Анод диода: как определить, где у диода плюс и минус по обозначениям на схеме, внешнему виду и подаче тока

Анод — диод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3

Cтраница 3

При открытом 7 анод диода через резистор R подключен к источнику Е5, а его катод к точке с отрицательным потенциалом ыкнг.
 [31]

Отрицательное напряжение на анод диода подается от сопротивления автоматического смещения, включенного в цепь катода какой-либо другой лампы приемника, так как в самом диоде при отсутствии сигналов ток равен нулю.
 [32]

Рабочие соотношения схем мультивибраторов с дшшсторами.| Схемы импульсных усилителей с динисто-рами.
 [33]

Только когда на анод диода подается положительный отпирающий импульс Р, то ра-бочка точка скачкообразно переходит через максимум р и затем возвращается обратно по кривой h — и — d ( рис. 9 — 15) в начальное положение, где и остается до ближайшего отпирающего импульса. Тогда схема работает как мультивибратор с одним устойчивым положением, который создает отрицательные импульсы на выходе, форма которых зависит от длительности импульсов на входе.
 [34]

Вариант упрощения схемы устройства перемножения, показанной на 4. 30.
 [35]

При подаче на аноды диодов Д1 и Д2 напряжений и и uv на их общем катоде будет выделяться наибольшее из этих напряжений, так как будет открыт только диод с большим анодным напряжением.
 [36]

В исходном положении аноды диодов / 710 находятся под небольшим отрицательным напряжением около — 2 3 в. Через нижний диод течет небольшой ток, за счет которого на управляющей сетке генераторной лампы устанавливается напряжение порядка — 2 3 в. Через верхний диод ток течет гораздо больший, так что его катод имеет потенциал — 4 в. Времязадающий конденсатор, включенный между этими точками, в состоянии покоя будет иметь потенциал от 4 до 1 6 в.
 [37]

Если напряжение на аноде диода меньше напряжения на катоде, то диод заперт и отключает источник входного сигнала от нагрузки. Принципиальная схема последовательного диодного ограничителя приведена на рис. 3.64, где Е0 — источник постоянного опорного напряжения, задающий порог ограничения.
 [38]

Счетчик импульсов с туннельными диодами.
 [39]

Вследствие этого на аноде диода Д возрастает напряжение, которое с некоторой выдержкой времени попадает через цепочку Ro-L на второй диод и его рабочая точка от этого смещается ближе к максимуму характеристики, а именно туда, где рабочая точка первого диода располагалась в начале работы схемы. Ближайший следующий импульс опрокидывает второй дио д, тогда как состояние остальных диодов не изменяется.
 [40]

Одновременно напряжение поступает на анод диода VD10 Д223, закрывая его. В результате он оказывается закрытым.
 [41]

Схема сильноточного ускорителя. 1 — высоковольтный выпрямитель. а — промежуточный накопительный элемент. з — электроды двойной формирующей линии. 4 — трансформирующая линия передачи. р — разрядники. С — конденсаторы.| Траектории электронов в диоде с малым ( о и большим ( б токами. е — в диоде с магнитной изоляцией.| Схемы ионных диодов с магнитной изоляцией ( а и рефлексных диодов [ б. К — катод. А — анод. П — поверхностная плазма. Н — поперечное магнитное поле. Тр — траектории электронов. Тр — траектории ионов. В — виртуальный катод ( плоскость остановки электронов.
 [42]

Для генерации ионных пучков анод диода делают из диэлектрика соответствующего хим. состава. В результате пробоя на поверхности анода образуется плазма, из к-рой под действием внеш. Для увеличения энергии в ионном пучке ток электронов, пересекающих диод, должен быть уменьшен, но сохранен большой отрицат.
 [43]

Схемы однополупериодного выпрямления. а — простейшая, б — со сглаживающим конденсатором.
 [44]

При положительной полярности напряжения анода диода в цепи проходит ток, обратно пропорциональный сопротивлению нагрузки. При отрицательной полярности диод закрыт и ток в цепи не проходит. В результате через нагрузку проходит пульсирующий ток IB одного направления. На сопротивлении Ra образуются импульсы напряжения полусинусоидальной формы. Амплитуда этого напряжения равна амплитуде напряжения источника, так как принято допущение, что внутреннее сопротивление источника и сопротивление диода в прямом направлении равны нулю.
 [45]

Страницы:  

   1

   2

   3

   4

   5

Однолучевой лазерный диод, модель M9-785-0150-XXX

Категории товаров

Рейтинг:

Увеличить изображение

Производитель: RPMC Lasers Inc, США

Данный вид лазера широко используется в военной технике, промышленности, медицине, лазерных принтерах, сканировании штрих кодов, для диодной накачки в лазерах. Высокое качество и долгий срок службы

 

 










Параметры

Обозначение

Мин. значение

Сред. значение

Макс. значение

Ед. измерения

Диапазон длин волн

λ

785

нм

Рабочая мощность

150

мВ

Пороговый ток

Ith

35

55

мА

Рабочий ток

0,17

0,21

А

Рабочее напряжение

1,9

2,2

В

Наклонная эффективность

0,9

В/А

Вертикальная область FWHM

25

гр.  FWHM

Горизонтальная область FWHM

8

гр. FWHM

Электрическая схема контактов 





Пин

-DxP

-Sxp

-DxD

-SxD

-Sx0

-Dx0

1

катод диода (-)

анод диода (+)

катод диода (-)

анод диода (+)

анод диода (+)

 катод диода (-)

2

анод диода (+)

PD катод (-)

катод диода (-)

PD катод (-)

анод диода (+)

PD анод (+)

катод диода (-)

PD анод (+)

катод диода (-)

 анод диода (+)

3

PD анод (+)

PD анод (+)

PD катод (-)

PD катод (-)

 —

Цена:

0. 00 USD

Срок поставки: 20 дней

Количество:

Зарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.

