Как проверить транзистор pnp: Как проверить транзистор простым мультиметром

Содержание

Как проверить транзистор pnp мультиметром

Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga. Сегодня хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления h41э пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультика. Мы знаем, что транзистор имеет два p-n перехода, причем каждый переход можно представить в виде диода полупроводника.







Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

  • Как проверить транзистор
  • Как проверить транзистор мультиметром.
  • Как проверить биполярный транзистор
  • Проверка биполярного транзистора мультиметром
  • Как проверить транзистор?
  • Как проверить работоспособность разных видов биполярных транзисторов мультиметром?
  • Проверка исправности биполярного транзистора мультиметром
  • Проверка транзистора мультиметром, как прозвонить и проверить
  • Как проверить транзистор мультиметром (видео)
  • Проверка исправности биполярного транзистора мультиметром

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: простой тестер npn и pnp транзисторов

Как проверить транзистор






Транзистор можно представить в виде двух диодов включенных навстречу p-n-p — прямой и в обратном n-p-n — обратный направлении. Смотрите рисунки. Если транзистор цел, то падение напряжения в режиме проверки прозвонки в милливольтах, будет находиться в пределах — Ом и при этом разница этих значений должна быть невелика. После этого меняем местами щупы, мультиметр не должен показывать никакого падения.

Далее проверяем коллектор — эмиттер в обе стороны меняем местами щупы , здесь также не должно быть никаких значений. Посмотрите небольшое видео проверки транзистора мультиметром. В начале я упоминал, что в некоторых случаях, такая проверка может дать ложный вывод. Бывает в ходе ремонта телевизора, при проверке выпаянного транзистора мультиметром, все переходы показывают нормальные значения, но в схеме он не работает. Выявить это можно только заменой. Составной транзистор проверяется вставляя в отверстия на панели мультиметра или другого прибора.

Для этого нужно знать какой проводимости он является и после этого уже вставлять, не забыв переключить в соответствующее положение тестер. Проверить силовой транзистор, а так же строчный можно по этой же методике исследуя переходы Б-К, Б-Э, К-Э, но так как в этих транзисторах в большинстве случаев имеются встроенные диоды К-Е и сопротивления Б-Э все это нужно учитывать.

При незнакомом элементе лучше посмотреть его даташит. Проверить транзистор на плате можно аналогичным способом, но в некоторых случаях установленные рядом в обвязке резисторы с малым сопротивлением, дроссели или трансформаторы могут вносить ложные значения.

Поэтому лучше иметь специальные приборы предназначенные для таких проверок, типа ESR-mikro v4. Проверить биполярный транзистор не выпаивая может ESR-mikro v4. Дело в том что эти элементы управляются по затвору напряжением и легко пробиваются статическим напряжением.

Работоспособность полевых транзисторов проверяется с осторожностью, желательно на антистатическом столе с антистатическим браслетом на руке хотя по большей части это касается маломощных элементов.

Сами по себе переходы покажут бесконечное сопротивление, но как видно из предложенных выше сильноточный полевой транзистор имеет диод, его можно проверить. Показатель того, что нет короткого замыкания, это уже хороший знак. Если он N-типа, то минусом касаемся стока, а плюсом — затвора. Исправный транзистор должен открыться. Далее плюсовой, не отрывая минусового, переводим на исток, мультиметр покажет какое-то сопротивление. Далее нужно запереть радиодеталь.

Транзистор будет заперт. На видео не прозвонил к-э, часто переходы б-э, б-к-хорошие а э-к в обрыве, а то и короткое. Поясню вопрос по разным показаниям в плоть до невозможности проверки переходов, предлагаю иметь и использовать стрелочный тестер на щуп идёт больший ток, предел измерения ставлю 10х.

Если использовать электронный мультиметр, надо ставить прозвонку диодов. Ещё один дедовский способ проверки транзисторов, цепляетесь э-к в разных полярностях и касаетесь языком базы и остальных ножек хороший триод покажет отклонение больше чем через язык, можно приноровиться всё это проделать с мокрым пальцем. При проверке полевика достаточно дыхнуть на транзистор чтобы переход открылся.

Подскажите, а почему один мультиметр показывает споротивление, а другая модель тестера не может этого сделать? Сайт необязательно. Главная Начинающему радиолюбителю. Содержание 1 Методика проверки транзистора 2 Как проверить на плате 3 Проверка полевого. Похожие записи: Как проверить конденсатор мультиметром Горит строчный транзистор Как проверить трансформатор.

