Диоды стеклянные маркировка: Маркировка SMD диодов и стабилитронов: типы корпусов, обозначение

Содержание

Стабилитрон: принцип работы, маркировка, обозначение, параметры, свойства

Обновлена: 11 Октября 2022
638
7

Поделиться с друзьями


Полупроводниковый стабилитрон, или диод Зенера, представляет собой диод особого типа. При прямом включении обычный диод и стабилитрон ведут себя аналогично. Разница между ними проявляется при обратном включении. Обычный диод при подаче обратного напряжения и превышении его номинального значения просто выходит из строя. А  для стабилитрона подключение обратного напряжения и его рост до установленной точки является штатным режимом. При достижении определенной точки обратного напряжения в стабилитроне возникает обратимый пробой. Через устройство начинает течь ток. До наступления пробоя стабилитрон находится в нерабочем состоянии и через него протекает только малый ток утечки.  На электросхемах стабилитрон обозначается как стрелка-указатель, на конце которой имеет черточка, обозначающая запирание. Стрелка указывает направление тока. Буквенное обозначение на схемах – VD.

Содержание статьи

  • Устройство
  • Принцип действия
  • Вольт-амперная характеристика
  • Области применения
  • Основные характеристики
  • Способы включения – последовательное и параллельное
  • Составные стабилитроны
  • Виды стабилитронов
    • Прецизионные
    • Быстродействующие
  • Регулируемые стабилитроны
  • Способы маркировки
  • Как отличить стабилитрон от обычного диода
  • Как правильно подобрать стабилитрон?
  • Содержание драгоценных металлов в стабилитронах

Устройство


Полупроводниковые стабилитроны пришли на смену морально устаревшим стабилитронам тлеющего разряда – ионным газоразрядным электровакуумным приборам. Для изготовления стабилитронов используются кремниевые или германиевые кристаллы (таблетки) с проводимостью n-типа, в которые добавляют примеси сплавным или диффузно-сплавным способом. Для получения электронно-дырочного p-n перехода используются акцепторные примеси, в основном алюминий. Кристаллы заключают в корпуса из полимерных материалов, металла или стекла.


Кремниевые сплавные стабилитроны Д815 (А-И) выпускаются в металлическом герметичном корпусе, который является положительным электродом. Такие элементы имеют широкий интервал рабочих температур – от -60°C до +100°C. Кремниевые сплавные двуханодные стабилизирующие диоды КС175А, КС182А, КС191А, КС210Б, КС213Б выпускают в пластмассовом корпусе. Кремниевые сплавные термокомпенсированные детали КС211 (Б-Д), используемые в качестве источников опорного напряжения, имеют пластмассовый корпус.


SMD стабилитроны, то есть миниатюрные компоненты, предназначенные для поверхностного монтажа, изготавливаются в основном в стеклянных и пластиковых корпусах. Такие элементы могут выпускаться с двумя и тремя выводами. В последнем случае третий вывод является «пустышкой», никакой смысловой нагрузки не несет и предназначается только для надежной фиксации детали на печатной плате.

Принцип действия


Стабилитрон был открыт американским физиком Кларенсом Мелвином Зенером, именем которого его и назвали. Электрический пробой p-n перехода может быть обусловлен туннельным пробоем (в этом случае пробой носит название Зенеровского), лавинным пробоем, пробоем в результате тепловой неустойчивости, который наступает из-за разрушительного саморазогрева токами утечки.


И инженеры конструируют эти элементы таким образом, чтобы возникновение туннельного и/или лавинного пробоя произошло задолго до того, как в них возникнет вероятность теплового пробоя.


Величина напряжения пробоя зависит от концентрации примесей и способа легирования p-n-перехода. Чем больше концентрация примесей и чем выше их градиент в переходе, тем ниже обратное напряжение, при котором образуется пробой.

  • Туннельный (зенеровский) пробой появляется в полупроводнике в тех случаях, когда напряженность электрического поля в p-n зоне равна 106 В/см. Такая высокая напряженность может возникнуть только в высоколегированных диодах. При напряжениях пробоя, находящихся в диапазоне 4,5…6,7 В, сосуществуют туннельный и лавинный эффекты, а вот при напряжении пробоя менее 4,5 В остается только туннельный эффект.
  • В стабилитронах с небольшими уровнями легирования или меньшими градиентами легирующих добавок присутствует только лавинный механизм пробоя, который появляется при напряжении пробоя примерно 4,5 В. А при напряжении выше 7,2 В остается только лавинный эффект, а туннельный полностью исчезает.


Как было сказано ранее, при прямом подключении стабилитрон при прямом включении ведет себя так же, как и обычный диод, – он пропускает ток. Различия между ними возникают при обратном подключении.