Copyright MAXXmarketing GmbH
JoomShopping Download & Support

Cissoid — CALLISTO: высокотемпературный двойной диод 80 В/300 мА

Главная страница

 > Продукты > Силовые модули, транзисторы и диоды > Серия CHT (от -55 C до 225 C): диоды > CALLISTO

  • Источники опорного напряжения и регуляторы
  • Силовые модули, транзисторы и диоды
    • CXT-PLA3SA12340A
      Интеллектуальный силовой модуль SiC MOSFET 1200 В/340 А, 3-фазный, опорная плата со штыревыми ребрами
    • CXT-PLA3SA12450A
      Интеллектуальный силовой модуль SiC MOSFET 1200 В/450 А, 3 фазы, опорная плата со штыревыми ребрами
    • CXT-PLA3SA12550A
      Интеллектуальный силовой модуль SiC MOSFET 1200 В/550 А, 3-фазный, опорная плата со штыревыми ребрами
    • CMT-PLA3SB12340A
      Интеллектуальный силовой модуль SiC MOSFET 1200 В/340 A, 3 фазы, плоская базовая плата AlSiC
    • CMT-PLA9869
      SiC MOSFET 1200 В/40 мОм
    • СМТ-PLA2218
      Силовой модуль IGBT 1200 В/300 А
    • CMT-PLA8963
      Силовой модуль IGBT 1200 В/200 А
    • NEPTUNE-1210
      Высокотемпературный силовой полевой МОП-транзистор SiC 1200 В, 10 А
    • PLUTO-B1230
      Двойной модуль SiC MOSFET 1200 В/30 А
    • PLUTO-B1220
      Двойной модуль SiC MOSFET 1200 В/20 А
    • PLUTO-C1230
      Понижающий или повышающий модуль SiC MOSFET 1200 В/30 А
    • PLUTO-C1220
      Понижающий или повышающий модуль SiC MOSFET, 1200 В/20 А
    • IO-1210
      SiC-диод Шоттки 1200 В/10 А
    • EUROPA-A1230
      Модуль двойного SiC-диода Шоттки 1200 В/30 А
    • EUROPA-A1220
      Модуль двойного SiC-диода Шоттки 1200 В/20 А
    • SATURN
      40 В, 5 А/10 А/20 А Мощность NMOS
    • ЗЕМЛЯ
      80 В, 5 А/10 А Мощность NMOS
    • VENUS
      -30 В, 2A/4A/8A Power PMOS
    • NMOS8001
      80 В/1 А компактный NMOS
    • MARS
      Малый сигнал 30 В PMOS
    • MERCURY
      Малый сигнал 80 В NMOS
    • ЭЛАРА
      Счетверенный диод 80В/450мА
    • CALLISTO
      Двойной диод 80 В/300 мА – общий анод
    • GANYMEDE
      Двойной диод 80 В/300 мА — последовательное соединение
    • AMALTHEA
      Двойной диод 80 В/3 А
  • Преобразователи постоянного тока
  • Драйверы ворот
  • Аналого-цифровые преобразователи и компараторы
  • Усилители
  • Логические элементы
  • Генераторы и таймеры

Загрузить спецификацию

CHT-CALLISTO оснащен высокотемпературными диодами с двойным общим анодом 80 В / 300 мА, упакованными в герметичный металлический корпус TO18. Он разработан для обеспечения высокой производительности в чрезвычайно широком диапазоне температур: типичная рабочая температура составляет от -55°C до 225°C при низких токах утечки. Этот двойной диод может использоваться в различных приложениях, включая выпрямление и общее назначение.

Клеммная колодка для компонентов; 4-жильный; с диодом 1N4007; анод,

Основной контент начинается здесь

WAGO

Производитель: WAGO

№ производителя: 279-623/281-411

Артикул №: 1077254

WAGO

№ производителя: 279-623/281-411

Артикул №: 1077254

Наличие

Местоположение В наличии Кол-во
В наличии 0

$8,36
каждый

Особенности
  • 4 точки зажима
  • 1 Потенциалы
  • Проводка переднего входа
Технические характеристики
Каталожный номер 279-623/281-411
Производитель ВАГО
Марка ВАГО
Страна происхождения Китай
Сделано в США
Привод Рабочий инструмент
Материал проводника Медь
Диапазон проводников Диапазон проводников 16-28 AWG
Соединение ЗАЖИМ КЛЕТКИ
Текущий рейтинг 0,5 А
Индикатор RoHS Да
Тип изделия Клеммная колодка для компонентов
Ширина 0,157
Ширина ЕД Дюйм
Высота 2,677
Высота Ед.

Top