Содержание
IRF740 — Мощный MOSFET (полевой МОП) транзистор — DataSheet
Перейти к содержимому
Расположение выводов IRF740
Описание
Третье поколение МОП-транзисторов от компании Vishay дают проектировщику схемы лучшее сочетание быстрого переключения и запаса прочности, низкое сопротивление в открытом состоянии, небольшую стоимость и высокую эффективность. Исполнение в корпусе TO-220AB является оптимальным для применения в схемах промышленных устройств с уровнем рассеиваемой мощности до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и небольшая стоимость сделали его, часто используемым, в схемах различных устройств.
| Параметр | Обозначение | Значение | Ед. изм. | ||
| Напряжение сток-исток | VDS | 400 | В | ||
| Напряжение затвор-исток | VGS | ± 20 | |||
| Ток стока (постоянный) | VGS = 10 В | TC = 25 °C | ID | 10 | А |
| TC = 100 °C | 6.3 | ||||
| Ток стока (импульсный) a | IDM | 40 | |||
| Линейный коэффициент снижения мощности | 1.0 | Вт/°C | |||
| Энергия одиночного лавинного импульса b | EAS | 520 | мДж | ||
| Повторяющийся лавинный ток a | IAR | 10 | А | ||
| Энергия повторяющегося лавинного импульса a | EAR | 13 | мДж | ||
| Максимальная рассеиваемая мощность | TC = 25 °C | PD | 125 | Вт | |
| Импульс на восстанавливающемся диоде dV/dtc | dV/dt | В/нс | |||
| Температура перехода и температура хранения | TJ, Tstg | -55…+150 | °C | ||
| Максимальная температура припоя | в течение 10 с | 300d | |||
| Момент затяжки | болт М3 | 1. 1 | Н·м | ||
- Повторяющиеся значения; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. Рис. 11).
- VDD = 50 В, начальные условия TJ = 25 °C, L = 9.1 мГн, Rg = 25 Ом, IAS = 10 A (см. Рис. 12).
- ISD ≤ 10 A, dI/dt ≤ 120 A/мкс, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.
- На расстоянии 1.6 мм от корпуса.
| Параметр | Обозначение | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
| Максимум кристалл-окружающая среда | RthJA | — | 62 | °C/Вт |
| Корпус-радиатор с плоской смазанной поверхностью | RthCS | 0. 5 | — | |
| Максимум кристалл-корпус (сток) | RthJC | — | 1.0 |
| Параметр | Обозначение | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. | |
| Статические | |||||||
| Напряжение пробоя сток-исток | VDS | VGS = 0 В, ID = 250 мкA | 400 | — | — | В | |
| Температурный коэффициент VDS | ΔVDS/TJ | Относительно 25 °C, ID = 1 мA | — | 0.49 | — | В/°C | |
| Пороговое напряжение затвор-исток | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250 мкA | 2. 0 | — | 4.0 | В | |
| Ток утечки затвор-исток | IGSS | VGS = ± 20 В | — | — | ± 100 | нА | |
| Начальный ток стока | IDSS | VDS = 400 В, VGS = 0 В | — | — | 25 | мкА | |
| VDS = 320 В, VGS = 0 В, TJ = 125 °C | — | — | 250 | мкА | |||
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | RDS(on) | VGS = 10 В | ID = 6.0 Ab | — | — | 0.55 | Ом |
| Крутизна характеристики | gfs | VDS = 50 В, ID = 6.0 Ab | 5.8 | — | — | мА/В | |
| Динамические | |||||||
| Входная емкость | Ciss | VGS = 0 В, VDS = 25 В, f = 1.  0 МГц, см. Рис. 5 | — | 1400 | — | пФ | |
| Выходная емкость | Coss | — | 330 | — | |||
| Емкость обратной связи | Crss | — | 120 | — | |||
| Суммарный заряд затвора | Qg | VGS = 10 В | ID = 10 A, VDS = 320 В, см. Рис 6 и 13b | — | — | 63 | нКл |
| Заряд затвор-исток | Qgs | — | — | 9.0 | |||
| Заряд затвор-сток | Qgd | — | — | 32 | |||
| Время задержки включения | td(on) | VDD = 200 В, ID = 10 A Rg = 9.1 Ом, RD = 20 Ом, см. Рис. 10b | — | 14 | — | нс | |
| Время нарастания | tr | — | 27 | — | |||