Обычный диод при обратном подключении запирает ток, а стабилитрон при достижении обратным напряжением величины, которая называется напряжением стабилизации, начинает пропускать ток в обратном направлении. Это объясняется тем, что при подаче на стабилитрон напряжения, которое превышает U ном. устройства, в полупроводнике возникает процесс, называемый пробоем. Пробой может быть туннельным, лавинным, тепловым. В результате пробоя ток, протекающий через стабилитрон, возрастает до максимального значения, ограниченного резистором. После достижения напряжения пробоя ток остается примерно постоянным в широком диапазоне обратных напряжений. Точка, в которой напряжение запускает ток, может очень точно устанавливаться в процессе производства легированием. Поэтому каждому элементу присваивают определенное напряжение пробоя (стабилизации).


Стабилитрон используется только в режиме «обратного смещения», то есть его анод подключается к «-» источника питания. Способность стабилитрона запускать обратный ток при достижении напряжения пробоя применяется для регулирования и стабилизации напряжения при изменении напряжения питания или подключенной нагрузки. Использование стабилитрона позволяет обеспечить постоянное выходное напряжение для подключенного потребителя при перепадах напряжения ИП или меняющемся токе потребителя.

Вольт-амперная характеристика


ВАХ стабилитрона, как и обычного диода, имеет две ветви – прямую и обратную. Прямая ветвь является рабочим режимом для традиционного диода, а обратная характеризует работу стабилитрона. Стабилитрон называют опорным диодом, а источник напряжения, в схеме которого есть стабилитрон, называют опорным.


На рабочей обратной ветви опорного диода выделяют три основные значения обратного тока:

  • Минимальное. При силе тока, которая меньше минимального значения, стабилитрон остается закрытым.
  • Оптимальное. При изменении тока в широких пределах между точками 1 и 3 значение напряжения меняется несущественно.
  • Максимальное. При подаче тока выше максимальной величины опорный диод перегреется и выйдет из строя. Максимальное значение тока ограничивается максимально допустимой рассеиваемой мощностью, которая очень зависит от внешних температурных условий.

Области применения


Основная область применения этих элементов – стабилизация постоянного напряжения в маломощных ИП или в отдельных узлах, мощность которых не более десятков ватт. С помощью опорных диодов обеспечивают нормальный рабочий режим транзисторов, микросхем, микроконтроллеров.


В стабилизаторах простой конструкции стабилитрон является одновременно источником опорного напряжения и регулятором. В более сложных конструкциях стабилитрон служит только источником опорного напряжения, а для силового регулирования применяется внешний силовой транзистор.


Термокомпенсированные стабилитроны и детали со скрытой структурой востребованы в качестве дискретных и интегральных источников опорного напряжения. Для защиты электрической аппаратуры от перенапряжений разработаны импульсные лавинные стабилитроны. Для защиты входов электрических приборов и затворов полевых транзисторов в схему устанавливают рядовые маломощные стабилитроны. Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП) изготавливаются с одним кристаллом, на котором расположены: защитный стабилитрон и силовой транзистор.

Основные характеристики


В паспорте стабилизирующего диода указывают следующие параметры:

  • Номинальное напряжение стабилизации Uст. Этот параметр выбирает производитель устройства.
  • Диапазон рабочих токов. Минимальный ток – величина тока, при которой начинается процесс стабилизации. Максимальный ток – значение, выше которого устройство разрушается.
  • Максимальная мощность рассеивания. В маломощных элементах это паспортная величина. В паспортах мощных стабилитронов для расчета условий охлаждения производитель указывает: максимально допустимую температуру полупроводника и коэффициент теплового сопротивления корпуса.


Помимо параметров, указываемых в паспорте, стабилитроны характеризуются и другими величинами, среди которых:

  • Дифференциальное сопротивление. Это свойство определяет нестабильность устройства по напряжению питания и по току нагрузки. Первый недостаток устраняется запитыванием стабилизирующего диода от источника постоянного тока, а второй – включением между стабилитроном и нагрузкой буферного усилителя постоянного тока с эмиттерным повторителем.
  • Температурный коэффициент напряжения. В соответствии со стандартом эта величина равна отношению относительного изменения напряжения стабилизации к абсолютному изменению наружной температуры. В нетермостабилизированных стабилитронах при нагреве от +25°C до +125°C напряжение стабилизации сдвигается на 5-10% от первоначального значения.
  • Дрейф и шум. Эти характеристики для обычных стабилитронов не определяются. Для прецизионных устройств они являются очень важными свойствами. В обычных (непрецизионных) стабилитронах шум создают: большое количество посторонних примесей и дефекты кристаллической решетки в области p-n перехода. Способы снижения шума (если в этом есть необходимость): защитная пассивация оксидом или стеклом (примеси направляются вглубь кристалла) или перемещением вглубь кристалла самого p-n-перехода. Второй способ является более радикальным. Он востребован в диодах с низким уровнем шума со скрытой структурой.