Напиши пожалуйста модели мультиметров, в моем видео например модель DTA. Павел Valеry Почему при проверке транзистора вы указываете такой большой разброс сопротивлений Ом?

Как проверить транзистор мультиметром.

Ни одна современная схема не обходится без полупроводниковых приборов. Самый распространённый из них — транзистор и именно он часто выходит из строя. Тому причиной — перепады напряжения, которые есть в наших сетях, нагрузки и т. Рассмотрим два способа позволяющие проверить исправность транзистора при помощи мультиметра. Чтобы понять исправен биполярный транзистор или нет, нам необходимо знать хотя бы в самых общих чертах, как он устроен и работает. Это активный электронный компонент, который является полупроводниковым прибором. Каждый из них имеет три электрода: база, эмиттер и коллектор.

Как проверить транзистор мультиметром Для проверки BC (структура p-n-p) черный щуп подсоединяется к базе, красный – к.

Как проверить биполярный транзистор

Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga. Сегодня хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления h31э пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультика. Мы знаем, что транзистор имеет два p-n перехода , причем каждый переход можно представить в виде диода полупроводника. Отсюда получается, что один диод образован выводами, например, базы и коллектора , а другой диод выводами базы и эмиттера. Тогда нам будет достаточно проверить прямое и обратное сопротивление этих диодов, и если они исправны, значит, и транзистор работоспособен. Все очень просто. Начнем с транзисторов структуры проводимость p-n-p.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Давайте займемся теорией, повремените убегать. Портал ВашТехник наряду с заумными сентенциями, рассчитанными быть понятыми профи, предоставит методику пяти пальцев. Не слышали? Просто, как пять пальцев. Сначала обсудим типы транзисторов, потом расскажем, что можно сделать при помощи мультиметра.

Для проверки транзисторов имеется множество специализированных испытателей, измерителей и подобных им дорогостоящих приборов. Здесь рассказывается о том, как доступным прибором проверяется работоспособность или определится назначение выводов.

Как проверить транзистор?

Как проверить транзистор мультиметром. Перед началом ремонта электронного прибора или сборки схемы стоит убедиться в исправном состоянии всех элементов, которые будут устанавливаться. Если используются новые детали, необходимо убедиться в их работоспособности. Транзистор является одним из главных составляющих элементов многих электросхем, поэтому его следует прозвонить в первую очередь. Как проверить мультиметром транзистор подробно расскажет данная статья.

Как проверить работоспособность разных видов биполярных транзисторов мультиметром?

Схематическое обозначение PNP-транзистора в схеме выглядит так:. Существует также другая разновидность биполярного транзистора: NPN транзистор. Здесь уже материал P заключен между двумя материалами N. Вот его схематическое изображение на схемах. Так как диод состоит из одного PN-перехода, а транзистор из двух, то значит можно представить транзистор, как два диода! Теперь же мы с вами можем проверить транзистор, проверяя эти два диода, из которых, грубо говоря, состоит транзистор. Как проверить диод мультиметром , можно прочитать в этой статье.

Методика проверки транзистора показана на конкретных примерах с большим количеством фотографий и пояснений. Проверка транзистора цифровым мультиметром Условное изображение транзистора P-N-P из диодов.

Проверка исправности биполярного транзистора мультиметром

Биполярный транзистор состоит из двух P-N переходов. Его выводы называются, как эммитер, база и коллектор. Слой, который посередине, называется базой. Эммитер и коллектор находятся по краям.

Проверка транзистора мультиметром, как прозвонить и проверить

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Проверка работоспособности биполярного транзастора NPN PNP типа

Во время ремонта или сборки радиоэлектронных устройств у всех радиолюбителей возникает необходимость проверить транзистор мультиметром. И для этого есть очень простой и самый распространенный способ. В основном эта статья предназначена для начинающих радиолюбителей, поэтому я более доступно для понимания расскажу, как это сделать. Для начала нужно представить, что собой представляет биполярный транзистор о том, как проверить полевой транзистор будет написано в отдельной статье. Это 2 p-n перехода.

Полупроводниковые кристаллы соединены в корпусе, образуя p-n переходы. Такая же технология применяется в диодах.

Как проверить транзистор мультиметром (видео)

Приветствую всех любителей электроники, и сегодня в продолжение темы применение цифрового мультиметра мне хотелось бы рассказать, как проверить биполярный транзистор с помощью мультиметра. Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, который предназначен для усиления сигналов. Так же транзистор может работать в ключевом режиме. Транзистор состоит из двух p-n переходов, причем одна из областей проводимости является общей. Средняя общая область проводимости называется базой, крайние эмиттером и коллектором. Вследствие этого разделяют n-p-n и p-n-p транзисторы.

