диод j транзистор СМД 41 068 смд | |
СМД 356 В Реферат: дроссель smd we 470 356 AT smd транзистор smd 24 дроссель smd 470 Led smd smd диод j smd транзистор 560 SDC3D16 SMD INDUCTOR 47 | Оригинал | SDC3D16LD 3Д16ЛД СМД 356 АТ индуктор смд мы 470 356 В СМД транзистор СМД 24 индуктор смд 470 светодиод смд smd-диод j смд транзистор 560 SDC3D16 СМД ИНДУКТОР 47 | |
СМД d105 Реферат: SMD a34 B34 SMD smd 028 F индукторы 25 34 SMD силовые индукторы k439 | Оригинал | SDS3012E 3012E СМД д105 СМД а34 Б34 СМД СМД 028 Ф катушки индуктивности 25 34 СМД Силовые индукторы к439 | |
к439 Аннотация: B34 SMD SMD a34 SDS301 | Оригинал | SDS3015ELD 3015ELD к439 Б34 СМД СМД а34 SDS301 | |
СДК2Д14 Реферат: SDC2D14-2R2N-LF Дроссель bo smd транзистор SMD 24 «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ smd led smd сопротивление smd p 112 | Оригинал | SDC2D14 СДК2Д14-2Р2Н-ЛФ Катушка индуктивности бо smd транзистор СМД 24 «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ смд светодиод смд сопротивление смд р 112 | |
SDS2D10-4R7N-LF Резюме: SDS2D10 smd led smd 83 smd транзистор 560 4263B катушки индуктивности 221 a32 smd | Оригинал | SDS2D10 SDS2D10-4R7N-LF смд светодиод смд 83 смд транзистор 560 4263Б катушки индуктивности 221 а32 смд | |
2012 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | SDC3D28 | |
СДК2Д11-100Н-ЛФ Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки smd led «Силовые катушки индуктивности» smd 123 smd диод j 4263B SMD INDUCTOR 47 | Оригинал | SDC2D11 СДК2Д11-100Н-ЛФ Индукторы Силовые индукторы смд светодиод «Силовые индукторы» смд 123 smd-диод j 4263Б СМД ИНДУКТОР 47 | |
СДК2Д11ХП-3Р3Н-ЛФ Реферат: Силовые индукторы Катушки индуктивности smd led smd диод j 4263B | Оригинал | SDC2D11HP 2Д11ХП SDC2D11HP-3R3N-LF Силовые индукторы Индукторы смд светодиод smd-диод j 4263Б | |
2012 — SDC2D14-1R5N-LF Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | SDC2D14 СДК2Д14-1Р5Н-ЛФ | |
А44 СМД Резюме: смд 5630 5630 смд койлмастер смд B44 SDS4212E-100M-LF | Оригинал | SDS4212E 4212Е A44 СМД смд 5630 5630 смд койлмастер смд б44 SDS4212E-100M-LF | |
индуктор Резюме: смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13dBo 100N SDC2D14HPS | Оригинал | СДК2Д14ХП 2Д14ЛС катушка индуктивности смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13 дБ Бо 100Н SDC2D14HPS | |
катушки индуктивности Реферат: СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ Диод smd 86 smd диод j 100N SDC2D18HP «Силовые индукторы» | Оригинал | SDC2D18HP 2Д18ХП катушки индуктивности СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ Диод смд 86 smd-диод j 100Н «Силовые индукторы» | |
2012 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | SDC2D18HP 2Д18ХП | |
СМД .А40 Резюме: a40 smd smd D10 Inductors Power Inductors SMD A40 smd g12 | Оригинал | SDS4010E 4010Е СМД .А40 а40 смд смд д10 Индукторы Силовые индукторы СМД А40 смд г12 | |