| Время задержки выключения | td(off) | — | 50 | — | |||
| Время спада | tf | — | 24 | — | |||
| Внутренняя индуктивность стока | LD | Между точками на расстоянии 6 мм от корпуса и центром вывода | — | 4. 5 | — | нГн | |
| Внутренняя индуктивность истока | LS | — | 7.5 | — | |||
| Характеристики встроенного паразитного диода | |||||||
| Постоянный ток через паразитный диод | IS | Обозначение, показывающее встроенный обратный p-n переход диода | — | — | 10 | А | |
| Импульсный ток через диод в прямом направлении | ISM | — | — | 40 | А | ||
| Напряжение на внутреннем диоде | VSD | TJ = 25 °C, IS = 10 A, VGS = 0 Вb | — | — | 2.0 | В | |
| Время обратного восстановления диода | trr | TJ = 25 °C, IF = 10 A, dI/dt = 100 A/мксb | — | 370 | 790 | нс | |
| Обратное восстановление заряда | Qrr | — | 3. 8 | 8.2 | нКл | ||
| Время открытия в прямом направлении | ton | Внутренние время включения (открытия) незначительно (определяется значением параметров LS и LD) | |||||
- Повторяющиеся значения; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. Рис. 11).
- Ширина импульса ≤ 300 мкс; коэффициент заполнения ≤ 2 %.
Графики типовых характеристик
Рис.1 Типовые выходные характеристики, TC = 25 °C | Рис. 2 Типовые выходные характеристики, TC = 150 °C |
Рис. 3 Типовые передаточные характеристики | Рис. 4 Нормированное сопротивление в открытом состоянии от температуры |
Рис. 5 Емкость от напряжения сток-исток | Рис. 6 Заряд на затворе от напряжения сток-исток |
Рис. | Рис. 8 Максимальная безопасная рабочая область |
Рис. 9 Максимальный ток стока от температуры корпуса | |
7 Прямое напряжение на диоде
Рис. 10а Схема для проверки времени переключения
Рис. 10b Осциллограммы определения времени переключения
Рис. 11 Максимальное эффективное переходное тепловое сопротивление, кристалл-корпус
Рис. 12a Проверка цепи с индуктивностью
Рис. 12b Осциллограммы цепи проверки индуктивности
Рис. 12c Максимальная энергия лавинного импульса от тока стока
Рис 13a График заряда на затворе
Рис. 13b Схема проверки заряда на затворе
Рис. 14 Схема проверки диода
Графики к Рис. 14
Купить IRF740
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
admin Даташиты
ULN2003 — Матрица из мощных транзисторов Дарлингтона
PC817 Оптопара для монтажа высокой плотности
Чем заменить irf740
Альберт, может, сразу модуль на А? Если открыть схему, то можно увидеть, что он даже не совсем в ключевом режиме работает и ток через него идёт небольшой.
Напряжение на затворе выше «плюсее» истокового аж на 10 В, ток — амперы. У Вас и близко нет таких режимов — что в дросселе, что в буфере. Зато ёмкости у 6n80 меньше.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- IRF740 to-220
- Схемы металлоискателей MD4U
- Транзистор IRF740
- Транзистор IRF740. Характеристики, аналог, datasheet.
- MOSFET N-CH 400 В IRF740PBF IRF740 заменить транзисторы
- Можно ли заменять irf740 на irfz44
- Как проверить транзистор IRF740?
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Транзисторы, мосфеты и входные ключи.
Где купить, чем заменить?
IRF740 to-220
Поиск новых сообщений в разделах Все новые сообщения Компьютерный форум Электроника и самоделки Софт и программы Общетематический. Сборка любой схемы — это эксперимент Пожалуй за это любят заниматься электроникой радиолюбители Даже собранное устройство точно по описанию, редко когда запускается сразу и выдаёт нужные характеристики. А если » Просто скажите пожалуйста какой транзистор можно поставить! А я уж там поэкспериментирую!!! Сейчас глянула в свои закрома Ads Яндекс.