Способы включения – последовательное и параллельное


На детали импортного производства в сопроводительных документах ситуации, при которых возможно последовательное или параллельное соединение, не регламентируются. В документации на отечественные опорные диоды можно встретить два указания:

  • В приборах маленькой и средней мощности можно последовательно или параллельно подсоединять любое количество односерийных стабилитронов.
  • В приборах средней и значительной мощности можно последовательно соединять любое число стабилизирующих диодов единой серии. При параллельном соединении необходимо произвести расчеты. Общая мощность рассеивания всех параллельно подсоединенных стабилитронов не должна быть выше аналогичного показателя одной детали.


Допускается последовательное подключение опорных диодов разных серий в том случае, если рабочие токи созданной цепи не превышают паспортные токи стабилизации для каждой серии, установленной в схеме.


На практике для умножения напряжения стабилизации чаще всего применяют последовательное соединение двух-трех стабилитронов. К этой мере прибегают в том случае, если не удалось достать деталь на нужное напряжение или необходимо создать высоковольтный стабилитрон. При последовательном соединении напряжение отдельных элементов суммируется. В основном этот вид соединения используется при сборке высоковольтных стабилизаторов.


Параллельное соединение деталей служит для того, чтобы повышать ток и мощность. Однако на практике этот вид соединения применяется редко, поскольку различные экземпляры опорных диодов даже одного типа не имеют совершенно одинаковых напряжений стабилизации. Поэтому при параллельном соединении разряд возникнет только в детали с наименьшим напряжением стабилизации, а в остальных пробой не произойдет. Если пробой и возникает, то одни стабилитроны в такой цепи будут работать с недогрузкой, а другие с перегрузкой.


Для стабилизации переменного напряжения стабилитроны соединяются последовательно и встречно. В первый полупериод синусоиды переменного тока один элемент работает как обычный диод, а второй выполняет функции стабилитрона. Во втором полупериоде элементы меняются функциями. Форма выходного напряжения отличается от входного. Ее конфигурация напоминает трапецию. Это связано с тем, что напряжение, превышающее напряжение стабилизации, будет отсекаться и верхушки синусоиды будут срезаны. Последовательное и встречное соединение стабилитронов может применяться в термостабилизированном стабилитроне.

Составные стабилитроны


Составной стабилитрон – устройство, применяемой в ситуациях, когда необходимы токи и мощность большего значения, чем это допускают технические условия. В этом случае между стабилизирующим диодом и нагрузкой подсоединяют буферный усилитель постоянного тока. В схеме коллекторный переход транзистора включен параллельно стабилизирующему диоду, а эммиттерный переход – последовательно.


Схема обычного составного стабилитрона не предназначена для применения на прямом токе. Но добавление диодного моста превращает составной стабилитрон в систему двойного действия, которая может работать и при прямом, и при обратном токе. Такие стабилитроны еще называют двойными или двуханодными. Стабилитроны, которые могут работать с напряжением только одной полярности, называют несимметричными. А составные стабилитроны, дееспособные при любом направлении тока, называют симметричными.

Виды стабилитронов


На современном рынке электроники имеется широкий ассортимент стабилитронов, адаптированных к определенным условиям применения.

Прецизионные


Эти устройства обеспечивают высокую стабильность напряжения на выходе. К ним предъявляются дополнительные требования к временной нестабильности напряжения и температурного коэффициента напряжения. К прецизионным относятся устройства:

  • Термокомпенсированные. В схему термокомпенсированного стабилитрона входят последовательно соединенные: стабилитрон номинальным напряжением 5,6 В (с плюсовым значением температурного коэффициента) и прямоосвещенный диод (с минусовым коэффициентом). При последовательном соединении этих элементов происходит взаимная компенсация температурных коэффициентов. Вместо диода в схеме может использоваться второй стабилитрон, включаемый последовательно и встречно.
  • Со скрытой структурой. Ток пробоя в обычном стабилитроне сосредотачивается в приповерхностном кремниевом слое, где находится максимальное количество посторонних примесей и дефектов кристаллической решетки. Эти несовершенства конструкции провоцируют шум и нестабильную работу. В деталях со скрытой структурой ток пробоя «загоняют» внутрь кристалла путем формирования глубокого островка p-типа проводимости.   

Быстродействующие


Для них характерны: низкое значение барьерной емкости, всего десятки пикофарад, и краткий период переходного процесса (наносекунды). Такие особенности позволяют опорному диоду ограничивать и стабилизировать кратковременные импульсы напряжения.


