Как проверить полевой транзистор с помощью тестера: Страница не найдена

Как проверить полевой транзистор тестером

Оглавление: Как проверить полевой транзистор мультиметром? Отличительной конструктивной особенностью полевых транзисторов является изолированный затвор вывод, аналогичный базе у биполярных транзисторов , также у MOSFET имеются выводы сток и исток, аналоги коллектора и эмиттера у биполярных. Существует и ещё более современный тип IGBT, в русской транскрипции БТИЗ биполярный транзистор с изолированным затвором , гибридный тип, где МОП МДП транзистор с переходом n-типа управляет базой биполярного, и это позволяет использовать преимущества обоих типов : быстродействие, почти как у полевых, и большой электрический ток через биполярный при очень малом падении напряжения на нём при открытом затворе, при очень большом напряжении пробоя и большом входном сопротивлении. Полевики находят широкое применение в современной жизни, а если говорить о чисто бытовом уровне, то это всевозможные блоки питания и регуляторы напряжения от компьютерного железа и всевозможных электронных гаджетов до других, более простых, бытовых приборов — стиральных , посудомоечных машин , миксеров, кофемолок, пылесосов, различных осветителей и другого вспомогательного оборудования.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Как проверить мосфет (полевик)
• Краткий курс: как проверить полевой транзистор мультиметром на исправность
• Можно ли проверять полевой транзистор мультиметром?
• Как проверить полевой транзистор
• Как проверить транзистор мультиметром без выпайки
• Как проверить полевой транзистор?
• Проверка полевого транзистора с помощью мультиметра
• Как проверить полевой транзистор мультиметром. Часть 1. Транзистор с управляющим p-n переходом.
• Как проверить транзистор мультиметром – сколько деталей, столько и способов
• Как проверить полевой МОП (Mosfet) — транзистор цифровым мультиметром. К3878 чем заменить

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как проверить полевой транзистор с помощью тестера.

Как проверить мосфет (полевик)

Для проверки полевого транзистора понадобятся мультиметр и источник питания вольт. Проверяться будет полевой транзистор n-типа IRF Расположение выводов и иные параметры на IRF можно посмотреть в datasheet. Мультиметр включается в режим проверки полупроводников. Пинцетом или перемычкой замкните кратковременно исток и затвор транзистора. Потенциалы затвора и истока уравняются, транзистор будет гарантированно закрыт. Присоедините красный щуп мультиметра к истоку, черный к стоку.

Если транзистор исправен, мультиметр покажет падение напряжения на паразитном диоде этот диод образуется при изготовлении транзистора. Присоедините красный щуп мультиметра к стоку, черный к истоку. Если транзистор исправен, мультиметр покажет отсутствие замыкания и утечки.

Соедините минус источника питания вольт с истоком транзистора, на секунду присоедините плюс источника питания к затвору транзистора, при этом исправный транзистор откроется. Далее присоедините красный щуп мультиметра к истоку, черный к стоку.

Если транзистор исправен, мультиметр покажет короткое замыкание. Для проверки полевых транзисторов n-типа можно собрать несложную схему. При нажатии кнопки лампочка загорается, при отпускании тухнет.

Краткий курс: как проверить полевой транзистор мультиметром на исправность

Для диагностики полевых транзисторов N-канального вида ставим мультиметр на проверку диодов обычно он пищит на этом положении , черный щуп слева на подложку D — сток , красный на дальний от себя вывод справа S — исток , тестер показывает Ома — полевой транзистор закрыт Рис. Далее, не снимая черного щупа, касаемся Рис. Если сейчас черным щупом коснуться нижней G — затвор ножки, не отпуская красного щупа Рис. В чем мы можем убедится, опять проверив. Кстати есть еще одна тонкость — если мы откроем транзистор и измерим сопротивление сток-исток, но только не сразу, а через некоторое время, то тестер будет показывать сопротивление отличное от нуля.

Рассмотрены особенности работы полевых транзисторов типа MOSFET. Приведена методика как проверить полевой транзистор р- и n-канального.

Можно ли проверять полевой транзистор мультиметром?