Проверка исправности биполярного транзистора мультиметром

Теория и практика. Кейсы, схемы, примеры и технические решения, обзоры интересных электротехнических новинок. Уроки, книги, видео. Профессиональное обучение и развитие.






Биполярные транзисторы. For dummies / Хабр

Предисловие


Поскольку тема транзисторов весьма и весьма обширна, то посвященных им статей будет две: отдельно о биполярных и отдельно о полевых транзисторах.

Транзистор, как и диод, основан на явлении p-n перехода. Желающие могут освежить в памяти физику протекающих в нем процессов здесь или здесь.

Необходимые пояснения даны, переходим к сути.

Транзисторы. Определение и история

Транзистор — электронный полупроводниковый прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом. (tranzistors.ru)


Первыми были изобретены полевые транзисторы (1928 год), а биполярные появилсь в 1947 году в лаборатории Bell Labs. И это была, без преувеличения, революция в электронике.

Очень быстро транзисторы заменили вакуумные лампы в различных электронных устройствах. В связи с этим возросла надежность таких устройств и намного уменьшились их размеры. И по сей день, насколько бы «навороченной» не была микросхема, она все равно содержит в себе множество транзисторов (а также диодов, конденсаторов, резисторов и проч.). Только очень маленьких.

Кстати, изначально «транзисторами» называли резисторы, сопротивление которых можно было изменять с помощью величины подаваемого напряжения. Если отвлечься от физики процессов, то современный транзистор тоже можно представить как сопротивление, зависящее от подаваемого на него сигнала.

В чем же отличие между полевыми и биполярными транзисторами? Ответ заложен в самих их названиях. В биполярном транзисторе в переносе заряда участвуют и электроны, и дырки («бис» — дважды). А в полевом (он же униполярный) — или электроны, или дырки.

Также эти типы транзисторов разнятся по областям применения. Биполярные используются в основном в аналоговой технике, а полевые — в цифровой.

И, напоследок: основная область применения любых транзисторов — усиление слабого сигнала за счет дополнительного источника питания.

Биполярный транзистор. Принцип работы. Основные характеристики


Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение. В зависимости от типа проводимости этих областей, выделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Обычно область коллектора шире, чем эмиттера. Базу изготавливают из слаболегированного полупроводника (из-за чего она имеет большое сопротивление) и делают очень тонкой. Поскольку площадь контакта эмиттер-база получается значительно меньше площади контакта база-коллектор, то поменять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности подключения нельзя. Таким образом, транзистор относится к несимметричным устройствам.

Прежде, чем рассматривать физику работы транзистора, обрисуем общую задачу.


Она заключаются в следующем: между эмиттером и коллектором течет сильный ток (ток коллектора), а между эмиттером и базой — слабый управляющий ток (ток базы). Ток коллектора будет меняться в зависимости от изменения тока базы. Почему?

Рассмотрим p-n переходы транзистора. Их два: эмиттер-база (ЭБ) и база-коллектор (БК). В активном режиме работы транзистора первый из них подключается с прямым, а второй — с обратным смещениями. Что же при этом происходит на p-n переходах? Для большей определенности будем рассматривать n-p-n транзистор. Для p-n-p все аналогично, только слово «электроны» нужно заменить на «дырки».

Поскольку переход ЭБ открыт, то электроны легко «перебегают» в базу. Там они частично рекомбинируют с дырками, но большая их часть из-за малой толщины базы и ее слабой легированности успевает добежать до перехода база-коллектор. Который, как мы помним, включен с обратным смещением. А поскольку в базе электроны — неосновные носители заряда, то электирическое поле перехода помогает им преодолеть его. Таким образом, ток коллетора получается лишь немного меньше тока эмиттера. А теперь следите за руками. Если увеличить ток базы, то переход ЭБ откроется сильнее, и между эмиттером и коллектором сможет проскочить больше электронов. А поскольку ток коллектора изначально больше тока базы, то это изменение будет весьма и весьма заметно. Таким образом, произойдет усиление слабого сигнала, поступившего на базу. Еще раз: сильное изменение тока коллектора является пропорциональным отражением слабого изменения тока базы.

Помню, моей одногрупнице принцип работы биполярного транзистора объясняли на примере водопроводного крана. Вода в нем — ток коллектора, а управляющий ток базы — то, насколько мы поворачиваем ручку. Достаточно небольшого усилия (управляющего воздействия), чтобы поток воды из крана увеличился.