Стабилизирующие диоды могут быть рассчитаны на напряжение стабилизации от нескольких вольт до нескольких сотен вольт. Высоковольтные стабилитроны устанавливаются на специальные охладители, способные обеспечить нужный теплообмен и уберечь элемент от перегрева и последующего разрушения.

Регулируемые стабилитроны


При изготовлении стабилизированных блоков питания необходимый стабилитрон может отсутствовать. В этом случае собирают схему регулируемого стабилитрона.


Нужное напряжение стабилизирующего диода подбирают при помощи резистора R1. Для настройки схемы на место резистора R1 подключают переменный резистор номиналом 10 кОм. После получения нужного значения напряжения определяют полученное сопротивление и устанавливают на постоянное место резистор нужного номинала. Для этой схемы можно применить транзисторы КТ342А, КТ3102А.

Способы маркировки


На корпусе детали имеется буквенная или буквенно-цифровая маркировка, которая характеризует электрические свойства и назначение устройства. Различают два типа маркировки. Детали в стеклянном корпусе маркируются привычным образом. На поверхности элемента пишут напряжение стабилизации с использованием буквы V, которая выполняет функцию десятичной запятой. Маркировка из четырех цифр и буквы в конце менее понятна. Расшифровать ее можно только с помощью даташита.


Еще один способ обозначения стабилизирующих диодов – цветовая маркировка. Часто применяется японский вариант, который представляет собой два или три цветных кольца. При наличии двух колец, каждое из них обозначает определенную цифру. Если второе кольцо нанесено в удвоенном варианте, то это означает, что между первой и второй цифрой надо поставить запятую.

Как отличить стабилитрон от обычного диода


Оба эти элемента имеют схожее обозначение на схеме. На практике отличить стабилитрон от обычного диода  и даже узнать его номинал, если оно не более 35 В, можно с помощью приставки к мультиметру.


Схема приставки к мультиметру


Для выполнения генератора с широтно-импульсной модуляцией используется специализированная микросхема MC34063. Чтобы обеспечить гальваническую развязку между ИП и измерительной частью схемы напряжение контролируют на первичной обмотке трансформатора. Это позволяет сделать выпрямитель на VD2. Точка стабилизации выходного напряжения устанавливается с помощью резистора R3. Напряжение на конденсаторе С4 – примерно 40 В. Стабилизатор тока А2 и проверяемый опорный диод составляют параметрический стабилизатор, а мультиметр, подключенный к выводам схемы, позволяет определить напряжение стабилитрона.


Если диод подключить в обратной полярности (анод к «-», а катод к «+»), то мультиметр для обычного диода покажет 40 В, а для стабилитрона – напряжение стабилизации.


Для определения работоспособности стабилитрона с известным номиналом используют простую схему, состоящую из источника питания и токоограничительного резистора на 300…500 Ом. В этом случае с помощью мультиметра определяют не сопротивление перехода, а напряжение. Включают элементы, как показано на схеме, и меряют напряжение на стабилитроне.


Медленно поднимают напряжение блока питания. На значении напряжения стабилизации напряжение на стабилитроне должно прекратить свой рост. Если это произошло, значит, элемент исправен. Если при последующем увеличении напряжения ИП диод не начинает стабилизировать, значит, он не исправен.

Как правильно подобрать стабилитрон?


Стабилитроны относятся к стабилизаторам небольшой мощности. Поэтому их необходимо подбирать так, чтобы через них без перегрева мог проходить весь ток нагрузки плюс минимальный ток стабилизации.



Для правильного выбора стабилитрона для электрической схемы необходимо знать следующие параметры: минимальное и максимальное входное напряжение, напряжение на выходе, минимальный и максимальный ток нагрузки. Напряжение стабилизации стабилитрона равно выходному напряжению. А рассчитать максимальный ток, который может пройти через стабилитрон в конкретной схеме, и мощность рассеивания при максимальном токе, лучше всего с помощью онлайн-калькулятора.  


Содержание драгоценных металлов в стабилитронах


В стабилитронах, как и в других полупроводниках – обычных диодах, тиристорах, варикапах, из драгоценных металлов содержится, в основном, серебро, в некоторых – золото. Конкретное количество указывается в специальных таблицах. Содержание палладия и платины, даже если они и присутствуют в полупроводниках, обычно не указывается, поскольку их концентрация ничтожно мала.



Была ли статья полезна?

Да

Нет

Оцените статью

Что вам не понравилось?


Другие материалы по теме

Анатолий Мельник

Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.