Продолжаем рубрику проверки электрорадиоэлементов, и сегодня я представляю первую статью по проверке полевых транзисторов тестером или как сейчас принято говорить — мультиметром. Из этого рисунку видно, что полевые транзисторы подразделяются на транзисторы с управляющим p-n переходом и полевые транзисторы с изолированным затвором. Сегодня я вам расскажу, как проверить полевой транзистор с управляющим p-n переходом, а в следующем выпуске журнал перейдем к проверке MOSFET транзистора, так что не забываем подписываться на журнал. Форма подписки после статьи. Полевые транзисторы бывают n-канальные и p-канальные. В виду того, что широкое распространение получили n-канальные полевые транзисторы, на их примере и рассмотрим принцип работы полевого транзисторы с управляющим p-n переходом. Итак, транзистор состоит из n-полупроводника с внедренными в него высоколегированными n-областями с большой концентрацией носителей заряда — электронов. Сам полупроводник находится на подложке p-типа, которая соединена с еще одной p-областью. Вместе эти области называются затвором gate.

Как проверить полевой транзистор

Солнечный город — Обустройство, ремонт, полезные советы для дома и квартир. В блоках питания или источниках бесперебойного напряжения полевые транзисторы часто выходят из строя. Проверка полевого транзистора важный, а в некоторых случаях один из первых шагов при ремонте подобной техники. Описанная схема предназначена для n —канального полевика, p — канальный проверяется аналогично, только необходимо изменить полярность щупов. Для проверки полевого транзистора, также можно использовать небольшие схемы, к которым подключается полевик.

Меры предосторожности при работе с полевыми транзисторами. Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно соблюдать правила безопасности.

Как проверить транзистор мультиметром без выпайки

Солнечный город — Обустройство, ремонт, полезные советы для дома и квартир. В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором. В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными. Транзистор n-канального типа состоит из кремниевой подложки с p-проводимостью, n-областей, получаемых путем добавления в подложку примесей, диэлектрика, изолирующего затвор от канала, расположенного между n-областями.

Как проверить полевой транзистор?

Добрый день! Как проверить полевой транзистор стрелочным мультиметром. Везде где встречал методы проверки используется цифровой мультиметр в режиме прозвонки диодов. У меня мультиметр стрелочный. Мы принимаем формат Sprint-Layout 6! Экспорт в Gerber из Sprint-Layout 6.

Полевой транзистор проверка мультиметром – Как проверить n канальный мосфет. Пособие для начинающего радиолюбителя: как проверить полевой .

Проверка полевого транзистора с помощью мультиметра

Перед началом ремонта электронного прибора или сборки схемы стоит убедиться в исправном состоянии всех элементов, которые будут устанавливаться. Если используются новые детали, необходимо убедиться в их работоспособности. Транзистор является одним из главных составляющих элементов многих электросхем, поэтому его следует прозвонить в первую очередь. Как проверить мультиметром транзистор подробно расскажет данная статья.

Как проверить полевой транзистор мультиметром.

Часть 1. Транзистор с управляющим p-n переходом.

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Два способа проверки полевого транзистора.

Для того, чтобы проверить полевой транзистор с управляющим P-N переходом, достаточно вспомнить его внутреннее строение. Теперь давайте вспомним, какой радиоэлемент у нас состоит из P-N перехода? Все верно, это диод. Получается что Затвор и Исток образуют один диод, а Затвор и Сток — другой диод.

В радиоэлектронике и технике активно применяются полевые транзисторы. Их отличие от биполярных моделей заключается в том, что управление выходным сигналом осуществляется через электрическое поле.

Как проверить транзистор мультиметром – сколько деталей, столько и способов

Управление мощной нагрузкой постоянного тока с помощью полевого транзистора. Определение начал и концов обмоток электродвигателя методом Петрова. Меры предосторожности при работе с полевыми транзисторами. Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно соблюдать правила безопасности. Полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление.

Как проверить полевой МОП (Mosfet) — транзистор цифровым мультиметром. К3878 чем заменить

В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором.

Проверка полевого транзистора с помощью мультиметра

1. Радиоэлектроника
2. Схемотехника
3. Основы электроники и схемотехники
4. Том 3 – Полупроводниковые приборы

1. Книги / руководства / серии статей
2. Основы электроники и схемотехники. Том 3. Полупроводниковые приборы

Добавлено 10 апреля 2018 в 13:11

Тестирование полевого транзистора (JFET) с помощью мультиметра может показаться относительно простой задачей, поскольку может показаться, что в нем для проверки есть только один PN переход: измеряется либо между затвором и истоком, либо между затвором и стоком.