КТА подойдёт? Возможно, что какие-то изменения нужно будет провести в схеме, чтобы всё правильно работало Заниматься расчётами и экспериментами, к сожалению, нет времени. И кстати,раз там схема для полевика,то как подключить биполярный? И ещё,в этой схеме катушка не заэкранированна! Так и должно быть?! Просто в остальных схемах металоискателей которые я видел,все катушки были заэкранированны! Объясните пожалуйста почему так!!!!!!! А провод от платы к катушке экранированный? BB коды Вкл.
Смайлы Вкл. Trackbacks are Вкл. Pingbacks are Вкл. Refbacks are Выкл. Forum Rules. Обратная связь — Компьютерный форум по электронике и программированию — Архив — Вверх. Последние записи. Лучшие записи. Поиск по дневникам. Простой металлоискатель. Все разделы прочитаны. Все новые сообщения. Компьютерный форум. Электроника и самоделки. Софт и программы.
Страница 2 из 6. Опции темы. Предлагаю вам почитать темы, которые по содержанию очень схожи с вашей Металлоискатель «Fortuna» Металлоискатель для цветмета Металлоискатель Металлоискатель. Ваши права в разделе. Вы не можете создавать новые темы Вы не можете отвечать в темах Вы не можете прикреплять вложения Вы не можете редактировать свои сообщения BB коды Вкл. HTML код Выкл.
Схемы металлоискателей MD4U
Поиск новых сообщений в разделах Все новые сообщения Компьютерный форум Электроника и самоделки Софт и программы Общетематический. Сборка любой схемы — это эксперимент Пожалуй за это любят заниматься электроникой радиолюбители Даже собранное устройство точно по описанию, редко когда запускается сразу и выдаёт нужные характеристики.
А если «
Аналоги для irf — Аналоги, Поиск аналогов микросхем и транзисторов.
Транзистор IRF740
Как найти битый полевой транзистор. Ремонт материнской платы: горелый транзистор. Транзисторы, мосфеты и входные ключи. Где купить, чем заменить? Ремонт ЭБУ автомобиля. Как заменить транзистор в блоке управления? Как заменить транзистор на видеокарте. Замена сгоревшего транзистора Komp-ZP Ремонт компьютерной техники. BU не нужен.
Транзистор IRF740. Характеристики, аналог, datasheet.
Обусловлено ли это тем, что силовые компоненты этой фирмы первыми попали на российский рынок или какими-то другими обстоятельствами судить не берусь. Тогда после включаемых в параллель через выравнивающий трансформатор биполярных монстров, которые требовали базового тока больше, чем тот, который могли коммутировать, эти приборы казались верхом технического совершенства. Однако, время идет, и на рынке появляются все новые и новые игроки, представляющие свою продукцию и если сегодня сравнивать приборы, выпускаемые International Rectifier, то былого восторга они уже не вызывают.
Почему же тогда транзисторы и другие компоненты этой фирмы продолжают занимать ведущие позиции? Я думаю, сила привычки.
Заказ обычно будет отправлен в течение рабочих дней после наличия на складе.
MOSFET N-CH 400 В IRF740PBF IRF740 заменить транзисторы
Однако имеются полевики и биполярники других моделей. Можно ли как — нибудь заменить сгоревшую деталь? Мы принимаем формат Sprint-Layout 6! Экспорт в Gerber из Sprint-Layout 6. Конденсаторы Panasonic.
Можно ли заменять irf740 на irfz44
Что нового? Если это ваш первый визит, рекомендуем почитать справку по сайту. Для того, чтобы начать писать сообщения, Вам необходимо зарегистрироваться. Для просмотра сообщений регистрация не требуется. Забыли пароль? Страница 2 из 2 1 2 К странице: Показано с 21 по 38 из Тема: [UPD2] Преобразователь Опции темы Версия для печати Отправить по электронной почте… Подписаться на эту тему….
транзистор. Смотреть похожее видео как заменить транзистор. Замена полевых транзисторов IRF [© Игорь Шурар ] · @CreaTech.
Как проверить транзистор IRF740?
Регистрация Забыл пароль. Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса исполнение , поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики.
Normalized On-Resistance Vs. Temperature Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics Fig 3. Запомнить меня Не рекомендуется на общедоступных компьютерах Войти. Забыли пароль?