Силовые индукторы Реферат: smd диод j 100N Катушки индуктивности | Оригинал | SDC3D18 Силовые индукторы smd-диод j 100Н Индукторы | |
2Д18 Реферат: катушки индуктивности 221 лф 1250 smd j диод SDS2D18 | Оригинал | SDS2D18 2Д18 катушки индуктивности 221 1250 лф smd-диод j | |
СМД 43 Реферат: катушки индуктивности Power Inductors 3D-14 smd диод j «Power Inductors» 3D14 | Оригинал | SDC3D14 СМД 43 катушки индуктивности Силовые индукторы 3Д-14 smd-диод j «Силовые индукторы» 3D14 | |
смд 3250 Реферат: SMD-диод Coilmaster Electronics j | Оригинал | SDC2D09 смд 3250 Койлмастер Электроника smd-диод j | |
пмб 4220 Резюме: Siemens pmb 4220 PMB 27251 4310 SMD IC 2197-T 82526-N smd 2035 DSP/pmb 4220 PMB27201 SICOFI PEF 2465 | OCR-сканирование | 2025-Н 2025-П 2026Т-П 2026Т-С 20320-Н 2035-Н 2035-П 2045-Н 2045-П 2046-Н 4220 пмб Сименс пмб 4220 ПМБ 27251 ИС 4310 для поверхностного монтажа 2197-Т 82526-Н СМД 2035 DSP/пмб 4220 PMB27201 СИКОФИ ПЭФ 2465 | |
Катушки индуктивности Реферат: Силовые индукторы 068 smd 0621 smd SMD a34 D160 SDS3015EHP-100M-LF | Оригинал | SDS3015EHP 3015EHP Индукторы Силовые индукторы 068 смд 0621 смд СМД а34 Д160 SDS3015EHP-100M-LF | |
СМД 43 Реферат: Дроссели транзисторные SMD мы SDS2D12-100M-LF h22 smd smd диод j 2D12 3r smd 340 smd «Дроссели силовые» | Оригинал | SDS2D12 СМД 43 Индукторы транзистор SMD мы СДС2Д12-100М-ЛФ h22 смд smd-диод j 2D12 3р смд 340 смд «Силовые индукторы» | |
2004 — стабилитрон SMD маркировка код 27 4F Реферат: smd диод шоттки код маркировка 2F smd стабилитрон код 5F panasonic MSL уровень smd стабилитрон код a2 SMD ZENER DIODE a2 smd стабилитрон 27 2f SMD стабилитрон код 102 A2 SMD стабилитрон SMD MARK A1 | Оригинал | 2002/95/ЕС) стабилитрон SMD маркировка код 27 4F SMD-диод с кодом Шоттки, маркировка 2F smd стабилитрон код 5F уровень Panasonic MSL smd стабилитрон код a2 SMD ЗЕНЕР ДИОД a2 смд стабилитрон 27 2ф Маркировка стабилитрона SMD код 102 A2 для поверхностного монтажа стабилитрон SMD MARK A1 | |
5a6 стабилитрон Реферат: Двойной MOSFET dip стабилитрон 6.2v 1w 10v ZENER DIODE 5A6 smd sot23 DG9415 | Оригинал | Si4418DY 130 мОм@ Si4420BDY Si6928DQ 35 мОм@ Si6954ADQ 53 мОм@ SiP2800 СУМ47Н10-24Л 24 мОм@ стабилитрон 5а6 двойной мосфет провал диод стабилитрон 6.2в 1вт 10В ЗЕНЕРСКИЙ ДИОД 5А6 смд сот23 ДГ9415 |
Предыдущий
1
2
3
…
23
24
25
Далее
EMG5DXV5 — Транзисторы с двойным резистором смещения
%PDF-1.4
%
1 0 объект
>
эндообъект
5 0 объект
/Title (EMG5DXV5 — Транзисторы с двойным резистором смещения)
>>
эндообъект
2 0 объект
>
эндообъект
3 0 объект
>
транслировать
BroadVision, Inc.2020-10-26T09:20:59+08:002013-03-11T15:59:21-07:002020-10-26T09:20:59+08:00application/pdf
устройство и его цепь смещения внешнего резистора.