Оба мультиметра показывают непроводимость (высокое сопротивление) перехода затвор-каналОба мультиметра показывают проводимость (низкое сопротивление) перехода затвор-канал

Тем не менее, еще одна задача – это тестирование целостности канала сток-исток. Помните, как упоминалось в последнем разделе, как заряд, сохраненный емкостью PN перехода затвор-канал, может удерживать полевой транзистор в закрытом состоянии без прикладывания внешнего напряжения? Это может произойти, даже когда вы держите полевой транзистор в руке, чтобы проверить его! Следовательно, любые показания мультиметра при проверке целостности этого канала будут непредсказуемыми, так как вы точно не знаете, сохранен ли на переходе затвор-канал заряд. Конечно, если вы заранее знаете, какие выводы на устройстве являются затвором, истоком и стоком, вы можете подклюить перемычку между затвором и истоком, чтобы устранить любой сохраненный заряд, а затем без проблем приступить к проверке целостности канала исток-сток. Однако, если вы не знаете, где какой вывод, непредсказуемость соединения исток-сток может запутать вас при определении назначения выводов.

Хорошей стратегией, которой следует придерживаться при тестировании полевого транзистора, является вставка выводов транзистора непосредственно перед тестированием в антистатический пенопласт (материал, используемый для доставки и хранения чувствительных электронных компонентов). Проводимость пенопласта будет обеспечивать резистивное соединение между всеми выводами транзистора, когда они будут вставлены в него. Это соединение гарантирует, что всё остаточное напряжение на PN переходе затвор-канал будет нейтрализовано, таким образом, «открывая» канал для точной проверки мультиметром целостность соединения исток-сток.

Поскольку канал полевого транзистора представляет собой единый, непрерывный полупроводниковый материал, обычно нет разницы между выводами истока и стока. Проверка сопротивления от истока к стоку должна давать то же значение, что и проверка от стока к истоку. Это сопротивление должно быть относительно низким (максимум несколько сотен ом) при напряжении на PN переходе затвор-исток, равном нулю. При прикладывании напряжения обратного смещения между затвором и истоком закрытие канала должно быть видно по значению увеличившегося сопротивления на мультиметре.

Оригинал статьи:

• Meter Check of a Transistor (JFET)

PN переходМультиметрОбучениеПолевой транзисторЭлектроника

Назад

Оглавление

Вперед

На сайте работает сервис комментирования DISQUS, который позволяет вам оставлять
комментарии на множестве сайтов, имея лишь один аккаунт на Disqus. com.

В случае комментирования в качестве гостя (без регистрации на disqus.com) для публикации
комментария требуется время на премодерацию.

Тестовая схема Idss для JFET и D-MOSFET. С Учебником.