Так же выпуском этого транзистора занимаются такие компании как: ST, Fairchild, Infineon.
IRF нашел применение в качестве высокочастотных ключей импульсных источников питания: В источниках питания с входным переменным напряжение В для мостовой и полумостовой топологии, конечно если нет вероятности работы при повышенных сетевых напряжениях. В источниках питания рассчитанных на В могут использоваться в прямоходовом и обратноходовом включении. Навозился с ним больше, чем с материнской платой, в основном из-за наводимых помех вызывающих аппаратные сбои.
Любовь к изготовлению ИБП пропала навсегда. А вот металлоискателей, и как раз на КП, сделал под заказы больше десятка. Неистребима в людях жажда кладоискания. Плохо то, что иногда, в виде клада выкапывают старые снаряды, мины и авиабомбы.
Форум Новые сообщения. Что нового Новые сообщения Недавняя активность. Вход Регистрация. Что нового.
N-канальный транзистор MOSFET, 10 A, 400 В, 3-пин-до-220AB Vishay IRF740
Просмотр Все MOSFET
ПРОИЗВОДСТВО
- RS NO.:
- 371-3232
- MFR. Часть №:
- IRF740
- Бренд:
- Vishay
COMPLAIN0029
Legislation and Compliance
leafNon Compliant
Product Details
N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Specifications
| Атрибут | Значение |
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 10 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Package Type | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Максимальное сопротивление источника стока | 550 мОм |
| Режим канала | Расширение |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 125 Вт |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Length | 10. 41mm |
| Width | 4.7mm |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Height | 9,01 мм |
В чем разница [FAQ]
Этот пост содержит подробную информацию о распиновке IRF740 и IRF640 , эквивалентах, использовании, функциях и другой важной информации о том, как и где использовать MOSFET. .
Каталог
МОСФЕТ ОБЪЯВЛЕНИЕ / ОПИСАНИЕ |
CAD MODEL |
PINOUT: IRFF6400. |
Replacement and Equivalent |
Features / Technical Specifications : IRF640 vs IRF740 |
Applications : IRF640 vs IRF740 |
Where We Can Use it & How to Use: IRF640 и IRF740 |
Как безопасно проводить длительные пробеги в цепи: IRF640 и IRF740 |
Цепи: IRF640 и IRF740 |
Product Attributes : IRF740 vs IRF 640 |
Product Datasheet |
FAQ |
S. Arff6400 с Irff6400. против Irff6400 с Irff6400. против Irff6400 с Irff640.0003
MOSFET Explained / Description
IRF740 is a high voltage N канал MOSFET , транзистор в основном предназначен для приложений с высоким напряжением и высокой скоростью переключения. Максимальное напряжение нагрузки, которым может управлять этот транзистор, составляет до 400 В с максимальным током нагрузки 10 А.
Максимальный ток в импульсном режиме составляет 40 А, а сопротивление во включенном состоянии или (RDS) составляет 0,55 Ом.
Максимальное напряжение сток-исток 400 В делает его идеальным для управления различными высоковольтными нагрузками в электронных схемах.
IRF640 представляет собой N-канальный MOSFET , предназначенный для высокоскоростного переключения. Эта возможность высокоскоростного переключения может быть очень полезна в приложениях, где скорость переключения имеет решающее значение, например, в цепи ИБП или в любом другом приложении, где пользователь хочет изменить входную мощность нагрузки с одного источника на другой.
Транзистор способен управлять нагрузкой до 18А и напряжением до 200В при минимальном напряжении насыщения всего от 2В до 4В на его затворе. Импульсный ток стока 72А означает, что это MOSFET может управлять нагрузкой до 72 А через короткие промежутки времени или когда нагрузка не подключена постоянно, а подключена только на период времени 300 мкс (микросекунд) с рабочим циклом 1,5%.