Импортные стабилитроны

Стабилитрон 4. 3V 0.5W BZX55C 4V3, BZX79 C4V3
Стабилитрон 4.3V 1.3W 1N4731A, BZV85C-4V3
Стабилитрон 4.7V 0.5W BZX55C 4V7, BZX79 C4V7
Стабилитрон 4.7V 1.3W 1N4732A, BZV85C-4V7
Стабилитрон 5.1V 0.5W BZX55C 5V1, BZX79 C5V1
Стабилитрон 5.1V 1.3W 1N4733A, BZV85C-5V1
Стабилитрон 5.6V 0.5W BZX55C 5V6, BZX79 C5V6
Стабилитрон 5.6V 1.3W 1N4734A, BZV85C-5V6
Стабилитрон 6.2V 0.5W BZX55C 6V2, BZX79 C6V2
Стабилитрон 6.2V 1.3W 1N4735A, BZV85C-6V2
Стабилитрон 6.8V 0.5W BZX55C 6V8, BZX79 C6V8
Стабилитрон 6.8V 1.3W 1N4736A, BZV85C-6V8
Стабилитрон 7.5V 0.5W BZX55C 7V5, BZX79 C7V5
Стабилитрон 7. 5V 1.3W 1N4737A, BZV85C-7V5
Стабилитрон 8.2V 0.5W BZX55C 8V2, BZX79 C8V2
Стабилитрон 8.2V 1.3W 1N4738A, BZV85C-8V2
Стабилитрон 9.1V 0.5W BZX55C 9V1, BZX79 C9V1
Стабилитрон 9.1V 1.3W 1N4739A, BZV85C-9V1
Стабилитрон 10V 0.5W BZX55C,79 10V, 1N5240, 1N758
Стабилитрон 10V 1.3W 1N4740A, BZV85C-10V
Стабилитрон 11V 0.5W BZX55C 11V, BZX79 C11V
Стабилитрон 12V 0.5W BZX55C 12V, BZX79 C12V
Стабилитрон 12V 1.3W 1N4742A, BZV85C-12V
Стабилитрон 13V 0.5W BZX55C 13V, BZX79 C13V
Стабилитрон 13V 1.3W 1N4743A, BZV85C-13V
Стабилитрон 15V 0.5W BZX55C 15V, BZX79 C15V
Стабилитрон 15V 1. 3W 1N4744A, BZV85C-15V
Стабилитрон 18V 0.5W BZX55C 18V, BZX79 C18V
Стабилитрон 18V 1.3W 1N4746A, BZV85C-18V
Стабилитрон 20V 0.5W BZX55C 20V, BZX79 C20V
Стабилитрон 20V 1.3W 1N4747A, BZV85C-20V
Стабилитрон 22V 0.5W BZX55C 22V, BZX79 C22V
Стабилитрон 22V 1.3W 1N4748A, BZV85C-22V
Стабилитрон 24V 0.5W BZX55C 24V, BZX79 C24V
Стабилитрон 24V 1.3W 1N4749A, BZV85C-24V
Стабилитрон 27V 0.5W BZX55C 27V, BZX79 C27V
Стабилитрон 27V 1.3W 1N4750A, BZV85C-27V
Стабилитрон 30V 0.5W BZX55C 30V, BZX79 C30V
Стабилитрон 30V 1.3W 1N4751A, BZV85C-30V
Стабилитрон 33V 0. 5W BZX55C 33V, BZX79 C33V
Стабилитрон 33V 1.3W 1N4752A, BZV85C-33V
Стабилитрон 36V 0.5W BZX55C 36V, BZX79 C36V
Стабилитрон 36V 1.3W 1N4753A, BZV85C-36V
Стабилитрон 39V 1.3W 1N4754A, BZV85C-39V
Стабилитрон 43V 1.3W 1N4755A, BZV85C-43V
Стабилитрон 47V 0.5W BZX55C 47V, BZX79 C47V
Стабилитрон 47V 1.3W 1N4756A, BZV85C-47V
Стабилитрон 51V 1.3W 1N4757A, BZV85C-51V
Стабилитрон 56V 1.3W 1N4758A, BZV85C-56V
Стабилитрон 75V 1.3W 1N4761A, BZV85C-75V
Стабилитрон 82V 1.3W 1N4762A, BZV85C-82V
Стабилитрон 91V 1.3W 1N4763A, BZV85C-91V
Стабилитрон 100V 0.5W BZX55C 100V, BZX79 C100V
Стабилитрон R2K 150v do-201
Стабилитрон R2KN Vz=150-170 V
Стабилитрон R2KY Vz=130-155 V
Стабилитрон R2M Vz=135-180 V
Стабилитрон RM25 (MA2560) 56V