I DSS Тестер и учебник

Цепи, измеряющие I DSS Это еще не все! Что? Ваш производитель запчастей предоставляет неполный я Диапазон DSS для вашего полевого транзистора? Затем он говорит вам идти рыбы! Что делать парню? Вам нужны рыболовные снасти. Домашнее пиво I Счетчик DSS . Измерьте ваши полевые транзисторы, вместо того, чтобы зависеть от неполные техпаспорта. Звучит неплохо? Ниже приведены схемы счетчиков. что катушка в данных. ♦ ОСТОРОЖНО. Никаких улучшающих устройств. Эти цепи измеряют параметры для JFETS или истощения MOSFET. Но схемы не будут измеряйте улучшение МОП-транзисторов. Если вы подключите MOSFET, он не включится. Ты можешь ошибочно считать, что он мертв. (Примеры: Нет 2N7000s! Нет BS170s! ) О счетчиках Используйте свой DVM для амперметра I D и V P (напряжение отсечки) вольтметр. I DSS показания могут варьироваться от нескольких миллиампер до примерно 100 мА. Напряжение питания то, что вы используете , должно превышать значение полевого транзистора V P . Ваши измерения применимы к устройству, которое вы используете, не модель производителя. Полевые транзисторы одного типа сильно различаются. (Иногда природа вторгается в науку. пример.) По этой причине ваши измерения наверное не будет соответствуют значениям в паспорте производителя. Не бойся. Разные значения не указывают на дефект . Аккумулятор. I DSS -уровень стока текущих предметов аккумулятор до максимального тока, потребляемого устройством. Чтобы сохранить батарея, сокращайте периоды измерений. Чтобы измерить устройства P-канала, поменяйте местами соединения аккумулятора. Простой счетчик Сборка в минутах. Тест за считанные секунды! Простой I DSS счетчик (рисунок 1) позволяет считать I DSS . В зависимости от FET, который вы измеряете, я DSS может работать от нескольких миллиампер до 100 миллиампер. (Очень немногие полевые транзисторы имеют I DSS ниже 1 мА. Пример: PN4117. ) В этой схеме можно использовать ручной мультиметр. для измерения тока I DSS . Найти V GS (офф) , Мальвино предоставляет эту удобную формулу (1.) … Рис. 1. Простой I DSS счетчик V GS (выкл.) = 2(I DSS )/G M0 , , где G M0 крутизна при I DSS Зачем мне знать V GS (выкл.) ? Напряжение отсечки В P имеет ту же величину (но с противоположным знаком) , что и V GS (off) . Все самое важное I ДСС происходит при напряжении отсечки V P . Напряжение В P также определяет границы напряжения вашей конструкции усилителя (наибольший и наименьший ток, полевой транзистор поддерживает). Использование простого счетчика. В таблице ниже представлены результаты некоторых тестов автор. На макетной плате без пайки простая измерительная схема собралась быстро. Тестируемое устройство 2N3819 представляло собой американский полевой транзистор Fairchild JFET производства Mouser (новый-старый запас). Устройство 2N5457 представляло собой китайский JFET Fairchild от eBay. Показания были низкими, возможно потому что напряжение питания было 9вольт, вместо заявленных производителем 15 вольт. Чтобы проверить эту гипотезу, были необходимы дополнительные тесты. Повторный тест несколько дней позже произвел те же значения I DSS при 9 В постоянного тока. При напряжении питания 15 В постоянного тока I DSS токи остались теми же , что и при питании 9 В постоянного тока. Параллельный I DSS значения смягчил прежний цинизм автора о даташитах. Кривые стока в техпаспорте предписывают, что I ДСС значения будут одинаковыми при 9 или 15 вольтах. Испытательные устройства регулировали ток как им следует. Измеренные значения I DSS также остались в пределах спецификации. Тип полевого транзистора Мощность Вольт I DSS (мА) Дата испытания Тип тестера 2Н3819 9 10,96 8-11-2020 Простой 2Н5457 9 2,56 8-11-2020 Простой 2Н3819 9 11 20. 08.2020 Простой 2Н5457 9 3 20.08.2020 Простой 2Н3819 15 12 20.08.2020 Простой 2Н5457 15 3 20.08.2020 Простой • ПРИМЕЧАНИЯ И ВЫВОДЫ В тестах 8-11-2020 автор использовал цифровой измеритель. В повторных тестах 20.08.2020 автор использовал аналоговый счетчик. Тесты 8-20, 9В согласуются с результатами тестов 8-11-2020. Тесты 8-20, 15В опровергают гипотезу о том, что более низкое напряжение DD это отвечает за показания I DSS ниже максимальной спецификации на таблицы данных. (2N3819: 20 мА макс. 2N5457: 5 мА макс.) Шикарный счетчик Кадиллак для техников. Шикарный счетчик I DSS появляется на Рисунок 2. Вы можете использовать напряжение питания (B2) по вашему выбору. Питание 20 вольт является типичным примером. (Аккумуляторы постоянного тока тоже подойдут. Конкретный полевой транзистор также может требуется батарея большего размера B1. Например, Хейс и Горовиц используют -15В. (2.) ) Рис. 2. Счетчик Swanky I DSS (4.) Для измерения V GS (выкл.) , отрегулируйте потенциометр 10K. При некотором значении сопротивления полевой транзистор отключится. Когда это произойдет, I D упадет до нуля. (Напряжение стока В ДС будет также подняться до