Анод диода: как определить, где у диода плюс и минус по обозначениям на схеме, внешнему виду и подаче тока

Анод — диод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3

Cтраница 3

При открытом 7 анод диода через резистор R подключен к источнику Е5, а его катод к точке с отрицательным потенциалом ыкнг.
 [31]

Отрицательное напряжение на анод диода подается от сопротивления автоматического смещения, включенного в цепь катода какой-либо другой лампы приемника, так как в самом диоде при отсутствии сигналов ток равен нулю.
 [32]

Только когда на анод диода подается положительный отпирающий импульс Р, то ра-бочка точка скачкообразно переходит через максимум р и затем возвращается обратно по кривой h — и — d ( рис. 9 — 15) в начальное положение, где и остается до ближайшего отпирающего импульса. Тогда схема работает как мультивибратор с одним устойчивым положением, который создает отрицательные импульсы на выходе, форма которых зависит от длительности импульсов на входе.
 [34]

При подаче на аноды диодов Д1 и Д2 напряжений и и uv на их общем катоде будет выделяться наибольшее из этих напряжений, так как будет открыт только диод с большим анодным напряжением.
 [36]

В исходном положении аноды диодов / 710 находятся под небольшим отрицательным напряжением около — 2 3 в. Через нижний диод течет небольшой ток, за счет которого на управляющей сетке генераторной лампы устанавливается напряжение порядка — 2 3 в. Через верхний диод ток течет гораздо больший, так что его катод имеет потенциал — 4 в. Времязадающий конденсатор, включенный между этими точками, в состоянии покоя будет иметь потенциал от 4 до 1 6 в.
 [37]

Если напряжение на аноде диода меньше напряжения на катоде, то диод заперт и отключает источник входного сигнала от нагрузки. Принципиальная схема последовательного диодного ограничителя приведена на рис. 3.64, где Е0 — источник постоянного опорного напряжения, задающий порог ограничения.
 [38]

Вследствие этого на аноде диода Д возрастает напряжение, которое с некоторой выдержкой времени попадает через цепочку Ro-L на второй диод и его рабочая точка от этого смещается ближе к максимуму характеристики, а именно туда, где рабочая точка первого диода располагалась в начале работы схемы. Ближайший следующий импульс опрокидывает второй дио д, тогда как состояние остальных диодов не изменяется.
 [40]

Одновременно напряжение поступает на анод диода VD10 Д223, закрывая его. В результате он оказывается закрытым.
 [41]

Схема сильноточного ускорителя. 1 — высоковольтный выпрямитель. а — промежуточный накопительный элемент. з — электроды двойной формирующей линии. 4 — трансформирующая линия передачи. р — разрядники. С — конденсаторы.| Траектории электронов в диоде с малым ( о и большим ( б токами. е — в диоде с магнитной изоляцией.| Схемы ионных диодов с магнитной изоляцией ( а и рефлексных диодов [ б. К — катод. А — анод. П — поверхностная плазма. Н — поперечное магнитное поле. Тр — траектории электронов. Тр — траектории ионов. В — виртуальный катод ( плоскость остановки электронов.  [42]

Для генерации ионных пучков анод диода делают из диэлектрика соответствующего хим. состава. В результате пробоя на поверхности анода образуется плазма, из к-рой под действием внеш. Для увеличения энергии в ионном пучке ток электронов, пересекающих диод, должен быть уменьшен, но сохранен большой отрицат.
 [43]

Схемы однополупериодного выпрямления. а — простейшая, б — со сглаживающим конденсатором.  [44]

При положительной полярности напряжения анода диода в цепи проходит ток, обратно пропорциональный сопротивлению нагрузки. При отрицательной полярности диод закрыт и ток в цепи не проходит. В результате через нагрузку проходит пульсирующий ток IB одного направления. На сопротивлении Ra образуются импульсы напряжения полусинусоидальной формы. Амплитуда этого напряжения равна амплитуде напряжения источника, так как принято допущение, что внутреннее сопротивление источника и сопротивление диода в прямом направлении равны нулю.
 [45]

Страницы:  

   1

   2

   3

   4

   5

Однолучевой лазерный диод, модель M9-785-0150-XXX

Категории товаров

Увеличить изображение

Производитель: RPMC Lasers Inc, США

Данный вид лазера широко используется в военной технике, промышленности, медицине, лазерных принтерах, сканировании штрих кодов, для диодной накачки в лазерах. Высокое качество и долгий срок службы

Электрическая схема контактов 

Цена:

0. 00 USD

Срок поставки: 20 дней

Количество:

Зарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.