Помимо рассмотренных процессов, на p-n переходах транзистора может происходить еще ряд явлений. Например, при сильном увеличении напряжения на переходе база-коллектор может начаться лавинное размножение заряда из-за ударной ионизации. А вкупе с туннельным эффектом это даст сначала электрический, а затем (с возрастанием тока) и тепловой пробой. Однако, тепловой пробой в транзисторе может наступить и без электрического (т.е. без повышения коллекторного напряжения до пробивного). Для этого будет достаточно одного чрезмерного тока через коллектор.

Еще одно явления связано с тем, что при изменении напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах меняется их толщина. И если база черезчур тонкая, то может возникнуть эффект смыкания (так называемый «прокол» базы) — соединение коллекторного перехода с эмиттерным. При этом область базы исчезает, и транзистор перестает нормально работать.

Коллекторный ток транзистора в нормальном активном режиме работы транзистора больше тока базы в определенное число раз. Это число называется коэффициентом усиления по току и является одним из основных параметров транзистора. Обозначается оно h31. Если транзистор включается без нагрузки на коллектор, то при постоянном напряжении коллектор-эмиттер отношение тока коллектора к току базы даст статический коэффициент усиления по току. Он может равняться десяткам или сотням единиц, но стоит учитывать тот факт, что в реальных схемах этот коэффициент меньше из-за того, что при включении нагрузки ток коллектора закономерно уменьшается.

Вторым немаловажным параметром является входное сопротивление транзистора. Согласно закону Ома, оно представляет собой отношение напряжения между базой и эмиттером к управляющему току базы. Чем оно больше, тем меньше ток базы и тем выше коэффициент усиления.

Третий параметр биполярного транзистора — коэффициент усиления по напряжению. Он равен отношению амплитудных или действующих значений выходного (эмиттер-коллектор) и входного (база-эмиттер) переменных напряжений. Поскольку первая величина обычно очень большая (единицы и десятки вольт), а вторая — очень маленькая (десятые доли вольт), то этот коэффициент может достигать десятков тысяч единиц. Стоит отметить, что каждый управляющий сигнал базы имеет свой коэффициент усиления по напряжению.

Также транзисторы имеют частотную характеристику, которая характеризует способность транзистора усиливать сигнал, частота которого приближается к граничной частоте усиления. Дело в том, что с увеличением частоты входного сигнала коэффициент усиления снижается. Это происходит из-за того, что время протекания основных физических процессов (время перемещения носителей от эмиттера к коллектору, заряд и разряд барьерных емкостных переходов) становится соизмеримым с периодом изменения входного сигнала. Т.е. транзистор просто не успевает реагировать на изменения входного сигнала и в какой-то момент просто перестает его усиливать. Частота, на которой это происходит, и называется граничной.

Также параметрами биполярного транзистора являются:

  • обратный ток коллектор-эмиттер
  • время включения
  • обратный ток колектора
  • максимально допустимый ток

Условные обозначения n-p-n и p-n-p транзисторов отличаются только направлением стрелочки, обозначающей эмиттер. Она показывает то, как течет ток в данном транзисторе.

Режимы работы биполярного транзистора


Рассмотренный выше вариант представляет собой нормальный активный режим работы транзистора. Однако, есть еще несколько комбинаций открытости/закрытости p-n переходов, каждая из которых представляет отдельный режим работы транзистора.

  1. Инверсный активный режим. Здесь открыт переход БК, а ЭБ наоборот закрыт. Усилительные свойства в этом режиме, естественно, хуже некуда, поэтому транзисторы в этом режиме используются очень редко.
  2. Режим насыщения. Оба перехода открыты. Соответственно, основные носители заряда коллектора и эмиттера «бегут» в базу, где активно рекомбинируют с ее основными носителями. Из-за возникающей избыточности носителей заряда сопротивление базы и p-n переходов уменьшается. Поэтому цепь, содержащую транзистор в режиме насыщения можно считать короткозамкнутой, а сам этот радиоэлемент представлять в виде эквипотенциальной точки.
  3. Режим отсечки. Оба перехода транзистора закрыты, т.е. ток основных носителей заряда между эмиттером и коллектором прекращается. Потоки неосновных носителей заряда создают только малые и неуправляемые тепловые токи переходов. Из-за бедности базы и переходов носителями зарядов, их сопротивление сильно возрастает. Поэтому часто считают, что транзистор, работающий в режиме отсечки, представляет собой разрыв цепи.
  4. Барьерный режим В этом режиме база напрямую или через малое сопротивление замкнута с коллектором. Также в коллекторную или эмиттерную цепь включают резистор, который задает ток через транзистор. Таким образом получается эквивалент схемы диода с последовательно включенным сопротивлением. Этот режим очень полезный, так как позволяет схеме работать практически на любой частоте, в большом диапазоне температур и нетребователен к параметрам транзисторов.