напряжения питания. (3.) ) Теперь измерьте V GS (выкл.) между воротами и землей. Этот Схема также позволяет построить кривую G M (крутизна) для ФЭТ. (Пример этой кривой показан на рис. 5.) ♦ ВНИМАНИЕ: РИСУНОК 2. Никогда не подключайте батарею затвора B1 наоборот! Эта батарея должен обеспечивать отрицательное напряжение на затворе от нуля до . Напряжение никогда не должно подниматься выше нуля вольт. В противном случае соединение ворот может расплавиться, разрушив JFET. Подробная инструкция для шикарного счетчика Прикрепите DVM в соответствии со схемой. (Подключите счетчик «+» к В ДД . Подсоедините провод счетчика «-» к сливной клемме полевой транзистор) Отрегулируйте потенциометр VR1 так, чтобы он замыкал затвор полевого транзистора на исток. Текущий через тестовый полевой транзистор я доберусь до DSS . Нажмите КНОПКУ ПРОВЕРКИ S1. Ток будет проходить через ваш DVM. При нажатии кнопки прочитать I DSS на DVM. Для большинства малосигнальные полевые транзисторы, показания будут в миллиамперах. (Некоторые полевые транзисторы работают в субмиллиамперной области.) После получения показания отпустите кнопку S1. Для чтения V GS (выкл.) , подключить второй DVM через ворота и общий. Мы назовем это DVM-2. (См. схему, рис. 2.) Нажмите КНОПКУ ПРОВЕРКИ S1. At I D (ДВМ-1) , нет тока течет через канал FET. Напряжение сток-земля равно V DD (9 вольт). Нажав кнопку , прочитать V GS на DVM-2. Чтение будет в вольтах. Величина этого показания равна отсечке напряжение В Р . (Пожалуйста, игнорируйте знак . V P и V GS (off) используйте противоположные знаки.) После получения показания отпустите кнопку S1. Подробнее о V P и I DSS Что такое V P ? V P или, точнее, V P0 , это напряжение отсечки на I ДСС . При V P0 сток насыщается током. (5.) В P0 есть эквивалентно -1[V GS (выкл.) ]. (6.) См. рисунок (справа). Что такое I DSS ? Глядя на рисунок 3, давайте начнем с исходной точки, внизу слева. Двигаясь вправо по оси Y, мы определяем V P , напряжение отсечки. Здесь мы прибываем на вертикальной линии. Теперь мы следуем по линии вверх к кривой стока I ДСС . Здесь мы видим, что V P указывает на колено кривой. В этот момент, ток через полевой транзистор выравнивается. Мы достигли текущего насыщения или Я ДСС ! Рис. 3. I DSS возникает при напряжении отсечки V P . (7.) Под «насыщением» мы подразумеваем , что полевой транзистор проходит максимальное ток, с которым он может безопасно работать. Если двигаться вправо от V P , кривая плоская. На плоская область, полевой транзистор работает как источник постоянного тока. То есть напряжение стока имеет практически не влияет на ток стока. (Напряжение пробоя устройства указано правее. При пробое ток возрастает экспоненциально. Срок действия устройства, вероятно, истек.) (8.) Проектирование с помощью кривых стока Плоская секция. В даташите устройства больше стока (I D ) кривые ниже кривой I DSS . Каждая кривая стока имеет режим насыщения и напряжение отсечки. Нам нужно, чтобы полевой транзистор работал на плоскости, или «насыщении». режим» участка кривой. Выберите кривую слива. В проектных работах мы можем использовать наш FET на любой кривой стока . На рис. 4 справа, верхняя кривая стока — I DSS . Параллельно и ниже I DSS четыре горизонтальные кривые. Каждая кривая дает разный ток стока I D . Мы идентифицируйте эти кривые по отрицательному напряжению смещения затвора В GS , которое производит их… • -1В • -2В • -3В • -4В, В GS (выкл.) Полученный R S из G M Резистор истока R S смещение позволяет выбрать кривую стока. р S смещение уменьшает I D . Хорошее начальное значение для R S составляет (1/Г М ). Это утверждение предполагает, что мы используем значение G M (крутизна) в I DSS . (Технические описания иногда ссылаются на G M как G FS или Y FS ). G M как диапазон значений в I DSS . Но мы должны выбрать только одно значение G M ! Мы можем справиться, выбрав среднее или «типичный» G М значение. (Иногда производитель предоставляет типичное значение.) (10.) Что такое G M ? Есть два типа G M . Динамический G M — изменение напряжения затвора, вызывающее заданное изменение тока стока. Статическая G M Экспресс ток стока на вольт напряжения затвора. Измерение находится в ампер (а точнее миллиампер ). Тем не менее, мы делим отношение (мА/1В) или (мкА/1В), выражая результат в виде десятичной дроби количество. Единицей для этого нового термина обратного сопротивления является Сименс, S (или U). Пример: 3000 мкс или 3 мс. Оба они означают «3 миллиампер на вольт». Рис. 4. Кривые семейства стоков (9.) Рис. 5. G M кривая: R S выбирает кривую слива. (11.) Рис. 6. R S и статический G M Подключение резистора источника. Обратное значение любого статическое значение G M — значение резистора источника. Мальвино прогулки нас с помощью простой формулы R S . (12.) Обязательно игнорируйте V GS знак… R S = (-V GS / I D ) R S примеры. На рис. 5 показаны