Copyright MAXXmarketing GmbH
JoomShopping Download & Support

Cissoid — CALLISTO: высокотемпературный двойной диод 80 В/300 мА

Главная страница

 > Продукты > Силовые модули, транзисторы и диоды > Серия CHT (от -55 C до 225 C): диоды > CALLISTO

• Источники опорного напряжения и регуляторы
  
• Силовые модули, транзисторы и диоды
  
  • CXT-PLA3SA12340A
    Интеллектуальный силовой модуль SiC MOSFET 1200 В/340 А, 3-фазный, опорная плата со штыревыми ребрами
  • CXT-PLA3SA12450A
    Интеллектуальный силовой модуль SiC MOSFET 1200 В/450 А, 3 фазы, опорная плата со штыревыми ребрами
  • CXT-PLA3SA12550A
    Интеллектуальный силовой модуль SiC MOSFET 1200 В/550 А, 3-фазный, опорная плата со штыревыми ребрами
  • CMT-PLA3SB12340A
    Интеллектуальный силовой модуль SiC MOSFET 1200 В/340 A, 3 фазы, плоская базовая плата AlSiC
  • CMT-PLA9869
    SiC MOSFET 1200 В/40 мОм
  • СМТ-PLA2218
    Силовой модуль IGBT 1200 В/300 А
  • CMT-PLA8963
    Силовой модуль IGBT 1200 В/200 А
  • NEPTUNE-1210
    Высокотемпературный силовой полевой МОП-транзистор SiC 1200 В, 10 А
  • PLUTO-B1230
    Двойной модуль SiC MOSFET 1200 В/30 А
  • PLUTO-B1220
    Двойной модуль SiC MOSFET 1200 В/20 А
  • PLUTO-C1230
    Понижающий или повышающий модуль SiC MOSFET 1200 В/30 А
  • PLUTO-C1220
    Понижающий или повышающий модуль SiC MOSFET, 1200 В/20 А
  • IO-1210
    SiC-диод Шоттки 1200 В/10 А
  • EUROPA-A1230
    Модуль двойного SiC-диода Шоттки 1200 В/30 А
  • EUROPA-A1220
    Модуль двойного SiC-диода Шоттки 1200 В/20 А
  • SATURN
    40 В, 5 А/10 А/20 А Мощность NMOS
  • ЗЕМЛЯ
    80 В, 5 А/10 А Мощность NMOS
  • VENUS
    -30 В, 2A/4A/8A Power PMOS
  • NMOS8001
    80 В/1 А компактный NMOS
  • MARS
    Малый сигнал 30 В PMOS
  • MERCURY
    Малый сигнал 80 В NMOS
  • ЭЛАРА
    Счетверенный диод 80В/450мА
  • CALLISTO
    Двойной диод 80 В/300 мА – общий анод
  • GANYMEDE
    Двойной диод 80 В/300 мА — последовательное соединение
  • AMALTHEA
    Двойной диод 80 В/3 А
• Преобразователи постоянного тока
  
• Драйверы ворот
  
• Аналого-цифровые преобразователи и компараторы
  
• Усилители
  
• Логические элементы
  
• Генераторы и таймеры
  

Загрузить спецификацию

CHT-CALLISTO оснащен высокотемпературными диодами с двойным общим анодом 80 В / 300 мА, упакованными в герметичный металлический корпус TO18. Он разработан для обеспечения высокой производительности в чрезвычайно широком диапазоне температур: типичная рабочая температура составляет от -55°C до 225°C при низких токах утечки. Этот двойной диод может использоваться в различных приложениях, включая выпрямление и общее назначение.

Клеммная колодка для компонентов; 4-жильный; с диодом 1N4007; анод,

Основной контент начинается здесь

WAGO

Производитель: WAGO

№ производителя: 279-623/281-411

Артикул №: 1077254

WAGO

№ производителя: 279-623/281-411

Артикул №: 1077254

Наличие

$8,36
каждый

Особенности

• 4 точки зажима
• 1 Потенциалы
• Проводка переднего входа

Технические характеристики

Каталожный номер	279-623/281-411
Производитель	ВАГО
Марка	ВАГО
Страна происхождения	Китай
Сделано в США	№
Привод	Рабочий инструмент
Материал проводника	Медь
Диапазон проводников	Диапазон проводников 16-28 AWG
Соединение	ЗАЖИМ КЛЕТКИ
Текущий рейтинг	0,5 А
Индикатор RoHS	Да
Тип изделия	Клеммная колодка для компонентов
Ширина	0,157
Ширина ЕД	Дюйм
Высота	2,677
Высота Ед. Top