Схемы включения биполярных транзисторов

Поскольку контактов у транзистора три, то в общем случае питание на него нужно подавать от двух источников, у которых вместе получается четыре вывода. Поэтому на один из контактов транзистора приходится подавать напряжение одинакового знака от обоих источников. И в зависимости от того, что это за контакт, различают три схемы включения биполярных транзисторов: с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ). У каждой из них есть как достоинства, так и недостатки. Выбор между ними делается в зависимости от того, какие параметры для нас важны, а какими можно поступиться.

Схема включения с общим эмиттером


Эта схема дает наибольшее усиление по напряжению и току (а отсюда и по мощности — до десятков тысяч единиц), в связи с чем является наиболее распространенной. Здесь переход эмиттер-база включается прямо, а переход база-коллектор — обратно. А поскольку и на базу, и на коллектор подается напряжение одного знака, то схему можно запитать от одного источника. В этой схеме фаза выходного переменного напряжения меняется относительно фазы входного переменного напряжения на 180 градусов.

Но ко всем плюшкам схема с ОЭ имеет и существенный недостаток. Он заключается в том, что рост частоты и температуры приводит к значительному ухудшению усилительных свойств транзистора. Таким образом, если транзистор должен работать на высоких частотах, то лучше использовать другую схему включения. Например, с общей базой.

Схема включения с общей базой


Эта схема не дает значительного усиления сигнала, зато хороша на высоких частотах, поскольку позволяет более полно использовать частотную характеристику транзистора. Если один и тот же транзистор включить сначала по схеме с общим эмиттером, а потом с общей базой, то во втором случае будет наблюдаться значительное увеличение его граничной частоты усиления. Поскольку при таком подключении входное сопротивление низкое, а выходное — не очень большое, то собранные по схеме с ОБ каскады транзисторов применяют в антенных усилителях, где волновое сопротивление кабелей обычно не превышает 100 Ом.

В схеме с общей базой не происходит инвертирование фазы сигнала, а уровень шумов на высоких частотах снижается. Но, как уже было сказано, коэффициент усиления по току у нее всегда немного меньше единицы. Правда, коэффициент усиления по напряжению здесь такой же, как и в схеме с общим эмиттером. К недостаткам схемы с общей базой можно также отнести необходимость использования двух источников питания.

Схема включения с общим коллектором


Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная связь.

Напомню, что отрицательной называют такую обратную связь, при которой выходной сигнал подается обратно на вход, чем снижает уровень входного сигнала. Таким образом происходит автоматическая корректировка при случайном изменении параметров входного сигнала

Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме с общим эмиттером. А вот коэффициент усиления по напряжению маленький (основной недостаток этой схемы). Он приближается к единице, но всегда меньше ее. Таким образом, коэффициент усиления по мощности получается равным всего нескольким десяткам единиц.

В схеме с общим коллектором фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением отсутствует. Поскольку коэффициент усиления по напряжению близок к единице, выходное напряжение по фазе и амплитуде совпадает со входным, т. е. повторяет его. Именно поэтому такая схема называется эмиттерным повторителем. Эмиттерным — потому, что выходное напряжение снимается с эмиттера относительно общего провода.

Такое включение используют для согласования транзисторных каскадов или когда источник входного сигнала имеет высокое входное сопротивление (например, пьезоэлектрический звукосниматель или конденсаторный микрофон).

Два слова о каскадах


Бывает такое, что нужно увеличить выходную мощность (т.е. увеличить коллекторный ток). В этом случае используют параллельное включение необходимого числа транзисторов.


Естественно, они должны быть примерно одинаковыми по характеристикам. Но необходимо помнить, что максимальный суммарный коллекторный ток не должен превышать 1,6-1,7 от предельного тока коллектора любого из транзисторов каскада.

Тем не менее (спасибо wrewolf за замечание), в случае с биполярными транзисторами так делать не рекомендуется. Потому что два транзистора даже одного типономинала хоть немного, но отличаются друг от друга. Соответственно, при параллельном включении через них будут течь токи разной величины. Для выравнивания этих токов в эмиттерные цепи транзисторов ставят балансные резисторы. Величину их сопротивления рассчитывают так, чтобы падение напряжения на них в интервале рабочих токов было не менее 0,7 В. Понятно, что это приводит к значительному ухудшению КПД схемы.