три примера резисторов источника. В таблице ниже приведены расчеты для определения этих трех номиналов резисторов… В ГС И Д Р С Статическая G M 0,75 В 5 мА • (0,75 В / 5 мА) = 150 Ом 6,7 мс 1,3 В 3 мА • (1,3 В / 3 мА) = 470 Ом 2,1 мс 2В 2 мА • (2 В / 2 мА) = 1000 Ом 1 мс Экскурсия по кривой G M . В Рисунок 5 , обратите внимание, что крутизна (G M ) представляет собой параболу. По мере подъема кривой крутизна увеличивается. По мере снижения кривой крутизна уменьшается. Вот что это означает для значений резистора истока: Большой резистор истока блокируется. высокое обратное смещение на затворе. При этом напряжении на затворе крутизна равна низкий, но расход тока экономный. С этим большим резистором будьте осторожны, чтобы не подход В GS (выкл.) слишком близко, иначе устройство может защелкнуться. Небольшой источник резистор позволяет протекать гораздо большему току стока. крутизна высокая, но разряд батареи и нагрев могут быть чрезмерными. Может понадобиться теплоотвод. Если дизайн подходит I DSS слишком близко, отсечение может снова стать проблема. Учитывайте сток тока вашей схемы. Ток стока влияет рабочая крутизна полевого транзистора. Спецификации производителя обычно указывают показатель крутизны при I ДСС . Вы работаете на более низкой I D чем I DSS ? Затем используйте крутизну (G M ) значение, которое меньше максимального устройства. Пример: Производитель питает свою модель MPF102 от I DSS , 20 мА. Но ваш проект FET в среднем потребляет 2 мА. Спецификация G M диапазон составляет от 2 до 7,5 мс. Вы выбираете 2 мСм, что дает R S 500 Ом: (1 / 0,002)= 500 Ом. Затем вы можете использовать стандартный резистор на 470 Ом или 560 Ом. V P и I DSS Резюме Когда V GS = 0, достигается I DSS : Максимальный ток стока для нормальной работы. (13.) Ваш усилитель на полевых транзисторах должен работать внутри зоны с этими границами. .. • Макс I DSS • Мин I D •Вп • Пробивное напряжение (Минимум I D возникает при V GS (выкл.) .) Рис. 7. Рабочая зона усилителя на полевых транзисторах, в пределах активной области сливные кривые. (14.) Чтобы использовать более низкую кривую I D (сток), увеличьте напряжение смещения истока, В GS . (с N-канальным устройства, сделать V GS больше отрицательный. Для P-канальных устройств больше положительных. ) Чтобы использовать более высокую кривую, уменьшите напряжение смещения источника, В GS . (с N-канальным устройства, марка V GS больше положительных. Для P-канальных устройств больше минус. ) Для N-канального устройства V GS равно отрицательному . Для P-канала устройство, V GS is положительный . Затвор с обратным смещением предотвращает ток затвора. Ток затвора не течет. (15.) В P — напряжение сток-исток. В GS (выкл.) — напряжение затвор-исток. Он имеет ту же величину, что и Vp, но противоположный знак. Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 Далее Сноски 1. Альберт Пол Мальвино, доктор философии. , Транзисторные схемы, 3-е изд. (Нью-Йорк: McGraw-Hill Book Company, 1980), 239. ▶Re: Формула для нахождения V DS (off) . 2. Томас С. Хейс и Пол Горовиц , Искусство электроники. Пособие для студентов, 1-е изд. (Нью-Йорк: издательство Кембриджского университета, 1989), 156. ▶Re: Использование источника питания -15 В для смещения В ГС . Полезно при чтении V ГС (выкл.) . Более широкий диапазон, чем 6-вольтовая схема в Кибетт и Бойсен. (Относится к измерению N-канальных устройств. Для P-канальных устройств требуется Питание смещения +15 В.) 3. Гарри Кибетт и Эрл Бойсен , All New Electronics: Самоучитель, 3-е изд. (Индианаполис, Индиана: Wiley Publishing, Inc., 2008), 142. ▶Re: Когда ток в канале полевого транзистора отсутствует, V D повышается до напряжения питания V DD . 4. Там же. , 138. ▶Re: Схема, схема измерения тока стока затвора при коротком замыкании, I DSS и напряжение отсечки, В Р . 5. Дональд Л. Шиллинг и Чарльз Белов , Электронные схемы: дискретные и интегрированные, 2-е изд. (Нью-Йорк: McGraw-Hill Book Company, 1979), 135. ▶Re: Term V P0 , p. 136. 6. Malvino , 237. ▶Re: V P есть V DS (off) без знака. 7. Там же. , 235. ▶Re: Диаграмма кривой отсечки. 8. Там же. , 235-236. ▶Re: Связь между напряжением отсечки, V P , и током стока затвора, I DSS 9. Там же. , 236. ▶Re: Четыре кривые семейства стоков. 10. Там же. , 239, 242-244. ▶Re: Хорошее начальное значение для R S (1 / G M ), 242-244. •G M = G FS или Y FS , 239. 242 и 244. 11. Там же. , 236. ▶Re: G M или кривые крутизны показывают, как значение R S выбирает кривую слива. 12. Там же. , 236. ▶Re: Формула #2 для значения R S : R S = (-V GS / I D ). 13. Там же. , 236. ▶Re: Когда V GS = 0, достигается максимальный ток стока I DSS . 14. Там же. , 236. ▶Re: Рабочая зона усилителя на полевых транзисторах. Автор нарисовал рабочую зону по набору кривых стока от Мальвино. 15. Schilling & Belove , 135. ▶Re: Затвор с обратным смещением предотвращает ток затвора.