стекло%20диод%20цвет%20коды спецификация и примечания по применению

MFG и тип ПДФ Теги документов org/Product»>

Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

200°С
Эпоксидная смола FR4

Реферат: «Эпоксидный стеклокомпозит» СЕМ-1 стеклоэпоксидный материал СЕМ-1 ФР2 материал 169P44WE Эпоксид, стеклоламинат стекло векторборд 169P79

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

конденсатор

Аннотация: стеклянный конденсатор ETR10 CYR10 CYR15 CYR51 MIL-C-11272 стекло CY10 et10 стекло

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

CYR10
CYR15
CYR51
CYR52
CYR53
конденсатор
ЭТР10
стеклянный конденсатор
CYR10
CYR15
CYR51
МИЛ-С-11272
стакан
CY10
стекло эт10 org/Product»>

6a3 стабилитрон

Реферат: DB240B 1N4004 DO-214 w06 sot-23 1N4001 DO-214 1N4004 1N4007 MINIMELF DO214 SRF2020-SRF w06 sot23 1n4007 DO-214 1N5819 SOD-323

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

СР0620-СР06А0
ДО-41
1Н17-1Н19
1Н5817-1Н5819
1С20-1С200
СР120-СР1200
СМ120-СМ1А0
ДО-213АА)
6а3 стабилитрон
ДБ240Б
1Н4004 ДО-214
w06 сот-23
1Н4001 ДО-214
1N4004 1N4007 МИНИМЕЛЬФ DO214
СРФ2020-СРФ
w06 часть 23
1н4007 ДО-214
1N5819СОД-323
2002 — Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

кг/300
фунт/1000 футов
ГГ-Т-20
ГГ-Т-20С
ГГ-Т-24
ГГ-Т-24С
РАЗЪЕМ Кабель SMA 4 ГГц

Аннотация: разъем RG58 RG58 тип e UMTS GPS070DB GSM 300 круглый разъем AG252

Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал

PDF

org/Product»>

стекло

Аннотация: 5789F

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

5762S
5763H
5767H
стакан
5789F
накладка abb 330

Реферат: SPAJ 120 SPAJ 140 spad 330 spam 150 ABB SPAJ 120 RS-951 SPAJ 120 c SPAJ160C 16A2

Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование

PDF

977-5098

Реферат: Стеклоэпоксидный материал СЕМ-1 Материал FR2 «эпоксидный стеклокомпозит»

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

10-Up
336М76-032
64P44XXXP
64П44
10-Up
Р656-1
977-5098
Стеклоэпоксидный материал ЦЕМ-1
материал ФР2
«эпоксидный стеклокомпозит»
2006 — зксчм800

Резюме: SDPB1K10NB-7 zds1002 1N4007 MINI MELF ZXCZA200 SBR40S45CT ZXCZM800QPATR ZLNB153X8TC zxnb4200 zetex BSS138TA

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

2000/53/ЕС
2000/53/ЕС
2002/95/ЕС
СДЖ/Т11363-2006
zxczm800
СДПБ1К10НБ-7
здс1002
1N4007 МИНИ МЭЛФ
ZXCZA200
SBR40S45CT
ZXCZM800QPATR
ZLNB153X8TC
zxnb4200
Зетекс BSS138TA org/Product»>

МК-46

Реферат: MIL-C-11272 ETR15 et10 стекло ETR10 CY10 CYR10

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

Каталоги/Освещение/MDEXSSWPXEUHZC001
MDEXSSWPXEUHZC001
МИЛ-С-19978

Аннотация: стеклянный конденсатор серии CYR CY10

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

S-PGDC00M806-C
МИЛ-С-19978
CYR-серия
стеклянный конденсатор
CY10
5252 Ф 0911

Реферат: sm4500 предохранитель smd код N пико предохранитель цветовой код mcr 5102 4501 gsd Si 6822 5252 F 1004 mr 6710 предохранитель smd код P

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

СРГ1/2003
5252 Ф 0911
см4500
предохранитель smd код N
цветной код предохранителя пико
мкр 5102
4501 гсд
Си 6822
5252 Ф 1004
мистер 6710
предохранитель smd код P org/Product»>

2011 — Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

MCF06G
А-100
элемент14
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

00-277В
Каталоги/Освещение/MDEXSSWPTEUHZC001
MDEXSSWPTEUHZC001
2014 — 500/BP 109 ИК сенсор

Реферат: Технические характеристики инфракрасного датчика PIR SENSOR 750 s 500/500/BP 109

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

ком/Продукт/Категория/524351
Технические характеристики инфракрасного датчика 500/BP 109
ИК-ДАТЧИК 750 с
Технические данные инфракрасного датчика 500/500/BP 109 org/Product»>

Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

02rdware
Каталоги/Освещение/MDEXSSWEXEUHZC001
MDEXSSWEXEUHZC001
2010 — КАИ-0340

Реферат: KAI-0340S KAI-0340D KAI-0340SCM KEK-4H0472-KAI-0340-10-40 KAI-0340DCM 0340S 0340 4H0666 KAI-0340-AAA-CP-AA-Single

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

КАИ-0340
KAI0340-Двойной
КАИ-0340-Одинарный.
KAI-0340-Двойной
KAI-0340-Одиночный
КАИ-0340-Одиночный)
КАИ-0340-Двойной)
КАИ-0340ABBD
КАИ-0340СКМ
КАИ-0340С
КАИ-0340D
КАИ-0340СКМ
КЕК-4Х0472-КАИ-0340-10-40
КАИ-0340DCM
03:40С
0340
4H0666
KAI-0340-AAA-CP-AA-Single
2002 — Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

кг/300м org/Product»>

2015 — HB7C4M

Резюме: нет абстрактного текста

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

МДТФШКАТС001
HB7C4M
5N4L

Резюме: нет абстрактного текста

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

Каталоги/Освещение/MDEXSSWEXEUHZC001
MDEXSSWEXEUHZC001
5Н4Л
5N4L

Резюме: 5n5c

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

07-264В
50/60 Гц
0-132В
Каталоги/Освещение/MDEXWPXB001
MDEXWPXB001
5Н4Л
5н5с
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

Каталоги/Освещение/MDEXWPXB001
MDEXWPXB001 org/Product»>

ТТ-Т-24

Резюме: XS-E-14 GG-E-24 TT-T-36 HH-E-24 GG-T-24S TT-T-30 ffe20 TT-T-40 XS-E-20

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

кг/300
фунт/1000 футов
ГГ-Т-20
ГГ-Т-20С
ЭПГ05
ТТ-Т-24
ХЗ-Е-14
ГГ-Э-24
ТТ-Т-36
НН-Е-24
ГГ-Т-24С
ТТ-Т-30
ffe20
ТТ-Т-40
XS-E-20

Предыдущий
1
2
3

23
24
25
Next

smd%20glass%20diode%20color%20codes спецификация и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Загрузить техпаспорт Купить часть SCT4045DW7HR

РОМ Полупроводник 750 В, 31 А, 7-контактный SMD, траншейная конструкция, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор для автомобильной промышленности org/Product»>

SCT3040KW7

РОМ Полупроводник 1200 В 56 А, 7-контактный SMD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET SCT3080AW7

РОМ Полупроводник 650 В 29 А, 7-контактный SMD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET SCT3120AW7

РОМ Полупроводник 650 В 21 А, 7-контактный SMD, канавка, карбид кремния (SiC) MOSFET SCT3160KW7

РОМ Полупроводник 1200 В 17 А, 7-контактный SMD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET org/Product»>

SCT4062KW7HR

РОМ Полупроводник 1200 В, 24 А, 7-контактный SMD, траншейная конструкция, полевой МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC) для автомобильной промышленности

smd%20glass%20diode%20color%20codes Datasheets Context Search

org/Product»>

org/Product»>

org/Product»>

org/Product»>

org/Product»>

org/Product»>

org/Product»>

Top
Каталог Datasheet MFG и тип ПДФ Теги документов
СМД 43

Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки индуктивности smd диод j 100N 1FW+43+smd

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDC2D18LD
2Д18ЛД
СМД 43
Индукторы
Силовые индукторы
smd-диод j
100Н
1FW+43+СМД
СДК3Д11

Реферат: smd led smd диод j транзистор SMD 41 068 smd

Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал

PDF

SDC3D11
смд светодиод
smd-диод j
транзистор СМД 41
068 смд
СМД 356 В

Реферат: дроссель smd we 470 356 AT smd транзистор smd 24 дроссель smd 470 Led smd smd диод j smd транзистор 560 SDC3D16 SMD INDUCTOR 47

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDC3D16LD
3Д16ЛД
СМД 356 АТ
индуктор смд мы 470
356 В СМД
транзистор СМД 24
индуктор смд 470
светодиод смд
smd-диод j
смд транзистор 560
SDC3D16
СМД ИНДУКТОР 47
СМД d105

Реферат: SMD a34 B34 SMD smd 028 F индукторы 25 34 SMD силовые индукторы k439

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDS3012E
3012Е
СМД д105
СМД а34
Б34 СМД
СМД 028 Ф
катушки индуктивности
25 34 СМД
Силовые индукторы
к439
к439

Аннотация: B34 SMD SMD a34 SDS301

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDS3015ELD
3015ELD
к439
Б34 СМД
СМД а34
SDS301
СДК2Д14

Реферат: SDC2D14-2R2N-LF Дроссель bo smd транзистор SMD 24 «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ smd led smd сопротивление smd p 112