Может также возникнуть необходимость в транзисторе с хорошей чувствительностью и при этом с хорошим коэффициентом усиления. В таких случаях используют каскад из чувствительного, но маломощного транзистора (на рисунке — VT1), который управляет энергией питания более мощного собрата (на рисунке — VT2).

Другие области применения биполярных транзисторов


Транзисторы можно применять не только схемах усиления сигнала. Например, благодаря тому, что они могут работать в режимах насыщения и отсечки, их используют в качестве электронных ключей. Также возможно использование транзисторов в схемах генераторов сигнала. Если они работают в ключевом режиме, то будет генерироваться прямоугольный сигнал, а если в режиме усиления — то сигнал произвольной формы, зависящий от управляющего воздействия.

Маркировка


Поскольку статья уже разрослась до неприлично большого объема, то в этом пункте я просто дам две хорошие ссылки, по которым подробно расписаны основные системы маркировки полупроводниковых приборов (в том числе и транзисторов): http://kazus.ru/guide/transistors/mark_all.html и файл .xls (35 кб) .

Список источников:
http://ru.wikipedia.org
http://www.physics.ru
http://radiocon-net. narod.ru
http://radio.cybernet.name
http://dvo.sut.ru

Полезные комментарии:
http://habrahabr.ru/blogs/easyelectronics/133136/#comment_4419173

Как правильно определить 3 вывода транзистора: пошаговые методы тестирования транзистора

Структура биполярного транзистора (BJT)

Что такое транзистор?

Определение транзисторов : Это полупроводниковое устройство с тремя выводами: коллектор, эмиттер и база, а транзисторы в основном используются для усиления и переключения электронных сигналов.

Кто изобрел транзистор?

Транзисторы, изобретенные Джоном Бардином, Уильямом Шокли и Уолтером Браттейном. Сначала они изобрели точечный транзистор в 1947, а затем в 1948 году они изобрели транзистор с биполярным переходом.

Фактическая конструкция и вид изнутри биполярного транзистора (BJT)

Фактическая конструкция и вид изнутри биполярного транзистора (BJT)

Сравнение объема и плотности легирования биполярных транзисторов (BJT)

Основа BJT имеет самый тонкий слой с небольшим объемом, затем эмиттер имеет средний объем, в то время как коллектор занимает самый большой объем в транзисторе с биполярным переходом.

Плотность легирования транзистора изменяется в зависимости от того, коллектор имеет самую легкую плотность легирования, затем база имеет среднюю плотность легирования, а эмиттер биполярного транзистора имеет высокую плотность легирования

Биполярные транзисторы (BJT)

Есть два основных типа, когда мы рассматриваем типы транзисторов.

  1. Транзисторы NPN : Два полупроводниковых слоя N-типа разделены одним слоем P-типа.
  2. Транзисторы PNP : Два полупроводниковых слоя P-типа разделены одним слоем N-типа.

Структура NPN-транзистора и PNP-транзистора

10 самых опасных мест в мире, которых следует избегать — путешествия

10 самых опасных мест в мире …

Пожалуйста, включите JavaScript вместе с острием стрелки. если стрелка указывает на эмиттер, это NPN-транзистор, а если стрелка указывает на базу, это PNP-транзистор.

Транзисторы NPN и PNP

В транзисторах NPN направление тока от коллектора к эмиттеру, а в транзисторах PNP направление тока от эмиттера к коллектору.

Транзисторы NPN включаются, когда электроны входят в базовую клемму, в то время как транзисторы PNP включаются, когда дырки входят в базовую клемму.

В NPN-транзисторах основными носителями заряда являются электроны, а в PNP-транзисторах основными носителями заряда являются дырки.

Транзисторы NPN являются наиболее широко используемыми типами транзисторов в промышленности.

Имеется 3 вывода транзистора

  • C – вывод коллектора
  • B – вывод базы
  • E – вывод эмиттера

Идентификация 3 выводов транзистора является важной частью при использовании транзисторов в схемах. .

Транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, в основном из кремния, а некоторые изготавливаются из германия и других полупроводниковых материалов.

Транзисторы меньшего размера и для работы потребляют меньше энергии по сравнению с электронными лампами, которые использовались на ранних стадиях.

Структура биполярного переходного транзистора (BJT)

При рассмотрении внешнего вида транзисторы имеют пластиковое покрытие, одна сторона транзистора представляет собой плоскую поверхность, а другая сторона изогнута.