Содержимое Цепи, измеряющие I DSS О счетчиках Простой счетчик Шикарный счетчик Подробные инструкции для измерительного прибора Swanky Подробнее о V P и I DSS Проектирование с использованием кривых стока Получение R S от G M В P и I DSS Сводка Сноски Цифры Рис. 1. Простой I DSS Счетчик Рис. 2. Swanky I DSS Счетчик Рис. 3. I ДСС Рис. 4. Кривые семейства дренажей Рис. 5. G M Кривая Рис. 6. R S и статический G M Рис. 7. Рабочая зона

Как проверить MOSFET в цепи? Пошаговое руководство!

MOSFET — это аббревиатура от Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. МОП-транзисторы являются наиболее популярным типом транзисторов и используются в широком спектре приложений, таких как усилители, импульсные стабилизаторы, элементы управления двигателем и источники питания. В этой статье я расскажу все, что вам нужно знать о полевых МОП-транзисторах, в том числе о том, как проверить их в цепи!

Итак, если вы не знаете, как проверить MOSFET в цепи, это руководство для вас. Но сначала давайте посмотрим на MOSFET и их типы.

Что такое МОП-транзистор?

Слово MOSFET происходит от полевого транзистора металл-оксид-полупроводник, поскольку название предполагает, что это усовершенствованный транзистор, состоящий из оксида металла и полупроводника. Это может быть как n-канальный, так и p-канальный тип. МОП-транзисторы являются униполярными устройствами, поскольку они состоят только из одного типа носителей заряда, электронов или дырок.

МОП-транзисторы используются в различных приложениях, таких как усилители, переключатели, средства управления двигателем, источники питания, инверторы и многие другие бытовые приборы.

Как работают МОП-транзисторы?

Работа МОП-транзистора основана на движении носителей заряда в полупроводнике. Когда МОП-транзистор включен, электрическое поле, создаваемое выводом затвора, отталкивает носители в полупроводнике. Это создает путь с низким сопротивлением между клеммами истока и стока, позволяющий протекать току.

Когда МОП-транзистор выключен, электрическое поле, создаваемое клеммой затвора, притягивает носители в полупроводнике. Это создает путь с высоким сопротивлением между клеммами истока и стока, предотвращая протекание тока.

Существует два типа МОП-транзисторов: n-канальные и p-канальные.

n-канальные МОП-транзисторы изготовлены из полупроводникового материала с легированием n-типа. Легирование n-типа создает избыток электронов в полупроводнике.

МОП-транзисторы p-channel изготовлены из полупроводникового материала с легированием p-типа. Легирование p-типа создает избыток дырок в полупроводнике.

Теперь, когда мы знаем основы MOSFET, давайте научимся тестировать их в схеме.

Как проверить MOSFET в цепи?

Самый достоверный способ проверить полевой МОП-транзистор — это проверить его с помощью мультиметра. Но иногда, если повреждение велико, полевой МОП-транзистор может вообще не работать, и в этом случае вы можете увидеть ожоги или нагар на МОП-транзисторе. В этом случае вам необходимо заменить MOSFET.