How To Test a MOSFET Transistor Using a Multimeter
CAD Model
Symbol
Footprint
2D Model
Pinout : IRFf640 vs IRF740
no difference in pinout
Replacement and Equivalent
IRF740 : 2SK1400A, BUK457-400B, BUZ61A, IRF740S, MTP10N40E, RFP7N35 , RFP7NA40
IRF640 : YTA640, IRF641, IRF642, IRFB4620, IRFB5620, 2SK740, STP19NB20, YTA640, BUK455-200A, BUK456-200A, BUK456-200B, BUZ30A, MTP20N20E, RFP15N15, 2SK891, 18N25, 18N40, 22N20
Характеристики / технические характеристики
Применение: IRF640 и IRF740
| IRF740 | IRF640 |
| Приложения, требующие быстрого переключения | и BMS |
| Применения высокого напряжения | Применение солнечной энергии |
| Драйверы двигателей | Приложения, требующие быстрого переключения |
| Драйверы и контроллеры двигателей постоянного тока | Драйверы двигателей |
| ИБП | исп |
| Цепи зарядного устройства | |
| Цепи освещения и балласта |
Где мы можем его использовать и как использовать: IRF640 против IRF740
IRF640 можно использовать в схемах, где скорость переключения важна, например, в системах резервного питания от батарей, источниках бесперебойного питания и т.
д., и он также будет работать хорошо в коммутационных приложениях общего назначения. Помимо этого, его также можно использовать в строительных блоках аудиоусилителей.
IRF740 можно использовать в цепях, в которых требуется управлять нагрузкой до 400 В с током нагрузки 10 А. Кроме того, высокая скорость переключения делает его пригодным для приложений, где пользователю требуется переключение с одного источника на другой за наносекунды.
Нагрузочная способность 400 В делает его пригодным для использования в различных высоковольтных устройствах, таких как источники бесперебойного питания, светодиоды и другие осветительные балласты и т. д. отдельный усилитель звука.
Как обеспечить безопасную длительную работу в цепи: IRF640 и IRF740
IRF640
IRF640 . Максимальный ток стока составляет 18 А, поэтому не подключайте нагрузку более 14,4 А. Максимальное напряжение нагрузки составляет 200 В, и в целях безопасности не подключайте нагрузку более 160 В.
Максимальный импульсный ток стока составляет 72 А, поэтому максимальная импульсная нагрузка не должна превышать 57,6 А. Используйте соответствующий радиатор с транзистором и всегда храните или эксплуатируйте устройство при температуре выше -55 градусов по Цельсию и ниже +150 градусов по Цельсию.
IRF740
Для обеспечения долговечности компонента важно не использовать компонент с максимальными параметрами и всегда использовать его минимум на 20 % ниже максимальных значений, поэтому то же самое относится к IRF740 MOSFET . Максимальный постоянный ток стока составляет 10 А, поэтому не подключайте нагрузку более 8 А. Максимальное напряжение сток-исток составляет 400 В, поэтому не подключайте нагрузку более 320 В. При эксплуатации используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните и эксплуатируйте этот транзистор при температуре выше -55 градусов Цельсия и ниже +150 градусов Цельсия.
Схемы: IRF640 против IRF740
Power MOSFET IRF740 в виде переключателя (Switch 300 VOLT DC и 5AMP)
Атрибуты продукта: IRF740.
VS IRF 6405
.
число оборотов вкл., мин. число оборотов вкл.)
Dataheet Datahaashing
IRF740 DataShieT
IRF640 Dataasher
FAQ
What IRF740??
IRF740 — это N-канальный силовой МОП-транзистор, который может коммутировать нагрузку до 400 В.
МОП-транзистор может переключать нагрузки, потребляющие до 10 А, его можно включить, подав пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source. … Следовательно, этот MOSFET нельзя использовать в приложениях, где требуется высокая эффективность переключения.
Что такое IRF640?
IRF640 — N-канальный полевой МОП-транзистор, предназначенный для высокоскоростного переключения. Эта высокая скорость переключения может быть очень полезна в приложениях, где скорость переключения имеет решающее значение, например, в цепи ИБП или в любом другом приложении, где требуется изменить входную мощность нагрузки с одного источника на другой.
Для чего используются МОП-транзисторы?
Полевой МОП-транзистор предназначен главным образом для управления потоком напряжения/тока между истоком и стоком.2
Для чего используются силовые МОП-транзисторы?
Мощные полевые МОП-транзисторы (металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы) представляют собой кремниевые устройства с тремя выводами, которые функционируют путем подачи сигнала на затвор, который управляет проводимостью тока между истоком и стоком.