Как определить 3 контакта транзистора по его символу

3 контакта символа транзистора можно легко определить, посмотрев в направлении, куда указывает стрелка. Если стрелка указывает на эмиттер, это NPN-транзистор. Если стрелка указывает на базу, это PNP-транзистор.

Как определить 3 контакта транзистора по его внешнему виду

Идентификация 3 контактов транзистора NPN

В большинстве случаев, рассматривая транзисторы NPN, когда мы держим плоскую сторону транзистора лицевой стороной к себе. Выводы слева направо — коллектор, база и эмиттер соответственно. В большинстве PNP-транзисторов все наоборот. Итак, слева направо будут эмиттер, база и коллектор.

Идентификация 3 контактов транзистора PNP

Как идентифицировать 3 вывода транзистора с помощью мультиметра

Идентификация типа транзистора: NPN-транзистор или PNP-транзистор

При анализе выводов транзистора средний вывод BJT-транзистора всегда является базой и, сохраняя положительный (Красный) щуп на среднем выводе и отрицательный (черный) щуп на двух других выводах транзистора, мы можем определить тип транзистора.

  1. Установите мультиметр в режим диода.
  2. Затем поднесите положительный (красный) щуп мультиметра к среднему выводу транзистора, а затем поднесите отрицательный (черный) щуп к одному из других выводов транзистора с обеих сторон.
  • Если на экране мультиметра отображаются показания – это NPN-транзистор
  • Если на экране мультиметра нет показаний – это PNP-транзистор

В диодном режиме мультиметр показывает значение напряжения в p-n-переход, где положительный щуп находится на аноде (p), а черный щуп — на катоде (n)

Идентификация 3-х выводов NPN-транзистора с помощью мультиметра
  1. Установите мультиметр в режим диода
  2. Затем поднесите положительный (красный) щуп мультиметра к СРЕДНЕМУ выводу транзистора
  3. Затем поднесите отрицательный (черный) щуп к ЛЕВОМУ выводу и снимите показания с мультиметра.
  4. Затем снимите показания мультиметра, удерживая черный щуп на ПРАВОМ контакте транзистора.

Идентификация 3 контактов NPN-транзистора с помощью мультиметра

При сравнении двух показаний p-n-переход, где получено более высокое значение, является переходом база-эмиттер. А p-n переход, где получено меньшее значение, является переходом коллектор-база.

Таким же образом описанный выше тест можно применить для идентификации контактов PNP-транзистора.

Идентификация 3 контактов транзистора PNP с помощью мультиметра
  1. Установите мультиметр в режим диода.
  2. Затем поднесите положительный (красный) щуп мультиметра к ЛЕВОМУ выводу транзистора
  3. Затем поднесите отрицательный (черный) щуп к СРЕДНЕМУ выводу и снимите показания с мультиметра.
  4. Затем снимите показания мультиметра, удерживая положительный (красный) щуп на правом выводе транзистора.

При сравнении двух показаний p-n переход, где получено более высокое значение, является переходом база-эмиттер. А p-n переход, где получено меньшее значение, является переходом коллектор-база.

Режимы работы биполярного транзистора

Существует 3 основных режима работы биполярного транзистора

  1. Режим отсечки
  2. Активный или линейный режим
  3. Режим насыщения

переход база-коллектор и переход коллектор-база смещены в обратном направлении.

В активном или линейном режиме переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении.

В режиме насыщения и переход эмиттер-база, и переход коллектор-база смещены в прямом направлении.

(BJT) Биполярные транзисторы в качестве усилителей

Усилителю требуется 2 клеммы для подключения входного сигнала и 2 клеммы для подключения нагрузки.

Таким образом, всего требуется 4 контакта, а NPN- и PNP-транзисторы имеют только 3 контакта. Поэтому он должен сделать одну клемму общей как для входа, так и для выхода транзистора.

Таким образом, имеется 3 общих шины биполярного транзистора (BJT)

  • Общий эмиттер (CE)
  • Общая база (CB)
  • Общий коллектор (CC)

Когда транзисторы действуют как усилитель, эмиттер -базовый переход остается смещенным в прямом направлении за счет подачи постоянного напряжения смещения.

Ток эмиттера возникает из-за того, что входной сигнал малого напряжения вносит свой вклад в ток коллектора, а ток коллектора проходит через нагрузочный резистор, что приводит к большому падению напряжения.

Небольшое входное напряжение превращается в большое выходное напряжение, используя концепцию транзисторов в качестве усилителей.