Инструменты, необходимые для проверки MOSFET в цепи

• Цифровой мультиметр (лучший мультиметр для работы с электроникой)
• Некоторые зажимы типа «крокодил»
• Носовые плоскогубцы

Проверка МОП-транзистора с помощью мультиметра (не пропустите ни одного шага)

• Прежде всего, вам необходимо определить контакты МОП-транзистора. Терминал ворот всегда маркируется буквой «G». Клеммы истока и стока обычно маркируются буквами «S» и «D». Лучший способ идентифицировать эти клеммы — просмотреть техническое описание производителя MOSFET .
• Теперь установите мультиметр в режим диода и подключите положительный вывод мультиметра к клемме затвора, а отрицательный вывод — к клемме истока. Затвор к истоку должен иметь нулевое напряжение. В выключенном состоянии напряжения должны быть равны нулю, так как затвор изолирован от стока.
• Теперь выполните ту же процедуру тестирования между клеммами напряжения затвора и стока. Вы должны увидеть ноль вольт в выключенном состоянии между напряжением стока и затвора. Это показывает, что MOSFET исправен.
• Теперь установите мультиметр в режим сопротивления и подключите положительный провод мультиметра к клемме стока, а отрицательный провод к клемме истока. В выключенном состоянии вы должны увидеть высокое сопротивление между этими клеммами.
• Теперь включите полевой МОП-транзистор и прикоснитесь щупом к выводам стока и истока. Вы увидите низкое сопротивление. Это показывает, что MOSFET исправен.
• Прикоснитесь черным щупом к истоку, поднимите красный щуп из стока и на мгновение коснитесь им затвора MOSFET, затем верните его в сток. Измеритель должен показывать непрерывность, иначе вы можете сказать, что здесь короткое замыкание, что означает, что ваш MOSFET исправен. Если непрерывности нет, то ваш MOSFET неисправен.

Это самый простой способ проверки неисправных МОП-транзисторов. Потому что вы можете видеть стоимость каждого терминала отдельно и делать соответствующие выводы. Если вы хотите узнать, как проверить диоды мультиметром, нажмите здесь!

Руководство по безопасности:

Будьте осторожны при проверке полевого МОП-транзистора в цепи, так как существует высокая вероятность повреждения МОП-транзистора или мультиметра, если это не будет сделано должным образом. МОП-транзисторы используются в силовых цепях, поэтому убедитесь, что вы соблюдаете все меры предосторожности при тестировании МОП-транзисторов.

• Если вы видите какие-либо повреждения или выгорание, просто замените его без проверки, так как он уже поврежден.
• Всегда используйте перчатки и защитные очки при работе с МОП-транзисторами.
• Убедитесь, что вы знаете максимальные значения напряжения и тока MOSFET, прежде чем тестировать его в цепи.
• Никогда не пытайтесь проверить MOSFET с помощью мультиметра, если вы не уверены в том, что делаете. Всегда обращайтесь за помощью к опытному человеку.
• Убедитесь, что наконечники щупов мультиметра всегда чистые. Грязный наконечник зонда может повредить МОП-транзистор.

Вывод:

МОП-транзисторы похожи на транзисторы, поэтому процедура тестирования аналогична. Тестирование МОП-транзистора в действующей схеме может быть более рискованным, поэтому убедитесь, что вы соблюдаете все меры предосторожности при тестировании МОП-транзистора. МОП-транзисторы как n-p-n, так и p-n-p-типа можно легко проверить с помощью мультиметра. Если вы видите какие-либо повреждения или ожоги, просто замените его без проверки, так как он уже поврежден. Я надеюсь, что после прочтения этого руководства вы поймете, как полезно тестировать MOSFET в цепи. Оставайтесь в безопасности и продолжайте учиться. Спасибо за чтение!

Часто задаваемые вопросы:

Почему так важно проверять МОП-транзистор?

Тестирование полевого МОП-транзистора — самый достоверный способ проверить, правильно ли он работает. Также важно проверить полевой МОП-транзистор перед его использованием в цепи, так как он может быть поврежден при неправильном использовании. Большинство МОП-транзисторов физически выглядят идеальными, но это не так. Таким образом, тестирование — единственный способ убедиться в его работоспособности.

Каково падение напряжения в режимах «сток-исток» и «затвор-сток»?

Падение напряжения в «затвор-сток» должно быть равно нулю, а падение напряжения в «сток-исток» должно быть высоким, когда цепь находится под напряжением.

Почему диодный режим используется для тестирования MOSFET?

В диодном режиме мультиметр измеряет падение напряжения между двумя клеммами.