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDC2D14
СДК2Д14-2Р2Н-ЛФ
Индуктор
бо smd
транзистор СМД 24
«Силовые индукторы»
СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ
смд светодиод
смд сопротивление
смд р 112
СДС2Д10-4Р7Н-ЛФ

Резюме: SDS2D10 smd led smd 83 smd транзистор 560 4263B катушки индуктивности 221 a32 smd

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDS2D10
SDS2D10-4R7N-LF
смд светодиод
смд 83
смд транзистор 560
4263Б
катушки индуктивности 221
а32 смд
2012 — Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDC3D28
СДК2Д11-100Н-ЛФ

Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки smd led «Силовые катушки индуктивности» smd 123 smd диод j 4263B SMD INDUCTOR 47

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDC2D11
СДК2Д11-100Н-ЛФ
Индукторы
Силовые индукторы
смд светодиод
«Силовые индукторы»
смд 123
smd-диод j
4263Б
СМД ИНДУКТОР 47
СДК2Д11ХП-3Р3Н-ЛФ

Реферат: Силовые индукторы Катушки индуктивности smd led smd диод j 4263B

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDC2D11HP
2Д11ХП
SDC2D11HP-3R3N-LF
Силовые индукторы
Индукторы
смд светодиод
smd-диод j
4263Б
2012 — СДК2Д14-1Р5Н-ЛФ

Резюме: нет абстрактного текста

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDC2D14
СДК2Д14-1Р5Н-ЛФ
А44 СМД

Резюме: смд 5630 5630 смд койлмастер смд B44 SDS4212E-100M-LF

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDS4212E
4212Е
A44 СМД
смд 5630
5630 смд
койлмастер
смд б44
SDS4212E-100M-LF
индуктор

Резюме: смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13dBo 100N SDC2D14HPS

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

СДК2Д14ХП
2Д14ЛС
индуктор
смд светодиод
SDC2D14HPS-221M-LF
13 дБ Бо
100Н
SDC2D14HPS
2012 — Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDC2D18HP
2Д18ХП
катушки индуктивности

Реферат: СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ Диод smd 86 smd диод j 100N SDC2D18HP «Силовые индукторы»

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDC2D18HP
2Д18ХП
катушки индуктивности
СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ
Диод смд 86
smd-диод j
100Н
«Силовые индукторы»
СМД .А40

Резюме: a40 smd smd D10 Inductors Power Inductors SMD A40 smd g12

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDS4010E
4010Е
СМД .А40
а40 смд
смд д10
Индукторы
Силовые индукторы
СМД А40
смд г12
Силовые индукторы

Реферат: smd диод j 100N Катушки индуктивности

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDC3D18
Силовые индукторы
smd-диод j
100Н
Индукторы
2Д18

Реферат: катушки индуктивности 221 лф 1250 smd j диод SDS2D18

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDS2D18
2Д18
катушки индуктивности 221
1250 лф
smd-диод j
СМД 43

Реферат: катушки индуктивности Power Inductors 3D-14 smd диод j «Power Inductors» 3D14

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDC3D14
СМД 43
катушки индуктивности
Силовые индукторы
3Д-14
smd-диод j
«Силовые индукторы»
3D14
смд 3250

Реферат: SMD-диод Coilmaster Electronics j

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDC2D09
смд 3250
Койлмастер Электроника
smd-диод j
пмб 4220

Резюме: Siemens pmb 4220 PMB 27251 4310 SMD IC 2197-T 82526-N smd 2035 DSP/pmb 4220 PMB27201 SICOFI PEF 2465

Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование

PDF

2025-Н
2025-П
2026Т-П
2026Т-С
20320-Н
2035-Н
2035-П
2045-Н
2045-П
2046-Н
4220 пмб
Сименс пмб 4220
ПМБ 27251
ИС 4310 для поверхностного монтажа
2197-Т
82526-Н
СМД 2035
DSP/пмб 4220
PMB27201
СИКОФИ ПЭФ 2465
Катушки индуктивности

Реферат: Силовые индукторы 068 smd 0621 smd SMD a34 D160 SDS3015EHP-100M-LF

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDS3015EHP
3015EHP
Индукторы
Силовые индукторы
068 смд
0621 смд
СМД а34
Д160
SDS3015EHP-100M-LF
СМД 43

Реферат: Дроссели транзисторные SMD мы SDS2D12-100M-LF h22 smd smd диод j 2D12 3r smd 340 smd «Дроссели силовые»

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал

PDF

SDS2D12
СМД 43
Индукторы
транзистор SMD мы
СДС2Д12-100М-ЛФ
h22 смд
smd-диод j
2D12
3р смд
340 смд
«Силовые индукторы»