(BJT) биполярные переходные транзисторы в качестве переключателя

Работа транзисторного переключателя в основном основана на области, где транзистор работает на кривой ВАХ. Области, в которых может работать транзистор, — это активная область, область насыщения и область отсечки. Если транзистор работает в области насыщения, он действует как полностью открытое состояние, в то время как транзистор работает в области отсечки, он действует как полностью закрытое состояние. Кроме того, транзисторы действуют как усилитель, если он работает в активной области.


ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ о Transistor Radio?

Транзисторный радиоприемник представляет собой портативный радиоприемник небольшого размера, в котором в основном используется транзисторная схема. Regency TR-1 — первый транзисторный радиоприемник, выпущенный в 1954 году, а затем на рынок вышла Sony TR-63. Затем со временем использование транзисторного радиоприемника прекратилось с появлением бумбокса и плеера Sony, а позже и цифровых устройств, таких как mp3-плееры и мобильные телефоны.


ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ Как найти анод и катод диода? ПРОЧИТАЙТЕ ЗДЕСЬ

31 самая мощная фотография, которая когда-либо была сделана — История и образ жизни

Пожалуйста, включите JavaScript

Рекомендации по похожим видео

сообщите об этом объявлении

В чем разница между транзисторами PNP и NPN?

Обновлено 26.10.2022

Транзистор, пожалуй, самое важное изобретение в электронной технике и основа практически всех интегральных схем (ИС). Транзистор представляет собой электронное устройство с тремя выводами, которое можно использовать для управления потоком электрического тока, и он был первым электронным устройством, которое могло усиливать или переключать электрический ток. Это простое устройство можно использовать для создания сложных электронных схем, и, хотя существуют и другие типы транзисторов, транзисторы с биполярным переходом по-прежнему широко используются в цифровых схемах.

Оба используются в различных схемах усиления и модуляции; наиболее частым среди его применений является полное включение и выключение, что называется режимом переключения. Легко запомнить, что NPN означает «отрицательный-положительный-отрицательный», а PNP означает «положительный-отрицательный-положительный». Давайте подробнее рассмотрим, как работают транзисторы NPN и PNP.

Существует два основных типа транзисторов: транзисторы с биполярным переходом (BJT) и полевые транзисторы (FET). BJT изготовлены из легированных материалов и могут быть сконфигурированы как NPN и PNP. Транзистор представляет собой активное устройство с тремя выводами, и эти три вывода известны как эмиттер (E), база (B) и коллектор (C) 9.0020 (рис. 1) . База отвечает за управление транзистором, в то время как коллектор является положительным выводом, а эмиттер — отрицательным выводом.

Физика полупроводников БЯТ здесь обсуждаться не будет, но стоит упомянуть, что БЯТ изготавливается с тремя отдельно легированными областями с двумя переходами. PNP-транзистор имеет одну N-область между двумя P-областями (фиг. 2) , тогда как NPN-транзистор имеет одну P-область между двумя N-областями (фиг. 3) .

Соединения между областями N и P аналогичны соединениям в диодах, и они также могут быть смещены в прямом или обратном направлении. BJT могут работать в разных режимах в зависимости от смещения перехода:

  • Зона отсечки: BJT работает в этой зоне при операциях переключения. В отсечке транзистор неактивен.
  • Активная область: BJT работает в этой зоне для цепей усилителя, поскольку транзистор может действовать как достаточно линейный усилитель.
  • Область насыщения: BJT работает в этой зоне при операциях переключения. Транзистор выглядит как короткое замыкание между выводами коллектора и эмиттера.
  • Реверс Активная область: Как и в активном режиме, ток пропорционален базовому току, но течет в обратном направлении. Этот режим используется редко.

В транзисторе NPN положительное напряжение подается на клемму коллектора для создания тока, протекающего от коллектора к эмиттеру. В транзисторе PNP положительное напряжение подается на эмиттерную клемму для создания тока, протекающего от эмиттера к коллектору. В транзисторе NPN ток течет от коллектора (C) к эмиттеру (E) (рис. 4) .

Однако в транзисторе PNP ток течет от эмиттера к коллектору (рис. 5) .

Here is a list of some classic general-purpose BJTs (Fig. 6) :

  • NPN — 2N2222
  • NPN — 2N3904
  • NPN — TIP120
  • PNP — 2N2907
  • PNP — 2N3906

Основной принцип любого биполярного транзистора заключается в управлении током третьей клеммы напряжением между двумя другими клеммами. Принцип работы НПН и ПНП абсолютно одинаков. Разница только в их смещении и полярности питания для каждого типа.

Будущее транзисторов PNP и NPN неясно.